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BT139-800

器件型号:BT139-800
器件类别:配件   
厂商名称:COMSET
厂商官网:http://comset.halfin.com/
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器件描述

800 V, 16 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-220AB

800 V, 16 A, 4 象限 逻辑 LEVEL 双向晶闸管, TO-220AB

参数
BT139-800最大直流触发电流 35 mA
BT139-800端子数量 3
BT139-800加工封装描述 PLASTIC, SC-46, 3 PIN
BT139-800reach_compliant Yes
BT139-800欧盟RoHS规范 Yes
BT139-800状态 Active
BT139-800触发装置类型 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
BT139-800壳体连接 MAIN TERMINAL 2
BT139-800结构 SINGLE
BT139-800critical_rate_of_rise_of_off_state_voltage_min 100 V/us
BT139-800dc_gate_trigger_voltage_max 1.5 V
BT139-800holding_current_max 30 mA
BT139-800jedec_95_code TO-220AB
BT139-800jesd_30_code R-PSFM-T3
BT139-800jesd_609_code e3
BT139-800最大漏电流 0.5000 mA
BT139-800moisture_sensitivity_level NOT APPLICABLE
BT139-800元件数量 1
BT139-800最大工作温度 125 Cel
BT139-800包装材料 PLASTIC/EPOXY
BT139-800包装形状 RECTANGULAR
BT139-800包装尺寸 FLANGE MOUNT
BT139-800peak_reflow_temperature__cel_ NOT SPECIFIED
BT139-800qualification_status COMMERCIAL
BT139-800repetitive_peak_off_state_leakage_current_max 500 µA
BT139-800断态重复峰值电压 800 V
BT139-800有效最大电流 16 A
BT139-800sub_category TRIACs
BT139-800表面贴装 NO
BT139-800端子涂层 TIN
BT139-800端子形式 THROUGH-HOLE
BT139-800端子位置 SINGLE
BT139-800time_peak_reflow_temperature_max__s_ NOT SPECIFIED

BT139-800器件文档内容

              SEMICONDUCTORS

BT139 Series

                                       TRIACS

FEATURE

Glass passivated triacs in a plastic TO220 package.
They are intended for use in applications requiring high
bidirectional transient and blocking voltage capability and
high thermal cycling performance.
Typical applications include motor control, industrial and
domestic lighting, heating and static switching.
Compliance to RoHS.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

                                                             Value

Symbol      Ratings                                                              Unit

                                       BT139-500 BT139-600 BT139-800               V

VDRM     Repetitive peak off-state     500                   600          800      A
         voltage                                                                   A
VRRM     Repetitive peak reverse       500                   600          800     W
IT(RMS)  voltage                                                                  W
ITSM                                                         16                   C
PGM      RMS on-state current                                                     C
PG(AV)                                                       140
Tstg     Non-repetitive peak on-state
Tj       current                                                   5
                                                                  0.5
         Peak gate power                                     -45 to +150
                                                                  110
         Average gate power

         Storage temperature range
         Operating junction
         temperature

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol               Ratings                                              Value  Unit

Rj-mb    Thermal resistance junction to mounting base                       1.2  C/W
RJA      Thermal resistance junction to ambient                             60

26/09/2012           COMSET SEMICONDUCTORS                                       1|3
                   SEMICONDUCTORS

     BT139 Series

     ELECTRICAL CHARACTERISTICS

     TC=25C unless otherwise noted

Symbol           Ratings                   Test Condition(s) Min Typ Max Unit

          Repetitive peak off-state                   BT139-500         500 -  -
          voltage
VDRM                                       ID = 0.1 mA BT139-600        600 -  -
VRRM      Repetitive peak reverse
IGT       voltage                                     BT139-800         800 -  -       V
                                                                        500 -  -
          Gate trigger current                        BT139-500

                                           ID = 0.5 mA BT139-600        600 -  -

                                                      BT139-800         800 -  -

                                           VD = 12 V  T2+ G+            -  - 30
                                           RL = 100   T2+ G-
                                                      T2- G-            -  -   30      mA
                                                                        -  -   30

                                                      T2- G+            -  - 100

                                           VD = 12 V  T2+ G+            -  - 1.5
                                           RL = 100   T2+ G-
VGT       Gate trigger voltage                        T2- G-            -  -   1.5     V
                                                                        -  -   1.5

                                                      T2- G+            -  - 1.8

                                                      T2+ G+            -  - 60

IL        Latching current                 VD = 12 V T2+ G-             -  -   90      mA
                                           IGT = 100 mA T2- G-          -  -   60

                                                      T2- G+            -  - 90

IH        Holding current                  IT = 200 mA, IGT = 50 mA     -  - 50 mA
ID
VT        Off-state leakage current        VD = VDRM max                -  - 0.5 mA
          On-state voltage                 Tj = 125C
dVD/dt                                     IT = 10 A                    -  - 1.65 V
          Critical rate of rise of         VDM = 67% VDRMmax
          off-state voltage                Tj = 125C                   100 250 - V/s
                                           Exponential waveform;
dVCOM/dt  Critical rate of rise of change  gate open circuit            - 20 - V/s
          commutatating current            VD = 400 V; Tj = 95 C
                                           dIcom/dt = 7.2 A/ms
                                           IT = 16 A
                                           gate open circuit

tgt       Gate controlled turn-on time     ITM = 20 A; VD = VDRMmax     -  2   - s
                                           IG = 0.1 A; dIG/dt = 5 A/s

     26/09/2012                 COMSET SEMICONDUCTORS                             2|3
                 SEMICONDUCTORS

BT139 Series

MECHANICAL DATA CASE TO-220

Pin 1 :             Main Terminal 1
Pin 2 :             Main Terminal 2
Pin 3 :
Case :                             Gate
                    Main Terminal 2

       Revised August 2012

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and all liability, including without limitation consequential or incidental damages. Comset Semiconductors' products are not authorized for use as
critical components in life support devices or systems.

www.comsetsemi.com  COMSET SEMICONDUCTORS  info@comsetsemi.com
26/09/2012                                                                   3|3
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