电子工程世界电子工程世界电子工程世界

产品描述

搜索
 

BT138F-600F

器件型号:BT138F-600F
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
厂商官网:https://www.nxp.com/
下载文档

器件描述

DIODE ZENER TRIPLE BI-DIRECTIONAL 200mW 24Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.05uA-Ir 18.2 SOT-363 3K/REEL

文档预览

BT138F-600F器件文档内容

Philips Semiconductors                                                                   Product specification

Triacs                                                                                   BT138F series

GENERAL DESCRIPTION                      QUICK REFERENCE DATA

Glass passivated triacs in a full pack   SYMBOL PARAMETER                              MAX. MAX. MAX. UNIT

plastic envelope, intended for use in

applications   requiring          high                                       BT138F- 500 600 800

bidirectional transient and blocking                                         BT138F- 500F 600F 800F

voltage capability and high thermal                                          BT138F- 500G 600G 800G

cycling performance. Typical             VDRM         Repetitive peak off-state        500 600 800 V
                                         IT(RMS)
applications include motor control,      ITSM         voltages

industrial and domestic lighting,                     RMS on-state current             12 12 12 A

heating and static switching.                         Non-repetitive peak on-state 90 90 90 A

                                                      current

PINNING - SOT186                         PIN CONFIGURATION                       SYMBOL

PIN            DESCRIPTION

                                                      case

1 main terminal 1

                                                                                   T2                T1

2 main terminal 2

3 gate

case isolated                                               12 3                                     G

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).

SYMBOL PARAMETER                         CONDITIONS                          MIN.        MAX.        UNIT
                                                                                         -600
VDRM          Repetitive peak off-state                                      -     -500  6001  -800    V
IT(RMS)                                                                            5001        800
ITSM                                                                                                   A
I2t           voltages
dIT/dt                                                                                                 A
              RMS on-state current       full sine wave; Ths  56 C          -           12            A
IGM           Non-repetitive peak                                                                     A2s
VGM           on-state current           full sine wave; Tj = 125 C prior
PGM                                      to surge; with reapplied VDRM(max)                          A/s
PG(AV)                                   t = 20 ms                           -           90          A/s
Tstg                                                                                     100         A/s
Tj            I2t for fusing             t = 16.7 ms                         -           40          A/s

                                         t = 10 ms                           -                         A
                                                                                                       V
              Repetitive rate of rise of ITM = 20 A; IG = 0.2 A;                                       W
              on-state current after     dIG/dt = 0.2 A/s                                             W
                                                                                                      C
              triggering                                          T2+ G+     -           50           C
                                                                                         50
                                                                  T2+ G-     -           50
                                                                                         10
                                                                  T2- G-     -            2
                                                                                          5
                                                                  T2- G+     -            5
                                                                                         0.5
              Peak gate current                                              -           150
                                                                                         125
              Peak gate voltage                                              -

              Peak gate power                                                -

              Average gate power         over any 20 ms period               -

              Storage temperature                                            -40

              Operating junction                                             -

              temperature

1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/s.

February 1996                                               1                                        Rev 1.100
Philips Semiconductors                                                           Product specification

Triacs                                                                           BT138F series

ISOLATION LIMITING VALUE & CHARACTERISTIC

Ths = 25 C unless otherwise specified  CONDITIONS                            MIN. TYP. MAX. UNIT
SYMBOL PARAMETER

Visol     Repetitive peak voltage from all R.H.  65% ; clean and dustfree     -        1500 V

          three terminals to external

          heatsink

Cisol     Capacitance from T2 to external f = 1 MHz                           -  12    -     pF

          heatsink

THERMAL RESISTANCES

SYMBOL PARAMETER                        CONDITIONS                            MIN. TYP. MAX. UNIT

Rth j-hs  Thermal resistance            full or half cycle                    -  -     4.0 K/W
          junction to heatsink          with heatsink compound
                                        without heatsink compound
                                        in free air                           -  -     5.5 K/W

Rth j-a   Thermal resistance                                                  -  55    - K/W
          junction to ambient

STATIC CHARACTERISTICS

Tj = 25 C unless otherwise stated      CONDITIONS                 MIN. TYP.     MAX.        UNIT
SYMBOL PARAMETER

                                                     BT138F-                  ... ...F ...G

IGT       Gate trigger current          VD = 12 V; IT = 0.1 A

                                                     T2+ G+        -  5       35 25 50 mA

                                                     T2+ G-        -  8       35 25 50 mA

                                                     T2- G-        -  10 35 25 50 mA

                                                     T2- G+        -  22 70 70 100 mA

IL        Latching current              VD = 12 V; IGT = 0.1 A

                                                     T2+ G+        -  7       40 40 60 mA

                                                     T2+ G-        -  20 60 60 90 mA

                                                     T2- G-        -  8       40 40 60 mA

                                                     T2- G+        -  10 60 60 90 mA

IH        Holding current               VD = 12 V; IGT = 0.1 A     -  6       30 30 60 mA

VT        On-state voltage              IT = 15 A                  -  1.4        1.65        V

VGT       Gate trigger voltage          VD = 12 V; IT = 0.1 A      -  0.7        1.5         V

                                        VD = 400 V; IT = 0.1 A;    0.25 0.4      -           V

ID                                      Tj = 125 C
          Off-state leakage current VD = VDRM(max);                -  0.1        0.5         mA

                                        Tj = 125 C

February 1996                                        2                                       Rev 1.100
Philips Semiconductors                                                       Product specification

Triacs                                                                       BT138F series

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Tj = 25 C unless otherwise stated  CONDITIONS                      MIN.     TYP. MAX. UNIT
SYMBOL PARAMETER

                                                     BT138F- ... ...F ...G

dVD/dt  Critical rate of change of VDM = 67% VDRM(max);          100 50 200 250  - V/s

        off-state voltage           Tj = 125 C; exponential

                                    waveform; gate open

                                    circuit

dVcom/dt Critical rate of change of VDM = 400 V; Tj = 95 C;     -  -     10 20  - V/s

        commutating voltage         IT(RMS) = 12 A;

                                    dIcom/dt = 5.4 A/ms; gate
                                    open circuit

tgt     Gate controlled turn-on ITM = 16 A; VD = VDRM(max); -       -     -  2   -  s

        time                        IG = 0.1 A; dIG/dt = 5 A/s

February 1996                                        3                              Rev 1.100
Philips Semiconductors                                                                                                           Product specification

Triacs                                                                                                                           BT138F series

20 Ptot / W                BT138                          Ths(max) / C 45              IT(RMS) / A                BT138X
15                                                                                 15                                     56 C
10             1                                             = 180                 10

5                                                           120       65

                                                             90

                                                             60
                                                                            85

                                                             30

                                                                                   5

                                                                       105

0                                                                      125         0-50

   0           5                                  10                   15                              0          50                100  150

                        IT(RMS) / A                                                                               Ths / C

Fig.1. Maximum on-state dissipation, Ptot, versus rms                              Fig.4. Maximum permissible rms current IT(RMS) ,
on-state current, IT(RMS), where  = conduction angle.                                        versus heatsink temperature Ths.

1000 ITSM / A                          BT138                                              IT(RMS) / A             BT138
                                                                                      25

                                                                                      20

                                                                                      15

100                                                                                   10
                         dIT/dt limit

                                              IT             ITSM

               T2- G+ quadrant

                                                       T         time                 5

                                              Tj initial = 125 C max

   10          100us                   1ms             10ms            100ms          0
    10us                                                                              0.01                   0.1                 1       10

                                       T/s                                                                   surge duration / s

Fig.2. Maximum permissible non-repetitive peak                                     Fig.5. Maximum permissible repetitive rms on-state
  on-state current ITSM, versus pulse width tp, for                                 current IT(RMS), versus surge duration, for sinusoidal
            sinusoidal currents, tp  20ms.
                                                                                                 currents, f = 50 Hz; Ths  56C.

100 ITSM / A                           BT138                                              VGT(Tj)
80                                                                                1.6 VGT(25 C)
60                                                                                                               BT136

                                              IT             ITSM

                                                       T         time              1.4

                                              Tj initial = 125 C max               1.2

                                                                                      1

40

                                                                                   0.8

20                                                                                 0.6

   01          10                                 100                  1000        0.4-50                 0       50                100  150
                                                                                                                  Tj / C
               Number of cycles at 50Hz

Fig.3. Maximum permissible non-repetitive peak                                            Fig.6. Normalised gate trigger voltage
on-state current ITSM, versus number of cycles, for                                VGT(Tj)/ VGT(25C), versus junction temperature Tj.

            sinusoidal currents, f = 50 Hz.

February 1996                                                                   4                                                        Rev 1.100
Philips Semiconductors                                                                                       Product specification

Triacs                                                                                                       BT138F series

       IGT(Tj)          BT138                                   IT / A                         BT138                  max
     IGT(25 C)                                              40                                       typ
  3
                                T2+ G+                            Tj = 125 C
2.5                             T2+ G-                              Tj = 25 C

  2                             T2- G-                      30 Vo = 1.175 V
                                T2- G+
                                                                   Rs = 0.0316 Ohms
1.5
                                                            20

1

                                                            10

0.5

0                                                           0   0     0.5            1           1.5         2        2.5     3
-50              0      50      100     150
                        Tj / C
                                                                                               VT / V

      Fig.7. Normalised gate trigger current                Fig.10. Typical and maximum on-state characteristic.
IGT(Tj)/ IGT(25C), versus junction temperature Tj.

    IL(Tj)                                                      10 Zth j-hs (K/W)                BT138
  IL(25 C)
3                       TRIAC

                                                                      with heatsink compound

                                                                      without heatsink compound

2.5                                                                1

2                                                                              unidirectional          bidirectional

1.5                                                         0.1

1                                                                                                         P  tp
                                                                                                          D

                                                            0.01

0.5                                                                                                                        t

    0                                                       0.001
    -50                                                         10us 0.1ms 1ms 10ms 0.1s                              1s      10s
                 0      50      100     150
Fig.8.                  Tj / C                                                           tp / s

          Normalised latching current IL(Tj)/ IL(25C),     Fig.11. Transient thermal impedance Zth j-hs, versus
            versus junction temperature Tj.                                         pulse width tp.

         IH(Tj)         TRIAC                               1000 dV/dt (V/us)
     3 IH(25C)                                               100
                                                                                                                off-state dV/dt limit
2.5
                                                                                                                      BT138...G SERIES
     2
                                                                                                                        BT138 SERIES
                                                                                                                      BT138...F SERIES

1.5                                                                  dIcom/dt =
                                                                        15 A/ms 12 9.1 7 5.4 4.2
     1
                                                            10

0.5

     0                                                      1
     -50         0      50      100     150                     0                    50                      100              150

                        Tj / C                                                                 Tj / C

Fig.9. Normalised holding current IH(Tj)/ IH(25C),          Fig.12. Typical commutation dV/dt versus junction
            versus junction temperature Tj.                 temperature, parameter commutation dIT/dt. The triac
                                                            should commutate when the dV/dt is below the value
                                                            on the appropriate curve for pre-commutation dIT/dt.

February 1996                                            5                                                                    Rev 1.100
Philips Semiconductors                                         Product specification

Triacs                                                         BT138F series

MECHANICAL DATA                     10.2                       4.4
                                    max                        max
Dimensions in mm                   5.7
Net Mass: 2 g                      max                                      2.9 max

                                     3.2     0.9                          7.9
                                     3.0     0.5                          7.5

                                                   4.4                                 17
                                                   4.0                                max

                                                 seating
                                                 plane

                           3.5 max             4.4
                        not tinned
                                                         13.5
                                    12 3                 min

                        0.4 M                0.9
                                             0.7
                                    5.08     2.54              0.55 max
                                                               1.3
                                              top view

                                        Fig.13. SOT186; The seating plane is electrically isolated from all terminals.

Notes
1. Accessories supplied on request: refer to mounting instructions for F-pack envelopes.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".

February 1996                             6                    Rev 1.100
Philips Semiconductors     Product specification

Triacs                     BT138F series

DEFINITIONS

Data sheet status

Objective specification This data sheet contains target or goal specifications for product development.

Preliminary specification This data sheet contains preliminary data; supplementary data may be published later.

Product specification This data sheet contains final product specifications.

Limiting values

Limiting values are given in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Stress above one
or more of the limiting values may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and
operation of the device at these or at any other conditions above those given in the Characteristics sections of
this specification is not implied. Exposure to limiting values for extended periods may affect device reliability.

Application information

Where application information is given, it is advisory and does not form part of the specification.

Philips Electronics N.V. 1996

All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written consent of the
copyright owner.

The information presented in this document does not form part of any quotation or contract, it is believed to be
accurate and reliable and may be changed without notice. No liability will be accepted by the publisher for any
consequence of its use. Publication thereof does not convey nor imply any license under patent or other
industrial or intellectual property rights.

LIFE SUPPORT APPLICATIONS

These products are not designed for use in life support appliances, devices or systems where malfunction of these
products can be reasonably expected to result in personal injury. Philips customers using or selling these products
for use in such applications do so at their own risk and agree to fully indemnify Philips for any damages resulting
from such improper use or sale.

February 1996           7  Rev 1.100
This datasheet has been downloaded from:
             www.EEworld.com.cn

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.EEworld.com.cn

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright Each Manufacturing Company
小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved