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BT137S-500

器件型号:BT137S-500
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
厂商官网:https://www.nxp.com/
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器件描述

DIODE ZENER DUAL ISOLATED 200mW 16.2Vz 5mA-Izt 0.0556 0.1uA-Ir 11.2 SOT-363 3K/REEL

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BT137S-500器件文档内容

Philips Semiconductors                                                                     Product specification

Triacs                                                                                     BT137S series

                                                                                               BT137M series

GENERAL DESCRIPTION                      QUICK REFERENCE DATA

Glass passivated triacs in a plastic     SYMBOL PARAMETER                               MAX. MAX. MAX. UNIT

envelope, suitable for surface

mounting, intended for use in                                  BT137S (or BT137M)- 500 600 800

applications  requiring           high                         BT137S (or BT137M)- 500F 600F 800F

bidirectional transient and blocking                           BT137S (or BT137M)- 500G 600G 800G

voltage capability and high thermal      VDRM         Repetitive peak off-state         500 600 800 V
                                         IT(RMS)
cycling performance. Typical             ITSM         voltages

applications include motor control,                   RMS on-state current              8     8  8A

industrial and domestic lighting,                     Non-repetitive peak on-state 65 65 65 A

heating and static switching.                         current

PINNING - SOT428                         PIN CONFIGURATION                       SYMBOL

PIN Standard Alternative                                 tab

NUMBER        S                M

1             MT1              gate                                                 T2                 T1

2             MT2              MT2

3             gate             MT1                          2                                          G

tab           MT2              MT2                    1        3

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).

SYMBOL PARAMETER                         CONDITIONS                           MIN.         MAX.        UNIT
                                                                                           -600
VDRM          Repetitive peak off-state                                       -     -500   6001  -800    V
IT(RMS)                                                                             5001         800
ITSM                                                                                                     A
I2t           voltages
dIT/dt                                                                                                   A
              RMS on-state current       full sine wave; Tmb  102 C          -            8             A
IGM           Non-repetitive peak                                                                       A2s
VGM           on-state current           full sine wave; Tj = 25 C prior to
PGM                                      surge                                                         A/s
PG(AV)                                                                                                 A/s
Tstg                                     t = 20 ms                            -            65          A/s
Tj                                                                                         71          A/s
              I2t for fusing             t = 16.7 ms                          -            21
                                                                                                         A
                                         t = 10 ms                            -                          V
                                                                                                         W
              Repetitive rate of rise of ITM = 12 A; IG = 0.2 A;                                         W
              on-state current after     dIG/dt = 0.2 A/s                                              C
                                                                                                        C
              triggering                                          T2+ G+      -            50
                                                                                           50
                                                                  T2+ G-      -            50
                                                                                           10
                                                                  T2- G-      -             2
                                                                                            5
                                                                  T2- G+      -             5
                                                                                           0.5
              Peak gate current                                               -            150
                                                                                           125
              Peak gate voltage                                               -

              Peak gate power                                                 -

              Average gate power         over any 20 ms period                -

              Storage temperature                                             -40

              Operating junction                                              -

              temperature

1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 6 A/s.

October 1997                                             1                                             Rev 1.200
Philips Semiconductors                                                             Product specification

Triacs                                                                            BT137S series

                                                                                     BT137M series

THERMAL RESISTANCES

SYMBOL PARAMETER                    CONDITIONS                              MIN.  TYP.  MAX.  UNIT

Rth j-mb  Thermal resistance        full cycle                              -       -    2.0  K/W
Rth j-a                                                                             -    2.4  K/W
          junction to mounting base half cycle                              -      75         K/W
                                                                                           -
          Thermal resistance        pcb (FR4) mounted; footprint as in Fig.14 -

          junction to ambient

STATIC CHARACTERISTICS              CONDITIONS                   MIN. TYP.        MAX.        UNIT

Tj = 25 C unless otherwise stated
SYMBOL PARAMETER

                                    BT137S-(or BT137M)                      ... ...F ...G

IGT       Gate trigger current      VD = 12 V; IT = 0.1 A

                                                     T2+ G+      -  5       35 25 50 mA

                                                     T2+ G-      -  8       35 25 50 mA

                                                     T2- G-      -  11 35 25 50 mA

                                                     T2- G+      -  30 70 70 100 mA

IL        Latching current          VD = 12 V; IGT = 0.1 A

                                                     T2+ G+      -  7       30 30 45 mA

                                                     T2+ G-      -  16 45 45 60 mA

                                                     T2- G-      -  5       30 30 45 mA

                                                     T2- G+      -  7       45 45 60 mA

IH        Holding current           VD = 12 V; IGT = 0.1 A       -  5       20 20 40 mA

VT        On-state voltage          IT = 10 A                    -  1.3           1.65        V

VGT       Gate trigger voltage      VD = 12 V; IT = 0.1 A        -  0.7           1.5         V

                                    VD = 400 V; IT = 0.1 A;      0.25 0.4         -           V

ID                                  Tj = 125 C
          Off-state leakage current VD = VDRM(max);              -  0.1           0.5         mA

                                    Tj = 125 C

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Tj = 25 C unless otherwise stated  CONDITIONS                      MIN.          TYP. MAX. UNIT
SYMBOL PARAMETER

                                    BT137S-(or BT137M) ... ...F ...G

dVD/dt    Critical rate of rise of  VDM = 67% VDRM(max);         100 50 200 250         - V/s
          off-state voltage
                                    Tj = 125 C; exponential
                                    waveform; gate open

                                    circuit

dVcom/dt Critical rate of change of VDM = 400 V; Tj = 95 C;     -  -       10 20       - V/s

          commutating voltage       IT(RMS) = 8 A;

                                    dIcom/dt = 3.6 A/ms; gate
                                    open circuit

tgt       Gate controlled turn-on ITM = 12 A; VD = VDRM(max); -     -       -     2     -     s

          time                      IG = 0.1 A; dIG/dt = 5 A/s

October 1997                                         2                                     Rev 1.200
Philips Semiconductors                                                                                                              Product specification

Triacs                                                                                                                             BT137S series

                                                                                                                                      BT137M series

12 Ptot / W                   BT137                         Tmb(max) / C                  IT(RMS) / A               BT137
10                                                                = 180 101           10
                  1
8                                                             120        105          8                                                   102 C
6
                                                               90

                                                                              109     6
                                                               60

                                                               30         113

                                                                                      4

4                                                                         117

2                                                                         121         2

0                                                                         125         0-50               0          50                100         150

    0          2         4                    6             8            10

                         IT(RMS) / A                                                                                Tmb / C

Fig.1. Maximum on-state dissipation, Ptot, versus rms                                 Fig.4. Maximum permissible rms current IT(RMS) ,
on-state current, IT(RMS), where  = conduction angle.                                      versus mounting base temperature Tmb.

1000 ITSM / A                            BBTT113377                                      25 IT(RMS) / A             BT137
                                                     IT
                                                                    ITSM

                                                                    time                 20

                                                  Tj initial = 25 C max

                                                                                         15

100                                                                                      10
                           dIT/dt limit

                   T2- G+ quadrant

                                                                                         5

    10            100us                  1ms             10ms            100ms           0
     10us                                T/s                                             0.01                  0.1                 1              10

                                                                                                               surge duration / s

Fig.2. Maximum permissible non-repetitive peak                                        Fig.5. Maximum permissible repetitive rms on-state
  on-state current ITSM, versus pulse width tp, for                                    current IT(RMS), versus surge duration, for sinusoidal
            sinusoidal currents, tp  20ms.
                                                                                                   currents, f = 50 Hz; Tmb  102C.

80 ITSM / A                 BT137                                                            VGT(Tj)
70                                                                                    1.6 VGT(25 C)
60                                                                                                                  BT136
50
                                              IT               ITSM

                                                         T         time               1.4

                                              Tj initial = 25 C max                   1.2

40                                                                                       1

30

                                                                                      0.8

20

10                                                                                    0.6

01                10                              100                    1000         0.4-50                0       50                100         150
                                                                                                                    Tj / C
                  Number of cycles at 50Hz

Fig.3. Maximum permissible non-repetitive peak                                               Fig.6. Normalised gate trigger voltage
on-state current ITSM, versus number of cycles, for                                   VGT(Tj)/ VGT(25C), versus junction temperature Tj.

            sinusoidal currents, f = 50 Hz.

October 1997                                                                       3                                                              Rev 1.200
Philips Semiconductors                                                                                   Product specification

Triacs                                                                                                  BT137S series

                                                                                                           BT137M series

       IGT(Tj)          BT137                               25 IT / A                    BT137
     IGT(25 C)                                                    Tj = 125 C               typ
  3                             T2+ G+                              Tj = 25 C                                max
                                T2+ G-
2.5                                                         20
                                T2- G-
  2                             T2- G+                              Vo = 1.264 V
                                                                   Rs = 0.0378 Ohms

                                                            15

1.5

                                                            10

1

0.5                                                         5

0                                                           0   0  0.5               1   1.5            2              2.5     3
-50              0      50      100     150
                        Tj / C                                                           VT / V

      Fig.7. Normalised gate trigger current                Fig.10. Typical and maximum on-state characteristic.
IGT(Tj)/ IGT(25C), versus junction temperature Tj.

    IL(Tj)                                                      Zth j-mb (K/W)           BT137
  IL(25 C)                                                  10
3                       TRIAC

2.5                                                                                  unidirectional

                                                                1                                       bidirectional

2

1.5

1                                                           0.1                                      P  tp
                                                                                                     D

0.5                                                                                                                         t

    0                                                       0.01
    -50                                                         10us 0.1ms 1ms 10ms 0.1s                               1s      10s
                 0      50      100     150
Fig.8.                  Tj / C
                                                                                         tp / s

          Normalised latching current IL(Tj)/ IL(25C),     Fig.11. Transient thermal impedance Zth j-mb, versus
            versus junction temperature Tj.                                         pulse width tp.

         IH(Tj)         TRIAC                               1000 dV/dt (V/us)
     3 IH(25C)                                               100
                                                                                                           off-state dV/dt limit
2.5
                                                                                                                 BT137...G SERIES
     2
                                                                                                                   BT137 SERIES
                                                                                                                 BT137...F SERIES

1.5                                                                dIcom/dt =
                                                                       10 A/ms
                                                                                     7.9 6.1 4.7 3.6 2.8
                                                            10
     1

0.5

     0                                                      1
     -50         0      50      100     150                     0                    50                 100                    150

                        Tj / C                                                           Tj / C

Fig.9. Normalised holding current IH(Tj)/ IH(25C),          Fig.12. Typical commutation dV/dt versus junction
            versus junction temperature Tj.                 temperature, parameter commutation dIT/dt. The triac
                                                            should commutate when the dV/dt is below the value
                                                            on the appropriate curve for pre-commutation dIT/dt.

October 1997                                             4                                                                     Rev 1.200
Philips Semiconductors                                                                                                              Product specification

Triacs                                                                                                                             BT137S series

                                                                                                                                      BT137M series

MECHANICAL DATA                                                                                                     seating plane

Dimensions in mm                    6.73 max  1.1               2.38 max                                                          5.4
Net Mass: 1.1 g

                                     tab                         0.93 max

                                               6.22 max                                                                  4 min
                                                           10.4 max                                                      4.6

                                  1  2                  0.5 min                          0.5
                                         3
                        2.285 (x2)             0.8 max               0.3
                                               (x2)                  0.5

                                     Fig.13. SOT428 : centre pin connected to tab.

MOUNTING INSTRUCTIONS

Dimensions in mm

                                                                                                               7.0

                                               7.0

                                               2.15                                                                 1.5

                                               2.5

                                                                                  4.57

                                   Fig.14. SOT428 : minimum pad sizes for surface mounting.

Notes
1. Plastic meets UL94 V0 at 1/8".

October 1997                                   5                                                                                        Rev 1.200
Philips Semiconductors      Product specification

Triacs                     BT137S series

                              BT137M series

DEFINITIONS

Data sheet status

Objective specification This data sheet contains target or goal specifications for product development.

Preliminary specification This data sheet contains preliminary data; supplementary data may be published later.

Product specification This data sheet contains final product specifications.

Limiting values

Limiting values are given in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Stress above one
or more of the limiting values may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and
operation of the device at these or at any other conditions above those given in the Characteristics sections of
this specification is not implied. Exposure to limiting values for extended periods may affect device reliability.

Application information

Where application information is given, it is advisory and does not form part of the specification.

Philips Electronics N.V. 1997

All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written consent of the
copyright owner.

The information presented in this document does not form part of any quotation or contract, it is believed to be
accurate and reliable and may be changed without notice. No liability will be accepted by the publisher for any
consequence of its use. Publication thereof does not convey nor imply any license under patent or other
industrial or intellectual property rights.

LIFE SUPPORT APPLICATIONS

These products are not designed for use in life support appliances, devices or systems where malfunction of these
products can be reasonably expected to result in personal injury. Philips customers using or selling these products
for use in such applications do so at their own risk and agree to fully indemnify Philips for any damages resulting
from such improper use or sale.

October 1997            6  Rev 1.200
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