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BSS138W

器件型号:BSS138W
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:SILIKRON
厂商官网:www.silikron.com
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器件描述

300 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

300 mA, 50 V, N沟道, 硅, 小信号, 场效应管

参数
BSS138W端子数量 3
BSS138W最小击穿电压 50 V
BSS138W加工封装描述 ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
BSS138W状态 ACTIVE
BSS138W包装形状 RECTANGULAR
BSS138W包装尺寸 SMALL OUTLINE
BSS138W表面贴装 Yes
BSS138W端子形式 GULL WING
BSS138W端子位置 DUAL
BSS138W包装材料 PLASTIC/EPOXY
BSS138W结构 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
BSS138W元件数量 1
BSS138W晶体管应用 SWITCHING
BSS138W晶体管元件材料 SILICON
BSS138W最大环境功耗 0.3500 W
BSS138W通道类型 N-CHANNEL
BSS138W场效应晶体管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
BSS138W操作模式 ENHANCEMENT
BSS138W晶体管类型 GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL
BSS138W最大漏电流 0.3000 A
BSS138W反馈电容 5 pF
BSS138W最大漏极导通电阻 3 ohm

BSS138W器件文档内容

                                                                         BSS138W

Main Product Characteristics:

VDSS            50V

RDS(on) 1.4 (typ.)

     ID         0.2A

                                               SOT-323  Marking and Pin  Schematic Diagram
                                                          Assignment

Features and Benefits:

Advanced MOSFET process technology
Special designed for PWM, load switching and

      general purpose applications
Ultra low on-resistance with low gate charge
Fast switching and reverse body recovery
ESD Rating1000V HBM
150 operating temperature

Description:

  It utilizes the latest processing techniques to achieve the high cell density and reduces the on-resistance with
  high repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable
  device for use in power switching application and a wide variety of other applications.

Absolute Max Rating:

   Symbol       Parameter                                                    Max.     Units
ID @ TC = 25C  Continuous Drain Current, VGS @ 10V                           0.2       A
IDM             Pulsed Drain Current                                          0.8       W
PD @TC = 25C   Power Dissipation                                             0.2       V
VDS             Drain-Source Voltage                                          50        V
VGS             Gate-to-Source Voltage                                        20       C
TJ TSTG         Operating Junction and Storage Temperature Range         -55 to +150
                                                                                      Units
Thermal Resistance                                                                    /W

Symbol          Characteristics                                   Typ.   Max.

RJA             Junction-to-ambient (t  10s)                      --     625

Silikron Semiconductor CO., LTD.        2013.11.05     Version: 1.1                  page 1 of 6
                                   www.silikron.com
Electrical Characteristics @TA=25 unless otherwise specified                                          BSS138W

Symbol Parameter                            Min.                         Typ.   Max.  Units         Conditions
                                                                            --   --     V           VGS = 0V, ID = 250A
V(BR)DSS Drain-to-Source breakdown voltage  50                             1.4   3.5                VGS=10V, ID=0.22A
                                                                          1.57    6     V           VGS=4.5V, ID=0.22A
                                                                     --     --   1.5   A            VDS = VGS, ID = 250A
RDS(on) Static Drain-to-Source on-resistance                                --    1    nA           VDS = 50V,VGS = 0V
                                                                            --         uA           VGS=5V,VDS=0V
                                                                     --     --  100    ns          VGS=20V,VDS=0V
                                                                            --  10                 VGS=10V, VDS=30V,
VGS(th) Gate threshold voltage              0.7                             --   20    pF           ID=0.2A,RGEN=50
                                                                            30   20                 VGS = 0V
IDSS      Drain-to-Source leakage current   --                             7.8   --                 VDS = 10V
                                                                           3.1   --                  = 1MHz
IGSS      Gate-to-Source forward leakage    --                                   --

                                            --

td(on)    Turn-on delay time                --

td(off)   Turn-Off delay time               --

Ciss      Input capacitance                 --

Coss      Output capacitance                --

Crss      Reverse transfer capacitance      --

Source-Drain Ratings and Characteristics

  Symbol                Parameter           Min.                         Typ.   Max.  Units                  Conditions
IS        Continuous Source Current          --                           --     0.2    A           MOSFET symbol
          (Body Diode)                                                                              showing the
ISM       Pulsed Source Current             --                           --     0.8     A           integral reverse
VSD       (Body Diode)                                                                  V           p-n junction diode.
          Diode Forward Voltage             --                           --     1.4                 IS=0.22A, VGS=0V

Silikron Semiconductor CO., LTD.                 2013.11.05                          Version: 1.1  page 2 of 6
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                                                                   BSS138W

Test circuits and Waveforms        Gate charge test circuit

EAS Test Circuit

Switching Time Test Circuit        Switching Waveforms

Notes:

Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature.
Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
The power dissipation PD is based on max. junction temperature, using junction-to-case thermal

   resistance.
The value of RJA is measured with the device mounted on 1 in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a

   still air environment with TA =25C

Silikron Semiconductor CO., LTD.        2013.11.05  Version: 1.1  page 3 of 6
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Mechanical Data

SOT-323(SC-70) PACKAGE OUTLINE DIMENSION

Silikron Semiconductor CO., LTD.        2013.11.05  Version: 1.1  page 4 of 6
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Ordering and Marking Information

Device Marking: 138W

                                          Package (Available)
                                                    SOT-323

                                   Operating Temperature Range
                                              C : -55 to 150 C

Devices per Unit

Package Units/     Tapes/Inner     Units/Inner       Inner                Units/
                   Box             Box               Boxes/Carton         Carton
Type         Tape                                    Box                  Box
                   10              30000
SOT-323 3000                                         12                   360000

Reliability Test Program

Test Item    Conditions            Duration          Sample Size

High         Tj=125 to 150 @       168 hours         3 lots x 77 devices
Temperature  80% of Max            500 hours
Reverse      VDSS/VCES/VR          1000 hours
Bias(HTRB)
High         Tj=150 @ 100% of      168 hours 3 lots x 77 devices
Temperature  Max VGSS              500 hours
Gate                               1000 hours
Bias(HTGB)

Silikron Semiconductor CO., LTD.        2013.11.05  Version: 1.1         page 5 of 6
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ATTENTION:

Any and all Silikron products described or contained herein do not have specifications that can handle applications

      that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's control systems, or other
      applications whose failure can be reasonably expected to result in serious physical and/or material damage.
      Consult with your Silikron representative nearest you before using any Silikron products described or contained
      herein in such applications.

Silikron assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that exceed,

      even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other parameters) listed
      in products specifications of any and all Silikron products described or contained herein.
Specifications of any and all Silikron products described or contained herein stipulate the performance,
      characteristics, and functions of the described products in the independent state, and are not guarantees of the
      performance, characteristics, and functions of the described products as mounted in the customer's products or
      equipment. To verify symptoms and states that cannot be evaluated in an independent device, the customer
      should always evaluate and test devices mounted in the customer's products or equipment.
Silikron Semiconductor CO.,LTD. strives to supply high-quality high-reliability products. However, any and all
      semiconductor products fail with some probability. It is possible that these probabilistic failures could give rise to
      accidents or events that could endanger human lives, that could give rise to smoke or fire, or that could cause
      damage to other property. When designing equipment, adopt safety measures so that these kinds of accidents or
      events cannot occur. Such measures include but are not limited to protective circuits and error prevention circuits for
      safe design, redundant design, and structural design.
In the event that any or all Silikron products(including technical data, services) described or contained herein are
      controlled under any of applicable local export control laws and regulations, such products must not be exported
      without obtaining the export license from the authorities concerned in accordance with the above law.
No part of this publication may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronic or mechanical,
      including photocopying and recording, or any information storage or retrieval system, or otherwise, without the prior
      written permission of Silikron Semiconductor CO.,LTD.
Information (including circuit diagrams and circuit parameters) herein is for example only ; it is not guaranteed for
      volume production. Silikron believes information herein is accurate and reliable, but no guarantees are made or
      implied regarding its use or any infringements of intellectual property rights or other rights of third parties.
Any and all information described or contained herein are subject to change without notice due to
      product/technology improvement, etc. When designing equipment, refer to the "Delivery Specification" for the
      Silikron product that you intend to use.

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Technical Support:
Technical@silikron.com
Suzhou Silikron Semiconductor Corp.
Building 11A Suchun Industrial Square, 428# Xinglong Street, Suzhou P.R. China
TEL: (86-512) 62560688
FAX: (86-512) 65160705
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