电子工程世界电子工程世界电子工程世界

产品描述

搜索
 

BSS138

器件型号:BSS138
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:SILIKRON
厂商官网:www.silikron.com
下载文档 在线购买

BSS138在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
BSS138 ¥1.77 1 点击查看 点击购买

器件描述

SMALL SIGNAL, FET

小信号, 场效应晶体管

参数
BSS138状态 ACTIVE
BSS138晶体管类型 通用小信号

文档预览

BSS138器件文档内容

GENERAL FEATURES                                                                                            BSS138

VDS = 50V,ID = 0.22A                                                                             Schematic diagram

    RDS(ON) < 6 @ VGS=4.5V
    RDS(ON) < 3.5 @ VGS=10V

    ESD Rating1000V HBM

High Power and current handing capability
Lead free product is acquired
Surface Mount Package

APPLICATION                                                                                       Marking and pin Assignment

Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS
Drivers: Relays, Solenoids, Lamps,

   Hammers,Display, Memories, Transistors, etc.
Battery Operated Systems
Solid-State Relays

                                                                                                  SOT-23 top view

PACKAGE MARKING AND ORDERING INFORMATION

Device Marking        Device      Device Package Reel Size                                        Tape width       Quantity

BSS138                BSS138                     SOT-23     180mm                                     8 mm        3000 units

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25unless otherwise noted)

                      Parameter                             Symbol                                  Limit                     Unit

Drain-Source Voltage                                                VDS                                50                       V
                                                                                                      20                       V
Gate-Source Voltage                                                 VGS                               0.22                      A
                                                                                                      0.88                      A
                                                                                              ID      0.36                      W
                                                                                                  -55 To 150                  
Drain Current-Continuous@ Current-Pulsed (Note 1)

                                                                                             IDM

Maximum Power Dissipation                                           PD

Operating Junction and Storage Temperature Range            TJ,TSTG

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2)                     RJA                                       350              /W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25unless otherwise noted)

        Parameter                                Symbol     Condition                             Min Typ Max Unit

OFF CHARACTERISTICS

Drain-Source Breakdown Voltage                    BVDSS     VGS=0V ID=250A                        50                                V

Silikron Semiconductor CO.,LTD.                         1          http://www.silikron.com                                   v1.0
                                                                                                              BSS138

                                                          VDS=30V,VGS=0V                                           100        nA
                                    IDSS
Zero Gate Voltage Drain Current                                                                                    1          A
Gate-Body Leakage Current                                 VDS=50V,VGS=0V

                                    IGSS                                       VGS=20V,VDS=0V                     10         uA

Gate-Source Breakdown Voltage       BVGSO                                      VDS=0V, IG=250uA         20                  V

ON CHARACTERISTICS (Note 3)

Gate Threshold Voltage              VGS(th)                                    VDS=VGS,ID=1mA            0.8       1.5        V
Drain-Source On-State Resistance    RDS(ON)
                                                                               VGS=10V, ID=0.22A                   3.5
                                                                                                                                 
                                                                               VGS=4.5V, ID=0.22A
                                                                                                                    6

Forward Transconductance            gFS                                        VDS=10V,ID=0.22A               0.1             S

DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note4)

Input Capacitance                   Clss                                                                      30

Output Capacitance                  Coss                                       VDS=25V,VGS=0V,                15              PF
                                                                                    F=1.0MHz

Reverse Transfer Capacitance        Crss                                                                      6

SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4)

Turn-on Delay Time                  td(on)                                                                    2.6

TurnOn Rise Time                   tr                                         VDD=30V,VGS=10V,               9
Turn-Off Delay Time
                                                                               RGEN=6ID=0.22A                                 nS

                                    td(off)                                                                   20

TurnOff Fall Time                  tf                                                                        6

Total Gate Charge                   Qg                                                                        1.7  2.4
GateSource Charge
                                    Qgs                                        VDS=25V,ID=0.22A,VGS=10V       0.1             nC

GateDrain Charge                   Qgd                                                                       0.4

DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS

Diode Forward Voltage (Note 3)      VSD                                        VGS=0V,IS=0.44A                     1.4        V

NOTES:

1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
2. Surface Mounted on FR4 Board, t  10 sec.
3. Pulse Test: Pulse Width  300s, Duty Cycle  2%.
4. Guaranteed by design, not subject to production testing.

Silikron Semiconductor CO.,LTD.                                            2  http://www.silikron.com                  v1.0
                                                                                                                                 BSS138

TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS

                                             Vdd                                                        ton                      toff
                                                                                                           tr                      tf
                                                                                        td(on)                 td(off)
                                                Rl
                                  Vin                                                  VOUT
                                          D             Vout
                                                                                        VIN                      90%        90%
                       Vgs  Rgen                                                                                                 10%
                                                                                                   10%            INVERTED
                                       G
                                                                                                        10%

                                             S                                                                                   90%

                                                                                                        50%                 50%

                                                                                                               PULSE WIDTH

                       Figure 1:Switching Test Circuit                                                  Figure 2:Switching Waveforms

PD Power(W)                                                     ID- Drain Current (A

                            TJ-Junction Temperature()                                                   TJ-Junction Temperature()

                       Figure 3 Power Dissipation                                                       Figure 4 Drain Current

ID- Drain Current (A)                                           Rdson On-Resistance()

                                  Vds Drain-Source Voltage (V)                                         ID- Drain Current (A)

                       Figure 5 Output CHARACTERISTICS                                 Figure 6 Drain-Source On-Resistance

Silikron Semiconductor CO.,LTD.                                3                                       http://www.silikron.com        v1.0
                                                                                                   BSS138

ID- Drain Current (A)                                               Normalized On-Resistance

                                    Vgs Gate-Source Voltage (V)                                              TJ-Junction Temperature()

                             Figure 7 Transfer Characteristics                                     Figure 8 Drain-Source On-Resistance

Rdson On-Resistance()                                               C Capacitance (pF)

                             Vgs Gate-Source Voltage (V)                                               Vds Drain-Source Voltage (V)

                             Figure 9 Rdson vs Vgs                                                 Figure 10 Capacitance vs Vds

Vgs Gate-Source Voltage (V)                                         Is- Reverse Drain Current (A)

                     Qg Gate Charge (nC)                                              Vsd Source-Drain Voltage (V)

            Figure 11 Gate Charge                                   Figure 12 Source- Drain Diode Forward

Silikron Semiconductor CO.,LTD.                                 4                                 http://www.silikron.com           v1.0
                                                                                BSS138ID- Drain Current (A)

r(t),Normalized Effective                                        Vds Drain-Source Voltage (V)
   Transient Thermal Impedance
                                                       Figure 13 Safe Operation Area

                                                             Square Wave Pluse Duration(sec)

                                Figure 14 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

Silikron Semiconductor CO.,LTD.                       5  http://www.silikron.com  v1.0
                                          BSS138

SOT-23 PACKAGE INFORMATION

                                                   Dimensions in Millimeters (UNIT:mm)

                                  Symbol  Dimensions in Millimeters

                                      A   MIN.                                                                         MAX.
                                     A1
                                     A2   0.900                                                                        1.150
                                      b
                                      c   0.000                                                                        0.100
                                     D
                                      E   0.900                                                                        1.050
                                     E1
                                      e   0.300                                                                        0.500
                                     e1
                                      L   0.080                                                                        0.150
                                     L1
                                          2.800                                                                        3.000

                                          1.200                                                                        1.400

                                          2.250                                                                        2.550

                                                 0.950TYP

                                          1.800                                                                        2.000

                                                 0.550REF

                                          0.300                                                                        0.500

                                          0                                                                           8

NOTES

1. All dimensions are in millimeters.
2. Tolerance 0.10mm (4 mil) unless otherwise specified
3. Package body sizes exclude mold flash and gate burrs. Mold flash at the non-lead sides should be less than 5 mils.
4. Dimension L is measured in gauge plane.
5. Controlling dimension is millimeter, converted inch dimensions are not necessarily exact.

Silikron Semiconductor CO.,LTD.  6           http://www.silikron.com                                                         v1.0
                                           BSS138

SOT 23 Tape and Reel Information

                                                    Dimensions in Millimeters (UNIT:mm)

NOTES

1. All dimensions are in millimeters.
2. 10 Sprocket hole pitch cumulative tolerance 0.20MAX
3. General tolerance 0.25

Silikron Semiconductor CO.,LTD.                         7  http://www.silikron.com  v1.0
                                                           BSS138

ATTENTION:

Any and all Silikron products described or contained herein do not have specifications that can handle applications that require

      extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's control systems, or other applications whose failure can
      be reasonably expected to result in serious physical and/or material damage. Consult with your Silikron
      representative nearest you before using any Silikron products described or contained herein in such applications.

Silikron assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that

      exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other parameters) listed in
      products specifications of any and all Silikron products described or contained herein.

Specifications of any and all Silikron products described or contained herein stipulate the performance, characteristics, and

      functions of the described products in the independent state, and are not guarantees of the performance, characteristics, and
      functions of the described products as mounted in the customer's products or equipment. To verify symptoms and states that
      cannot be evaluated in an independent device, the customer should always evaluate and test devices
      mounted in the customer's products or equipment.

Silikron Semiconductor CO.,LTD. strives to supply high-quality high-reliability products. However, any and all semiconductor

      products fail with some probability. It is possible that these probabilistic failures could give rise to
      accidents or events that could endanger human lives, that could give rise to smoke or fire, or that could cause damage to
      other property. When designing equipment, adopt safety measures so that these kinds of accidents or events cannot occur. Such
      measures include but are not limited to protective circuits and error prevention circuits for safe design, redundant design, and
      structural design.

In the event that any or all Silikron products(including technical data, services) described or contained herein are controlled under

      any of applicable local export control laws and regulations, such products must not be exported without obtaining the export
      license from the authorities concerned in accordance with the above law.

No part of this publication may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronic or mechanical, including

      photocopying and recording, or any information storage or retrieval system, or otherwise, without the prior written permission of
      Silikron Semiconductor CO.,LTD.

Information (including circuit diagrams and circuit parameters) herein is for example only ; it is not guaranteed for volume

      production. Silikron believes information herein is accurate and reliable, but no guarantees are made or implied regarding its use
      or any infringements of intellectual property rights or other rights of third parties.

Any and all information described or contained herein are subject to change without notice due to

      product/technology improvement, etc. When designing equipment, refer to the "Delivery Specification" for the Silikron product
      that you intend to use.

This catalog provides information as of Dec, 2008. Specifications and information herein are subject to change without notice.

Silikron Semiconductor CO.,LTD.  8  http://www.silikron.com  v1.0
This datasheet has been downloaded from:
             www.EEworld.com.cn

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.EEworld.com.cn

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright Each Manufacturing Company
小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved