电子工程世界电子工程世界电子工程世界

型号

产品描述

搜索
 

BSP613P

器件型号:BSP613P
器件类别:晶体管
文件大小:163.73KB,共0页
厂商名称:INFINEON [Infineon Technologies AG]
厂商官网:http://www.infineon.com/
下载文档

器件描述

2.9 A, 60 V, 0.13 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER,

2.9 A, 60 V, 0.13 ohm, P沟道, , POWER,

参数

BSP613P端子数量 4
BSP613P最小击穿电压 60 V
BSP613P加工封装描述 ROHS COMPLIANT, SOT-223, 4 PIN
BSP613P无铅 Yes
BSP613P欧盟RoHS规范 Yes
BSP613P中国RoHS规范 Yes
BSP613P状态 ACTIVE
BSP613P包装形状 RECTANGULAR
BSP613P包装尺寸 SMALL OUTLINE
BSP613P表面贴装 Yes
BSP613P端子形式 GULL WING
BSP613P端子涂层 MATTE TIN
BSP613P端子位置 DUAL
BSP613P包装材料 PLASTIC/EPOXY
BSP613P结构 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
BSP613P壳体连接 DRAIN
BSP613P元件数量 1
BSP613P晶体管应用 SWITCHING
BSP613P晶体管元件材料 SILICON
BSP613P最大环境功耗 1.8 W
BSP613P通道类型 P-CHANNEL
BSP613P场效应晶体管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
BSP613P操作模式 ENHANCEMENT
BSP613P晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER
BSP613P最大漏电流 2.9 A
BSP613P额定雪崩能量 150 mJ
BSP613P最大漏极导通电阻 0.1300 ohm
BSP613P最大漏电流脉冲 11.6 A

文档预览

BSP613P器件文档内容

                                                                                BSP613P

SIPMOS Small-Signal-Transistor                                    Product Summary

Feature                                                            VDS          -60 V
P-Channel
Enhancement mode                                                 RDS(on) 0.13
Avalanche rated
dv/dt rated                                                      ID           -2.9 A
Ideal for fast switching buck converter
                                                                        SOT-223

Type       Package        Ordering Code                                 Gate     Drain
BSP613P    SOT-223        Q67040-S4190                                  pin1     pin 2,4

                                                                                 Source
                                                                                 pin 3

Maximum Ratings, at Tj = 25 C, unless otherwise specified

Parameter                                               Symbol        Value      Unit
                                                                                 A
Continuous drain current                                ID             -2.9
                                                                       -2.3      mJ
TA=25C                                                               -11.6
                                                                                 kV/s
TA=70C                                                                150       V
                                                                                 W
Pulsed drain current                                    ID puls        0.18      C
                                                                        6
TA=25C                                                 EAS
                                                                       20
Avalanche energy, single pulse                          EAR             1.8
                                                        dv/dt
ID=2.9 A , VDD=-25V, RGS=25                                        -55... +150
                                                                   55/150/56
Avalanche energy, periodic limited by Tjmax
Reverse diode dv/dt

IS=2.9A, VDS=-48V, di/dt=-200A/s, Tjmax=150C          VGS
                                                        Ptot
Gate source voltage
Power dissipation                                       Tj , Tstg

TA=25C

Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1

                                                Page 1                          2004-06-02
                                                                               BSP613P

Thermal Characteristics                         Symbol                 Values      Unit
Parameter
                                                         min. typ. max.
Characteristics
Thermal resistance, junction - soldering point  RthJS    -             -       19 K/W
(Pin 4)
Thermal resistance, junction - ambient, leaded  RthJA    -             100     -
SMD version, device on PCB:                     RthJA

@ min. footprint                                         -             - 100
@ 6 cm2 cooling area 1)
                                                         -             -       70

Electrical Characteristics, at Tj = 25 C, unless otherwise specified

Parameter                                       Symbol                 Values      Unit

                                                         min. typ. max.

Static Characteristics

Drain-source breakdown voltage                  V(BR)DSS -60           -       -V

VGS=0, ID=-250A                                VGS(th)  -2.1          -3      -4

Gate threshold voltage, VGS = VDS               IDSS                               A
                                                IGSS
ID=-1mA                                                  - -0.1 -1

Zero gate voltage drain current                          -             -10 -100

VDS=-60V, VGS=0, Tj=25C                                 -             -10 -100 nA
VDS=-60V, VGS=0, Tj=125C
                                                RDS(on)  - 0.11 0.13
Gate-source leakage current

VGS=-20V, VDS=0

Drain-source on-state resistance

VGS=-10V, ID=2.9A

1Device on 40mm*40mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6cm (one layer, 70 m thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical without blown air.

                                   Page 2                                      2004-06-02
                                                                               BSP613P

Electrical Characteristics, at Tj = 25 C, unless otherwise specified

Parameter                     Symbol   Conditions                      Values      Unit

                                                              min. typ. max.

Dynamic Characteristics

Transconductance              g fs     |VDS|2*|ID|*RDS(on)max , 2.7    5.4     -S

                                       ID=2.9A

Input capacitance             Ciss     VGS=0, VDS=-25V,       -        715 875 pF
Output capacitance            Coss
Reverse transfer capacitance  Crss     f=1MHz                 -        230 295
Turn-on delay time            td(on)
Rise time                     tr                              -        90 120
Turn-off delay time           td(off)
Fall time                     tf       VDD=-30V, VGS=-10V,    -        6.7 17 ns

                                       ID=2.9A, RG=2.7        -        9       18

                                                              -        26 52

                                                              -        7       19

Gate Charge Characteristics

Gate to source charge         Qgs      VDD=-48V, ID=2.9A      -        2.5 3.8 nC
Gate to drain charge          Qgd
Gate charge total                                             -        8.9 14.3

Gate plateau voltage          Qg       VDD=-48V, ID=2.9A,     -        22 33

                                       VGS=0 to -10V

                              V(plateau) VDD=-48V, ID=2.9A    -        -3.9    -V

Reverse Diode

Inverse diode continuous      IS       TA=25C                -        - -2.9 A

forward current

Inv. diode direct current, pulsed ISM                         -        - -11.6

Inverse diode forward voltage VSD      VGS=0V, |IF| = |IS|    -        -0.8 -1.1 V
                                       VR=-30V, |IF| = |IS|,
Reverse recovery time         trr      di F/dt=100A/s        - 37.2 79 ns

Reverse recovery charge       Qrr                             - 59.8 112 nC

                                       Page 3                                  2004-06-02
                                                                                                                           BSP613P

1 Power Dissipation                                           2 Drain current
Ptot = f (TA)                                                 ID = f (TA)
                                                              parameter: VGS 10 V
         1.9 BSP613P
        W                                                                         BSP613P
         1.6
         1.4                                                           3.2
                                                                       A

                                                                       2.4

P tot  1.2                                                    ID     2

         1
                                                                                                        1.6

       0.8
                                                                                                        1.2

       0.6

                                                                                                        0.8
       0.4

       0.2                                                           0.4

       0                                                             0
        0 20 40 60 80 100 120 C 160
                                                                      0 20 40 60 80 100 120 C 160
                                                      TA                                                            TA

3 Safe operating area                                         4 Transient thermal impedance
ID = f ( VDS )                                                ZthJC = f(tp)
parameter : D = 0 , TA = 25 C                                parameter: D = tp / T

        10 2 BSP613P                                                  10 2 BSP613P
                                                                  K/W
         A

                                                                     10 1

       10 1                       /ID            tp = 100.0
                           = V DS                      1 ms
                    R DS(on)                           10 ms         10 0

ID                                                            ZthJC  10 -1

       10 0

                                                                     10 -2                                                 D = 0.50
                                                                                                                                0.20
       10 -1                                                         10 -3                                                      0.10
                                                                     10 -4                                                      0.05
                                                                                                             single pulse       0.02
                                                                                                                                0.01

                                              DC

       10 -2        -10 0              -10 1  V    -10 2             10 -5                                                 s 10 0
            -10 -1                                                        10 -7 10 -6 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2
                                                                                                                           tp
                                              VDS

                                                   Page 4                                                                  2004-06-02
                                                                                                                              BSP613P

5 Typ. output characteristic                                              6 Typ. drain-source on resistance
                                                                          RDS(on) = f (ID)
ID = f (VDS)                                                              parameter: VGS; Tj = 25 C
parameter: Tj =25C
                                                                                   0.5
        7
                                                                                
      A

                                    Vgs = 5V
        6

      5.5                                                                         RDS(on)   0.4
                                                                                                  Vgs = 4V
              Vgs = 10V                                                                                        Vgs = 4,5V
                                                                                           0.35
      5

-I D  4.5                                        Vgs = 4.5V

                                                                                           0.3

      4       Vgs = 6V

      3.5                                                                                  0.25
                                                                                            0.2
      3                                                                                                                       Vgs = 5V

      2.5                                                                                  0.15                               Vgs = 6V
                                                          Vgs = 4V                          0.1                            Vgs = 10V

        2                                                                                  0.05

      1.5

        1
                                                  Vgs=3.5V

      0.5

      0                                                                                    0                                  A

       0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 V 5                                                             0  1       2  3           4            6
                                                     -VDS
                                                                                                                                 -ID

7 Typ. transfer characteristics                                           8 Typ. forward transconductance
ID= f ( VGS ); |VDS| 2 x |ID| x RDS(on)max                                gfs = f(ID)
parameter: Tj = 25 C                                                     parameter: Tj = 25 C

            8                                                                         8

       A                                                                         S

      6                                                                                    6
                                                                                           5
ID    5                                                                           gfs      4
                                                                                           3
      4                                                                                    2
                                                                                           1
      3                                                                                    0

      2                                                                                     0 1 2 3 4 5 6 7 8 A 10
                                                                                                                                          -ID
      1
                                                                                                                             2004-06-02
      0                                          5V

           0  1  2       3                    4                     7

                                                                    -VGS

                                                                          Page 5
                                                                                                                           BSP613P

9 Drain-source on-state resistance                                10 Gate threshold voltage
                                                                  VGS(th) = f (Tj)
RDS(on) = f (Tj)                                                  parameter: VGS = VDS, ID = -1 mA

parameter : ID = -2.9 A, VGS = -10 V                                     -5.0

                    BSP613P                                              V

       0.34                                                                                                        98%
                                                                         -4.0
   W

         0.28

RDS(on)  0.24                                                     VGS(th)  -3.5

         0.20                                                                                                         typ
                                                                           -3.0

         0.16    98%                                                       -2.5
                                                                                                                     2%
                         typ
                                                                           -2.0

         0.12

                                                                           -1.5

         0.08

                                                                           -1.0

         0.04                                                              -0.5

         0.00                 60 100  C      180                          0.0        20  60 100 C                            180
             -60 -20 20                                                      -60 -20

                                          Tj                                                                               Tj

11 Typ. capacitances                                              12 Forward characteristics of reverse diode
C = f (VDS)
parameter: VGS=0V, f=1 MHz                                        IF = f (VSD)
                                                                  parameter: Tj , tp = 80 s
       10 4
                                                                        -10 2 BSP613P

         pF                                                                A

         10 3                                                              -10 1

C                                     Ciss                        IF

                                      Coss

         10 2                         Crss                                 -10 0

         10 1                                                                             Tj = 25 C typ
              0                                                                           Tj = 150 C typ
                                                                                          Tj = 25 C (98%)
                                                                                          Tj = 150 C (98%)

                 -5 -10 -15 -20 -25 -30 V -40                              -10 -1
                                                                                0.0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0 -2.4 V -3.0
                                                             VDS
                                                                                                                              VSD

                                              Page 6                                                                       2004-06-02
13 Typ. avalanche energy                                                                          BSP613P
EAS = f (Tj)
par.: ID = 2.9 A , VDD = -25 V, RGS = 25                     14 Typ. gate charge
                                                             VGS = f (QG), parameter: VDS ; Tj = 25 C
        160
                                                                                 ID = 2.9 A pulsed;
      mJ
                                                                                 BSP613P

                                                                       16

                                                                       V

        120E AS                                                                 12
        100                                                               V GS
                                                                                10
          80                                                                          0.2 VDS max
          60
                                                                                 8 0.8 VDS max
          40
          20                                                                     6

            0                                                                    4
            25 45 65 85 105 125 C 165
                                                                                 2
                                                         Tj
                                                                                 0
15 Drain-source breakdown voltage                                                  0 4 8 12 16 20 24 28 nC 34
V(BR)DSS = f (Tj)
                                                                                                                                 |QG |

                  BSP613P

          -72

          V

V(BR)DSS  -68

          -66

          -64

          -62

          -60

          -58

          -56

          -54                      100 C

          -60 -20          20  60              180

                                           Tj

                                               Page 7                           2004-06-02
                                                                                            BSP613P

Published by
Infineon Technologies AG,
Bereichs Kommunikation
St.-Martin-Strasse 53,
D-81541 Mnchen
Infineon Technologies AG 1999
All Rights Reserved.

Attention please!
The information herein is given to describe certain components and shall not be considered as warranted
characteristics.

Terms of delivery and rights to technical change reserved.

We hereby disclaim any and all warranties, including but not limited to warranties of non-infringement,
regarding circuits, descriptions and charts stated herein.

Infineon Technologies is an approved CECC manufacturer.

Information
For further information on technology, delivery terms and conditions and prices please contact your nearest
Infineon Technologies Office in Germany or our Infineon Technologies Reprensatives worldwide (see address list).

Warnings
Due to technical requirements components may contain dangerous substances.
For information on the types in question please contact your nearest Infineon Technologies Office.

Infineon Technologies Components may only be used in life-support devices or systems with the express
written approval of Infineon Technologies, if a failure of such components can reasonably be expected to
cause the failure of that life-support device or system, or to affect the safety or effectiveness of that device
or system Life support devices or systems are intended to be implanted in the human body, or to support
and/or maintain and sustain and/or protect human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health
of the user or other persons may be endangered.

Page 8  2004-06-02
This datasheet has been downloaded from:
             www.EEworld.com.cn

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.EEworld.com.cn

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright Each Manufacturing Company

BSP613P器件购买:

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved