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BSC340N08NS3G

器件型号:BSC340N08NS3G
器件类别:晶体管   
文件大小:327.81KB,共0页
厂商名称:INFINEON [Infineon Technologies AG]
厂商官网:http://www.infineon.com/
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器件描述

7 A, 80 V, 0.034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER,

7 A, 80 V, 0.034 ohm, N沟道, , POWER,

参数

BSC340N08NS3G端子数量 5
BSC340N08NS3G最小击穿电压 80 V
BSC340N08NS3G加工封装描述 GREEN, PLASTIC, TDSON-8
BSC340N08NS3G无铅 Yes
BSC340N08NS3G欧盟RoHS规范 Yes
BSC340N08NS3G中国RoHS规范 Yes
BSC340N08NS3G状态 ACTIVE
BSC340N08NS3G包装形状 RECTANGULAR
BSC340N08NS3G包装尺寸 SMALL OUTLINE
BSC340N08NS3G表面贴装 Yes
BSC340N08NS3G端子形式 FLAT
BSC340N08NS3G端子涂层 MATTE TIN
BSC340N08NS3G端子位置 DUAL
BSC340N08NS3G包装材料 PLASTIC/EPOXY
BSC340N08NS3G结构 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
BSC340N08NS3G壳体连接 DRAIN
BSC340N08NS3G元件数量 1
BSC340N08NS3G晶体管应用 SWITCHING
BSC340N08NS3G晶体管元件材料 SILICON
BSC340N08NS3G通道类型 N-CHANNEL
BSC340N08NS3G场效应晶体管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
BSC340N08NS3G操作模式 ENHANCEMENT
BSC340N08NS3G晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER
BSC340N08NS3G最大漏电流 7 A
BSC340N08NS3G额定雪崩能量 20 mJ
BSC340N08NS3G最大漏极导通电阻 0.0340 ohm
BSC340N08NS3G最大漏电流脉冲 92 A

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BSC340N08NS3G器件文档内容

                                                                            BSC340N08NS3 G

OptiMOSTM3 Power-Transistor                                Product Summary
                                                           V DS
Features                                                   R DS(on),max            80 V
Ideal for high frequency switching                       ID                      34 m
Optimized technology for DC/DC converters                                        23 A
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Superior thermal resistance
N-channel, normal level
100% avalanche tested
Pb-free plating; RoHS compliant
Qualified according to JEDEC1) for target applications
Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type       BSC340N08NS3 G

Package    PG-TDSON-8
Marking    340N08NS

Maximum ratings, at T j=25 C, unless otherwise specified

Parameter                         Symbol Conditions                         Value                            Unit

Continuous drain current          ID         V GS=10 V, T C=25 C           23                               A

                                             V GS=10 V, T C=100 C          15

                                             V GS=10 V, T A=25 C,          7
                                             R thJA=50 K/W2)

Pulsed drain current3)            I D,pulse  T C=25 C                      92
Avalanche energy, single pulse4)  E AS       I D=12 A, R GS=25
Gate source voltage               V GS                                      20                               mJ

                                                                            20                              V

1) J-STD20 and JESD22
2) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 m thick) copper area for drain

connection. PCB is vertical in still air.
3) See figure 3 for more detailed information
4) See figure 13 for more detailed information

Rev. 2.6                                     page 1                                                             2009-11-04
                                                                               BSC340N08NS3 G

Maximum ratings, at T j=25 C, unless otherwise specified

Parameter                            Symbol Conditions                         Value             Unit

Power dissipation                    P tot    T C=25 C                        32                W

                                              T A=25 C,                       2.5
                                              R thJA=50 K/W2)

Operating and storage temperature T j, T stg                                   -55 ... 150       C

IEC climatic category; DIN IEC 68-1                                            55/150/56

Parameter                            Symbol Conditions                         Values                 Unit
                                                                                 typ.       max.
                                                                         min.

Thermal characteristics

Thermal resistance, junction - case R thJC bottom                        -     -            3.9 K/W

                                              top                                           20

Device on PCB                        R thJA minimal footprint            -     -            62

                                              6 cm2 cooling area2)       -     -            50

Electrical characteristics, at T j=25 C, unless otherwise specified

Static characteristics               V (BR)DSS V GS=0 V, I D=1 mA        80    -            -V
Drain-source breakdown voltage
Gate threshold voltage               V GS(th) V DS=V GS, I D=12 A       2     2.8          3.5
Zero gate voltage drain current
                                     I DSS    V DS=80 V, V GS=0 V,       -     0.1          1 A
Gate-source leakage current                   T j=25 C
Drain-source on-state resistance
                                              V DS=80 V, V GS=0 V,       -     10           100
Gate resistance                               T j=125 C
Transconductance
                                     I GSS    V GS=20 V, V DS=0 V        -     10           100 nA

                                     R DS(on) V GS=10 V, I D=12 A        -     27.5         34 m

                                              V GS=6 V, I D=6 A          -     38.1         66

                                     RG                                  -     1            -

                                     g fs     |V DS|>2|I D|R DS(on)max,  8     16           -S
                                              I D=12 A

Rev. 2.6                                      page 2                                                2009-11-04
                                                                                    BSC340N08NS3 G

Parameter                      Symbol Conditions                                    Values            Unit
                                                                                      typ.  max.
                                                                              min.

Dynamic characteristics        C iss                                          -     564     756 pF

Input capacitance              C oss                   V GS=0 V, V DS=40 V,   -     156     204
Output capacitance                                     f =1 MHz
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time             Crss                                           -     7       -
Rise time
Turn-off delay time            t d(on)                                        -     8       - ns
Fall time
                               tr                      V DD=40 V, V GS=10 V,  -     3       -

                               t d(off)                I D=12 A, R G=1.6      -     11      -

                               tf                                             -     2       -

Gate Charge Characteristics5)  Q gs                                           -     2.4     - nC
Gate to source charge
Gate charge at threshold       Q g(th)                                        -     1.3     -
Gate to drain charge
Switching charge               Q gd                    V DD=40 V, I D=12 A,   -     1.5     -
Gate charge total
Gate plateau voltage           Q sw                    V GS=0 to 10 V         -     2.6     -
Output charge
                               Qg                                             -     6.8     9.1

                               V plateau                                      -     5.2     -V

                               Q oss                   V DD=40 V, V GS=0 V    -     9       12 nC

Reverse Diode

Diode continuous forward current I S                                          -     -       23 A

                                                       T C=25 C

Diode pulse current            I S,pulse                                      -     -       92

Diode forward voltage          V SD                    V GS=0 V, I F=12 A,    -     0.9     1.2 V
                                                       T j=25 C

Reverse recovery time          t rr                    V R=40 V, I F=12A,     -     43      - ns
Reverse recovery charge
                               Q rr                    di F/dt =100 A/s      -     41      - nC

5) See figure 16 for gate charge parameter definition

Rev. 2.6                                               page 3                                      2009-11-04
                                                                                                                                                                                                        BSC340N08NS3 G

1 Power dissipation                                                              2 Drain current
P tot=f(T C)                                                                     I D=f(T C); V GS10 V

        40                                                                               25

                                                                                                                          20
                              30

                                                                                                                          15
                              20

                                                                                                                          10

                              10
                                                                                                                            5
                              P tot [W]
                                                                                                               I D [A]

                              0                                                                                               0
                                 0 25 50 75 100 125 150 175                                                                      0 25 50 75 100 125 150 175

                                                             T C [C]                                                                                       T C [C]

3 Safe operating area                                                     4 Max. transient thermal impedance
I D=f(V DS); T C=25 C; D =0                                              Z thJC=f(t p)
parameter: t p                                                            parameter: D =t p/T

         102                                                                           10

                           limited by on-state                 1 s
                           resistance

                      101     I D [A]                           10 s                                                                   0.5
                                                                                                                Z thJC [K/W]100 s
                      100                                                                                                       1
                                                                 1 ms
                     10-1                                                                                                                0.2
                          10-1
                                                                                                                                        0.1
Rev. 2.6
                                                                                                                                       0.05

                                                                                                                                      0.02

                                                                                                                              0.1

                                                                                                                                       0.01

                                                                                                                                        single pulse

                                                                     10 ms
                                                               DC

                                100                       101               102                                               0.01 0                       0                    0                    0                    0                    0                  1
                                                                                                                                   10-6
                                                                                                                                         10-5                 10-4                 10-3                 10-2                 10-1                 100

                                                V DS [V]                                                                                                                           t p [s]

                                                                            page 4                                                                                                                                                                2009-11-04
5 Typ. output characteristics                                                                                                            BSC340N08NS3 G
I D=f(V DS); T j=25 C                                                                            6 Typ. drain-source on resistance
parameter: V GS                                                                                   R DS(on)=f(I D); T j=25 C
                                                                                                  parameter: V GS
        100
                                                                                                            70
                                                                10 V 9 V
                                                                              8V                                5 V 5.5 V 6 V      7V                                                                  8V

         80                                                                                              60

          I D [A]60                                                                                      50
                                                                                           R DS(on) [m]
                                       7V

          40                                                                                             40

                                                                     6V                                                                                                                           9V

          20                                                                                             30

                                                                    5.5 V                                                                                                                        10 V

                                5V

                                                                    4.5 V                                20
                                                                                                             0
              0

                 0     1     2            3                                              4     5                20             40           60  80                                                     100

                                V DS [V]                                                                                           I D [A]

7 Typ. transfer characteristics                                                                   8 Typ. forward transconductance
I D=f(V GS); |V DS|>2|I D|R DS(on)max                                                             g fs=f(I D); T j=25 C
parameter: T j

          30                                                                                             40

          25
                                                                                                      30

          20

          I D [A]15                                                                                      20
                                                                                           g fs [S]

          10

                                                                                                         10

          5

                                150 C                                            25 C

          0                                                                                              0

              0     1     2  3         4                                          5         6  7             0  10             20           30  40                                                         50

                             V GS [V]                                                                                              I D [A]

Rev. 2.6                                                                                       page 5                                                                                                  2009-11-04
9 Drain-source on-state resistance                                                                                                         BSC340N08NS3 G
R DS(on)=f(T j); I D=12 A; V GS=10 V                                                                10 Typ. gate threshold voltage
                                                                                                    V GS(th)=f(T j); V GS=V DS

60                                                                                                           4

55

50                                                                                                           3

45                                                                                                                                                                     120 A
                                                                                                                                                12 A
40
                                                                                                             2
                                   max

35
R DS(on) [m]
                                                                                 V GS(th) [V]
30                                          typ

25
                                                                                              1

20

15

10                                                                                                           0

     -60                       -20      20  60 100 140 180                                                      -60 -20  20  60 100 140 180

                                            T j [C]                                                                         T j [C]

11 Typ. capacitances                                                                                12 Forward characteristics of reverse diode
C =f(V DS); V GS=0 V; f =1 MHz                                                                      I F=f(V SD)
                                                                                                    parameter: T j
         104
                                                                                                        100
         103
                                                                                                                                                                               150C,max

                                                          Ciss                                                                              25 C
                                                                                                                             150 C

                                                                                                                                             25C,max

C [pF]102                                                 Coss                                          10
                                                                                         I F [A]

101

                                                                                          Crss

                      100                                                                               1
                            0
                                    20      40        60                                        80           0.0  0.5        1.0                                               1.5          2.0
Rev. 2.6
                                            V DS [V]                                                                         V SD [V]                                                     2009-11-04

                                                                                                page 6
13 Avalanche characteristics                                                                                     BSC340N08NS3 G
I AS=f(t AV); R GS=25                                                     14 Typ. gate charge
parameter: T j(start)                                                     V GS=f(Q gate); I D=12 A pulsed
                                                                          parameter: V DD
        100
                                                                                  12

                                                                                                                                                                                        40 V

                                                                                                     10

                                                                                                                                16 V      64 V

                                                                                                     8

          I AV [A]       10                                                                          6
                                                                                           V GS [V]

                                              125 C 100 C  25 C                                   4

                                                                                                     2

                         1             1      10             100    1000                             0
                          0.1                                                                           012345678

                                              t AV [s]                                                                          Q gate [nC]

15 Drain-source breakdown voltage                                         16 Gate charge waveforms
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA

                         100

                                                                                                       V GS

                         90                                                                                                 Qg

                         80

          V BR(DSS) [V]  70
                                                                                                           V g s(th)

                         60

                         50                                                                          Q g(th)                    Q sw                                                          Q gate
                                                                                                                                    Q gd                                                         2009-11-04
                         40                                                                                           Q gs

                             -60  -20     20  60 100 140 180

                                              T j [C]

Rev. 2.6                                                            page 7
                    BSC340N08NS3 G

PG-TDSON-8

Rev. 2.6    page 8  2009-11-04
                  BSC340N08NS3 G

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Due to technical requirements, components may contain dangerous substances. For information
on the types in question, please contact the nearest Infineon Technologies Office.
Infineon Technologies components may be used in life-support devices or systems only with
the express written approval of Infineon Technologies, if a failure of such components can
reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system or to affect
the safety or effectiveness of that device or system. Life support devices or systems are
intended to be implanted in the human body or to support and/or maintain and sustain
and/or protect human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user
or other persons may be endangered.

Rev. 2.6  page 9                                                                                 2009-11-04
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