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BSC320N20NS3G

器件型号:BSC320N20NS3G
器件类别:晶体管   
文件大小:318.34KB,共0页
厂商名称:INFINEON [Infineon Technologies AG]
厂商官网:http://www.infineon.com/
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器件描述

36 A, 200 V, 0.032 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER,

36 A, 200 V, 0.032 ohm, N沟道, , POWER,

参数

BSC320N20NS3G端子数量 5
BSC320N20NS3G最小击穿电压 200 V
BSC320N20NS3G加工封装描述 绿色, 塑料, TDSON-8
BSC320N20NS3G状态 ACTIVE
BSC320N20NS3G包装形状 矩形的
BSC320N20NS3G包装尺寸 SMALL OUTLINE
BSC320N20NS3G表面贴装 Yes
BSC320N20NS3G端子形式 FLAT
BSC320N20NS3G端子涂层 MATTE 锡
BSC320N20NS3G端子位置
BSC320N20NS3G包装材料 塑料/环氧树脂
BSC320N20NS3G结构 单一的 WITH BUILT-IN 二极管
BSC320N20NS3G壳体连接 DRAIN
BSC320N20NS3G元件数量 1
BSC320N20NS3G晶体管应用 开关
BSC320N20NS3G晶体管元件材料
BSC320N20NS3G通道类型 N沟道
BSC320N20NS3G场效应晶体管技术 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
BSC320N20NS3G操作模式 ENHANCEMENT
BSC320N20NS3G晶体管类型 通用电源
BSC320N20NS3G最大漏电流 36 A
BSC320N20NS3G额定雪崩能量 190 mJ
BSC320N20NS3G最大漏极导通电阻 0.0320 ohm
BSC320N20NS3G最大漏电流脉冲 144 A

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BSC320N20NS3G器件文档内容

                                                                               BSC320N20NS3 G

OptiMOSTM3 Power-Transistor                                   Product Summary         200 V
                                                              V DS                    32 m
Features                                                      R DS(on),max            36 A
N-channel, normal level                                     ID
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Very low on-resistance R DS(on)

Pb-free lead plating; RoHS compliant
Qualified according to JEDEC1) for target application

Halogen-free according to IEC61249-2-21

Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

Type               BSC320N20NS3 G

Package            PG-TDSON-8
Marking            320N20NS

Maximum ratings, at T j=25 C, unless otherwise specified

Parameter                            Symbol Conditions                         Value  Unit

Continuous drain current             ID           T C=25 C                    36     A

                                                  T C=100 C                   24

Pulsed drain current2)               I D,pulse T C=25 C                       144

Avalanche energy, single pulse       E AS         I D=36 A, R GS=25            190    mJ

Gate source voltage                  V GS                                      20    V

Power dissipation                    P tot        T C=25 C                    125    W

Operating and storage temperature T j, T stg                          -55 ... 150     C

IEC climatic category; DIN IEC 68-1                                   55/150/56

1)J-STD20 and JESD22
2) See figure 3

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                                                                              BSC320N20NS3 G

Parameter                            Symbol Conditions                        Values            Unit
                                                                                typ.  max.
                                                                        min.

Thermal characteristics

Thermal resistance, junction - case  R thJC                             -     -       1 K/W
                                     R thJA
Thermal resistance, junction -               minimal footprint          -     -       75
ambient                                      6 cm2 cooling area3)
                                                                        -     -       50

Electrical characteristics, at T j=25 C, unless otherwise specified

Static characteristics

Drain-source breakdown voltage       V (BR)DSS V GS=0 V, I D=1 mA       200   -       -V
                                                                                      4
Gate threshold voltage               V GS(th) V DS=V GS, I D=90 A      2     3
                                                                                      1 A
Zero gate voltage drain current      I DSS   V DS=160 V, V GS=0 V,      -     0.1
                                             T j=25 C

                                             V DS=160 V, V GS=0 V,      -     10      100
                                             T j=125 C

Gate-source leakage current          I GSS   V GS=20 V, V DS=0 V        -     1       100 nA
Drain-source on-state resistance
Gate resistance                      R DS(on) V GS=10 V, I D=36 A       -     27      32 m
Transconductance
                                     RG                                 -     2.5     -

                                     g fs    |V DS|>2|I D|R DS(on)max,  29    58      -S
                                             I D=36 A

3) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 m thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.

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                                                                         BSC320N20NS3 G

Parameter                        Symbol Conditions                       Values            Unit
                                                                           typ.  max.
                                                                   min.

Dynamic characteristics          C iss                             -     1770    2350 pF
Input capacitance                                                        135     180
Output capacitance               C oss      V GS=0 V, V DS=100 V,  -
Reverse transfer capacitance                f =1 MHz                       4       -
Turn-on delay time                                                        14       - ns
Rise time                        C rss                             -       9       -
Turn-off delay time                                                       22       -
Fall time                        t d(on)                           -       4       -

                                 tr         V DD=100 V,            -

                                            V GS=10 V, I D=18 A,

                                 t d(off)   R G=1.6                -

                                 tf                                -

Gate Charge Characteristics4)    Q gs                              -     8       - nC
Gate to source charge
Gate to drain charge             Q gd                              -     3       -
Switching charge
Gate charge total                Q sw       V DD=100 V, I D=18 A,  -     5       -
Gate plateau voltage                        V GS=0 to 10 V
Output charge
                                 Qg                                -     22      29

                                 V plateau                         -     4.4     -V

                                 Q oss      V DD=100 V, V GS=0 V   -     54      72 nC

Reverse Diode                    IS                                -     -       36 A
Diode continous forward current  I S,pulse
Diode pulse current                         T C=25 C

Diode forward voltage                                              -     -       144

Reverse recovery time            V SD       V GS=0 V, I F=36 A,    -     1       1.2 V
Reverse recovery charge                     T j=25 C

                                 t rr       V R=100 V, I F=18A,    -     105     - ns

                                 Q rr       di F/dt =100 A/s      -     429     - nC

4) See figure 16 for gate charge parameter definition

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                                                                                                                                                                       BSC320N20NS3 G

1 Power dissipation                                                              2 Drain current
P tot=f(T C)                                                                     I D=f(T C); V GS10 V

                              140                                                                                             40

                              120

                                                                                                                          30
                              100

                              80
                                                                                                                        20

                              60
                              P tot [W]
                                                                                                                I D [A]

                              40
                                                                                                                        10

                              20

                              0                                                                                               0

                                   0  50   100       150                    200                                                   0     50                        100            150   200

                                           T C [C]                                                                                                         T C [C]

3 Safe operating area                                                            4 Max. transient thermal impedance
I D=f(V DS); T C=25 C; D =0                                                     Z thJC=f(t p)
parameter: t p                                                                   parameter: D =t p/T

         103

                      102     I D [A]                                 1 s                                                    100
                                                                                                                Z thJC [K/W]10 s
                      101                       100 s                                                                                     0.5
                                                1 ms
                      100                                                                                                                 0.2
                                                   10 ms                                                                                   0.1
                     10-1
                          10-1                   DC                                                                           10-1 0.05

Rev. 2.2                                                                                                                                0.02
                                                                                                                                        0.01

                                                                                                                                              single pulse

                                                                                                                              10-2

                                      100  101       102                    103                                                   10-5  10-4                10-3           10-2  10-1  100

                                           V DS [V]                                                                                                               t p [s]

                                                                            page 4                                                                                                     2009-10-22
                                                                                                                                  BSC320N20NS3 G

5 Typ. output characteristics                                                          6 Typ. drain-source on resistance
I D=f(V DS); T j=25 C                                                                 R DS(on)=f(I D); T j=25 C
parameter: V GS                                                                        parameter: V GS

        60                                                                                      60

                                           10 V                                                50                                          5V

                                                 7V                                                                    4.5 V               7V
                                                                                                                                                            10 V
        50                                                                                     40

                                                                          5V                   30

        40                                                                                     20

I D [A]30
                                                                                 R DS(on) [m]

20                                                4.5 V

10                                                                                             10

0                                                                                                  0

    0                        1     2              3                              4  5                 0 10 20 30 40 50 60 70

                                      V DS [V]                                                                                    I D [A]

7 Typ. transfer characteristics                                                        8 Typ. forward transconductance
I D=f(V GS); |V DS|>2|I D|R DS(on)max                                                  g fs=f(I D); T j=25 C
parameter: T j
                                                                                               80
        50

                                                                                               70

40

                                                                                               60

30                                                                                             50

I D [A]                                                                                        40
                                                                                 g fs [S]

                     20                                                                        30

                     10                                                                        20

                      0            150 C
                          0
                                                                                               10
Rev. 2.2
                                           25 C

                                                                                               0

                                2          4                                  6     8              0                          25           50                        75

                                      V GS [V]                                                                                    I D [A]                         2009-10-22

                                                                                    page 5
                                                                                                                                     BSC320N20NS3 G

9 Drain-source on-state resistance                                              10 Typ. gate threshold voltage
R DS(on)=f(T j); I D=36 A; V GS=10 V                                            V GS(th)=f(T j); V GS=V DS
                                                                                parameter: I D
         100
                                                                                           4

          80                                                                                             3.5

          60                                                                                                                                                     900 A

                                                       98%                                                 3

          40                                                                                                                                    90 A

                                                                 typ                                     2.5

          20                                                                                               2
          R DS(on) [m]
                                                                                           V GS(th) [V]  1.5

                                                                                                           1

                                                                                                         0.5

          0                                                                                              0

               -60 -20      20  60 100 140 180                                                              -60 -20       20      60 100 140 180

                                T j [C]                                                                                      T j [C]

11 Typ. capacitances                                                            12 Forward characteristics of reverse diode
C =f(V DS); V GS=0 V; f =1 MHz                                                  I F=f(V SD)
                                                                                parameter: T j
         104
                                                                                         103

                                Ciss

          103     Coss

                                                                                                         102                         25 C
                                                                                                                                             25C, 98%
          C [pF]102                                                                                                       150 C
                                                                                            I F [A]

                                                                                                         101

          101     Crss

                                                                                                                                     150C, 98%

                                                                                                         100

               0        40      80                                    120  160                                0      0.5          1                                      1.5     2

                                V DS [V]                                                                                      V SD [V]                                        2009-10-22

Rev. 2.2                                                                   page 6
13 Avalanche characteristics                                                                                                                           BSC320N20NS3 G
I AS=f(t AV); R GS=25
parameter: T j(start)                                                                                           14 Typ. gate charge
                                                                                                                V GS=f(Q gate); I D=18 A pulsed
        100                                                                                                     parameter: V DD

                                                                                                                          10

                                                                                                   25 C          8

                                                                               100 C                                                                                               160 V

                         10                                                                                                                                            100 V

                                                                   125 C                                         6
          I AS [A]
                                                                                           V GS [V]                                                      40 V

                                                                                                                  4

                                                                                                                  2

                         1                                                                                        0

                              1        10             100                                                 1000       0       5     10              15                                      20  25

                                           t AV [s]                                                                               Q gate [nC]

15 Drain-source breakdown voltage                                                                               16 Gate charge waveforms
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA

                         230

                                                                                                                  V GS
                                                                                                                                               Qg

                         220

          V BR(DSS) [V]  210

                         200                                                                                      V g s(th)

                         190                                                                                                                       Q sw                                        Q gate
                                                                                                           Q g(th)                                     Q gd                                       2009-10-22

                         180                                                                                                 Q gs

                              -60 -20  20  60 100 140 180

                                           T j [C]

Rev. 2.2                                                                                                  page 7
                             BSC320N20NS3 G

PG-TDSON-8: Outline

Rev. 2.2             page 8  2009-10-22
                                                                                                 BSC320N20NS3 G

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