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BSC123N08NS3G

器件型号:BSC123N08NS3G
器件类别:晶体管   
文件大小:327.41KB,共0页
厂商名称:INFINEON [Infineon Technologies AG]
厂商官网:http://www.infineon.com/
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器件描述

11 A, 80 V, 0.0123 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER,

11 A, 80 V, 0.0123 ohm, N沟道, , POWER,

参数

BSC123N08NS3G端子数量 5
BSC123N08NS3G最小击穿电压 80 V
BSC123N08NS3G加工封装描述 绿色, 塑料, TDSON-8
BSC123N08NS3G无铅 Yes
BSC123N08NS3G欧盟RoHS规范 Yes
BSC123N08NS3G中国RoHS规范 Yes
BSC123N08NS3G状态 ACTIVE
BSC123N08NS3G包装形状 矩形的
BSC123N08NS3G包装尺寸 SMALL OUTLINE
BSC123N08NS3G表面贴装 Yes
BSC123N08NS3G端子形式 FLAT
BSC123N08NS3G端子涂层 MATTE 锡
BSC123N08NS3G端子位置
BSC123N08NS3G包装材料 塑料/环氧树脂
BSC123N08NS3G结构 单一的 WITH BUILT-IN 二极管
BSC123N08NS3G壳体连接 DRAIN
BSC123N08NS3G元件数量 1
BSC123N08NS3G晶体管应用 开关
BSC123N08NS3G晶体管元件材料
BSC123N08NS3G通道类型 N沟道
BSC123N08NS3G场效应晶体管技术 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
BSC123N08NS3G操作模式 ENHANCEMENT
BSC123N08NS3G晶体管类型 通用电源
BSC123N08NS3G最大漏电流 11 A
BSC123N08NS3G额定雪崩能量 70 mJ
BSC123N08NS3G最大漏极导通电阻 0.0123 ohm
BSC123N08NS3G最大漏电流脉冲 220 A

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BSC123N08NS3G器件文档内容

                                                                            BSC123N08NS3 G

OptiMOSTM3 Power-Transistor                                Product Summary          80 V
                                                           V DS                    12.3 m
Features                                                   R DS(on),max             55 A
Ideal for high frequency switching and sync. rec.        ID
Optimized technology for DC/DC converters
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Superior thermal resistance
N-channel, normal level
100% avalanche tested
Pb-free plating; RoHS compliant
Qualified according to JEDEC1) for target applications
Halogen-free according to IEC61249-2-21

          Type     BSC123N08NS3 G

          Package  PG-TDSON-8

          Marking  123N08NS

Maximum ratings, at T j=25 C, unless otherwise specified

Parameter                       Symbol Conditions                           Value                            Unit

Continuous drain current        ID    V GS=10 V, T C=25 C                  55                               A

                                      V GS=10 V, T C=100 C                 35

                                      V GS=10 V, T A=25 C,                 11
                                      R thJA=50 K/W2)

Pulsed drain current3)          I D,pulse T C=25 C                         220

Avalanche energy, single pulse  E AS  I D=33 A, R GS=25                     70                               mJ

Gate source voltage             V GS                                        20                              V

1) J-STD20 and JESD22
2) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 m thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.
3) See figure 3 for more detailed information
4) See figure 13 for more detailed information

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                                                                               BSC123N08NS3 G

Maximum ratings, at T j=25 C, unless otherwise specified

Parameter                            Symbol Conditions                         Value             Unit

Power dissipation                    P tot    T C=25 C                        66                W

                                              T A=25 C,                       2.5
                                              R thJA=50 K/W2)

Operating and storage temperature T j, T stg                                   -55 ... 150       C

IEC climatic category; DIN IEC 68-1                                            55/150/56

Parameter                            Symbol Conditions                         Values                 Unit
                                                                                 typ.       max.
                                                                         min.

Thermal characteristics

Thermal resistance, junction - case R thJC bottom                        -     -            1.9 K/W

                                              top                                           18

Device on PCB                        R thJA minimal footprint            -     -            62

                                              6 cm2 cooling area2)       -     -            50

Electrical characteristics, at T j=25 C, unless otherwise specified

Static characteristics               V (BR)DSS V GS=0 V, I D=1 mA        80    -            -V
Drain-source breakdown voltage
Gate threshold voltage               V GS(th) V DS=V GS, I D=33 A       2     2.8          3.5
Zero gate voltage drain current
                                     I DSS    V DS=80 V, V GS=0 V,       -     0.1          1 A
Gate-source leakage current                   T j=25 C
Drain-source on-state resistance
                                              V DS=80 V, V GS=0 V,       -     10           100
Gate resistance                               T j=125 C
Transconductance
                                     I GSS    V GS=20 V, V DS=0 V        -     10           100 nA

                                     R DS(on) V GS=10 V, I D=33 A        -     10.3 12.3 m

                                              V GS=6 V, I D=16 A         -     14.1         24

                                     RG                                  -     2            -

                                     g fs     |V DS|>2|I D|R DS(on)max,  22    44           -S
                                              I D=33 A

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                                                                                    BSC123N08NS3 G

Parameter                      Symbol Conditions                                    Values            Unit
                                                                                      typ.  max.
                                                                              min.

Dynamic characteristics        C iss                                          -     1430    1870 pF
                                                                                    385     517
Input capacitance              C oss                   V GS=0 V, V DS=40 V,   -      15
Output capacitance                                     f =1 MHz                      12       -
Reverse transfer capacitance                                                         18       - ns
Turn-on delay time             Crss                                           -      19       -
Rise time                                                                                     -
Turn-off delay time            t d(on)                                        -       4       -
Fall time
                               tr                      V DD=40 V, V GS=10 V,  -
Gate Charge Characteristics5)
Gate to source charge          t d(off)                I D=20 A, R G=1.6      -
Gate charge at threshold
Gate to drain charge           tf                                             -
Switching charge
Gate charge total              Q gs                                           -     6.3     - nC
Gate plateau voltage
Output charge                  Q g(th)                                        -     3.6     -

                               Q gd                    V DD=40 V, I D=20 A,   -     3.8     -

                               Q sw                    V GS=0 to 10 V         -     6.5     -

                               Qg                                             -     19      25

                               V plateau                                      -     4.9     -V

                               Q oss                   V DD=40 V, V GS=0 V    -     25      34

Reverse Diode

Diode continuous forward current I S                                          -     -       55 A

                                                       T C=25 C

Diode pulse current            I S,pulse                                      -     -       220

Diode forward voltage          V SD                    V GS=0 V, I F=33 A,    -     0.9     1.2 V
                                                       T j=25 C

Reverse recovery time          t rr                                           -     45      - ns
Reverse recovery charge
                                                       V R=40 V, I F=20A,

                               Q rr                    di F/dt =100 A/s      -     54      - nC

5) See figure 16 for gate charge parameter definition

Rev. 2.5                                               page 3                                      2009-11-04
                                                                                                                                    BSC123N08NS3 G

1 Power dissipation                                                   2 Drain current
P tot=f(T C)                                                          I D=f(T C); V GS10 V

80                                                                                              60

                                                                                            50
60

                                                                                            40

P tot [W]40                                                                                     30
                                                                                  I D [A]

                                                                                            20
20

                                                                                            10

0                                                                                               0
   0 25 50 75 100 125 150 175                                                                      0 25 50 75 100 125 150 175
                             T C [C]                                                                                        T C [C]

3 Safe operating area                                                 4 Max. transient thermal impedance
I D=f(V DS); T C=25 C; D =0                                          Z thJC=f(t p)
parameter: t p                                                        parameter: D =t p/T

         103                                                                   10

                     limited by on-state                   1 s
                     resistance                          10 s

102

                                                                                                1 0.5

I D [A]                                                  100 s                                         0.2
                                                                                  Z thJC [K/W]
                      101                                                                                  0.1
                                                         1 ms
                      100                                                                       0.1 0.05
                                                         10 ms
                     10-1                                DC                                                0.02
                          10-1                                                                             0.01
                                                                                                          single pulse
Rev. 2.5
                                                                                                0.01 0       0          0     0        0     0     1

                                100                 101          102                            10-6         10-5       10-4  10-3     10-2  10-1  100

                                          V DS [V]                                                                            t p [s]

                                                                 page 4                                                                            2009-11-04
                                                                                                                                                          BSC123N08NS3 G

5 Typ. output characteristics                               6 Typ. drain-source on resistance
I D=f(V DS); T j=25 C                                      R DS(on)=f(I D); T j=25 C
parameter: V GS                                             parameter: V GS

          120                                                                                            50

                             8V 7V                                                                                   4.5 V                                                    5.5 V
                     10 V                                                                                                                         5V

                                                  6.5 V                                                  40

          80

          I D [A]
                                                                                           R DS(on) [m]
                                                                         30

                                               6V

          40                                                                20                                                                                                       6V

                                                  5.5 V                                                                                                                   8V         6.5 V
                                                                                                                                                               10 V           7V
                                                                            10

                                                  5V

          0                                    4.5 V                                                     0

               0     1                 2                 3                                                    0  10      20                                    30             40            50

                        V DS [V]                                                                                                                      I D [A]

7 Typ. transfer characteristics                             8 Typ. forward transconductance
I D=f(V GS); |V DS|>2|I D|R DS(on)max                       g fs=f(I D); T j=25 C
parameter: T j
                                                                                                         100
         60

          50
                                                                                                      80

          40
                                                                                                      60

          30

                                                                                                      40
          20
          I D [A]
                                                                                           g fs [S]

          10                           150 C  25 C                                                     20

          0                                                                                              0

               0  1  2  3              4       5         6                                                    0      40                               80           120                      160

                        V GS [V]                                                                                                                      I D [A]

Rev. 2.5                                                 page 5                                                                                                                          2009-11-04
9 Drain-source on-state resistance                                                                                                         BSC123N08NS3 G
R DS(on)=f(T j); I D=33 A; V GS=10 V                                                                10 Typ. gate threshold voltage
                                                                                                    V GS(th)=f(T j); V GS=V DS
         25
                                                                                                              4
         20
                                                                                                              3
         15
                                                                                                                                                                            330 A
                                                  max                                                                                                33 A
                                                                    typ
                                                                                                              2
         10
                                                                                                              1
           5
R DS(on) [m]
                                                                                      V GS(th) [V]

0                                                                                                       0

   -60                         -20      20  60 100 140 180                                                 -60     -20       20                                   60         100 140 180

                                            T j [C]                                                                                                              T j [C]

11 Typ. capacitances                                                                                12 Forward characteristics of reverse diode
C =f(V DS); V GS=0 V; f =1 MHz                                                                      I F=f(V SD)
                                                                                                    parameter: T j

104                                                                                                     1000

                                                                                          Ciss                                                                                150C, max

103

                                                                                                   100                                                                 25 C

                                                                             Coss

C [pF]
                                                                                  I F [A]
102

                                                                                                                                                          150 C

                                                                                                        10                                                        25C, max

                                                                                          Crss

101

                      100                                                                               1
                            0
                                    20      40                           60                     80            0.0       0.5                                       1.0         1.5          2.0
Rev. 2.5
                                            V DS [V]                                                                                                              V SD [V]                2009-11-04

                                                                                                page 6
13 Avalanche characteristics                                                                                                               BSC123N08NS3 G
I AS=f(t AV); R GS=25                                                                               14 Typ. gate charge
parameter: T j(start)                                                                               V GS=f(Q gate); I D=20 A pulsed
                                                                                                    parameter: V DD
       100
                                                                                                             12
                                                            25 C
          I AV [A]                                                                                                                                                                                          40 V
                                                                                            V GS [V]
                         10                  125 C 100 C                                                   10

                                                                                                                                                                                       16 V
                                                                                                                                                                                                        64 V

                                                                                                               8

                                                                                                               6

                                                                                                      4

                                                                                                      2

                         1                                                                            0
                          0.1
                                      1      10                    100  1000                             0                  5  10             15  20

                                             t AV [s]                                                                         Q gate [nC]

15 Drain-source breakdown voltage                                                                   16 Gate charge waveforms
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA

                         100                                                                                                   Qg

                                                                                                       V GS                        Q sw
                                                                                                                                        Q gd
                          95

                         90

                         85

          V BR(DSS) [V]  80
                                                                                                           V g s(th)

                         75

                         70

                         65                                                                           Q g(th)                                     Q gate
                                                                                                                                                     2009-11-04
                         60                                                                                           Q gs

                             -60 -20     20  60 100 140 180

                                             T j [C]

Rev. 2.5                                                                page 7
                    BSC123N08NS3 G

PG-TDSON-8

Rev. 2.5    page 8  2009-11-04
                  BSC123N08NS3 G

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