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BSC100N06LS3G

器件型号:BSC100N06LS3G
器件类别:晶体管   
文件大小:328.47KB,共0页
厂商名称:INFINEON [Infineon Technologies AG]
厂商官网:http://www.infineon.com/
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器件描述

12 A, 60 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER,

12 A, 60 V, 0.01 ohm, N沟道, , POWER,

参数

BSC100N06LS3G端子数量 5
BSC100N06LS3G最小击穿电压 60 V
BSC100N06LS3G加工封装描述 绿色, 塑料, TDSON-8
BSC100N06LS3G无铅 Yes
BSC100N06LS3G欧盟RoHS规范 Yes
BSC100N06LS3G中国RoHS规范 Yes
BSC100N06LS3G状态 ACTIVE
BSC100N06LS3G包装形状 矩形的
BSC100N06LS3G包装尺寸 SMALL OUTLINE
BSC100N06LS3G表面贴装 Yes
BSC100N06LS3G端子形式 FLAT
BSC100N06LS3G端子涂层 MATTE 锡
BSC100N06LS3G端子位置
BSC100N06LS3G包装材料 塑料/环氧树脂
BSC100N06LS3G结构 单一的 WITH BUILT-IN 二极管
BSC100N06LS3G壳体连接 DRAIN
BSC100N06LS3G元件数量 1
BSC100N06LS3G晶体管应用 开关
BSC100N06LS3G晶体管元件材料
BSC100N06LS3G通道类型 N沟道
BSC100N06LS3G场效应晶体管技术 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
BSC100N06LS3G操作模式 ENHANCEMENT
BSC100N06LS3G晶体管类型 通用电源
BSC100N06LS3G最大漏电流 12 A
BSC100N06LS3G额定雪崩能量 22 mJ
BSC100N06LS3G最大漏极导通电阻 0.0100 ohm
BSC100N06LS3G最大漏电流脉冲 200 A

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BSC100N06LS3G器件文档内容

Type

                                                                                BSC100N06LS3 G

OptiMOSTM3 Power-Transistor                                    Product Summary         60 V
                                                               V DS                    10 m
Features                                                       R DS(on),max            50 A
                                                               ID
Ideal for high frequency switching and sync. rec.

Optimized technology for DC/DC converters

Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

Superior thermal resistance

N-channel, logic level

100% avalanche tested

Pb-free plating; RoHS compliant
Qualified according to JEDEC1) for target applications

Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type       BSC100N06LS3 G

Package    PG-TDSON-8

Marking    100N06LS

Maximum ratings, at T j=25 C, unless otherwise specified

Parameter                         Symbol Conditions                             Value                        Unit

Continuous drain current          ID              V GS=10 V, T C=25 C          50                           A

                                                  V GS=10 V, T C=100 C         36

                                                  V GS=4.5 V, T C=25 C         41

                                                  V GS=4.5 V,                   26
                                                  T C=100 C

                                                  V GS=10 V, T A=25 C,         12
                                                  R thJA=50 K/W2)

Pulsed drain current3)            I D,pulse T C=25 C                           200

Avalanche energy, single pulse4)  E AS            I D=50 A, R GS=25             22                           mJ

Gate source voltage               V GS                                          20                          V

1) J-STD20 and JESD22

2) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 m thick) copper area for drain

connection. PCB is vertical in still air.
3) See figure 3 for more detailed information
4) See figure 13 for more detailed information

Rev. 2.2                                             page 1                                                     2010-08-31
                                                                               BSC100N06LS3 G

Maximum ratings, at T j=25 C, unless otherwise specified

Parameter                            Symbol Conditions                         Value             Unit

Power dissipation                    P tot    T C=25 C                        50                W

                                              T A=25 C,                       2.5
                                              R thJA=50 K/W2)

Operating and storage temperature T j, T stg                                   -55 ... 150       C

IEC climatic category; DIN IEC 68-1                                            55/150/56

Parameter                            Symbol Conditions                         Values                 Unit
                                                                                 typ.       max.
                                                                         min.

Thermal characteristics

Thermal resistance, junction - case R thJC                               -     -            2.5 K/W

Device on PCB                        R thJA minimal footprint            -     -            62

                                              6 cm2 cooling area2)       -     -            50

Electrical characteristics, at T j=25 C, unless otherwise specified

Static characteristics               V (BR)DSS V GS=0 V, I D=1 mA        60    -            -V
Drain-source breakdown voltage
Gate threshold voltage               V GS(th) V DS=V GS, I D=23 A       1.2   1.7          2.2
Zero gate voltage drain current
                                     I DSS    V DS=60 V, V GS=0 V,       -     0.1          1 A
Gate-source leakage current                   T j=25 C
Drain-source on-state resistance
                                              V DS=60 V, V GS=0 V,       -     10           100
Gate resistance                               T j=125 C
Transconductance
                                     I GSS    V GS=20 V, V DS=0 V        -     10           100 nA

                                     R DS(on) V GS=4.5 V, I D=25 A       -     11.8 17.9 m

                                              V GS=10 V, I D=50 A        -     7.8          10

                                     RG                                  -     1.3          -

                                     g fs     |V DS|>2|I D|R DS(on)max,  32    63           -S
                                              I D=50 A

Rev. 2.2                                      page 2                                                2010-08-31
                                                                                    BSC100N06LS3 G

Parameter                      Symbol Conditions                                    Values            Unit
                                                                                      typ.  max.
                                                                              min.

Dynamic characteristics        C iss                                          -     2600    3500 pF
                                                                                    500     660
Input capacitance              C oss                   V GS=0 V, V DS=30 V,   -      24
Output capacitance                                     f =1 MHz                               -
Reverse transfer capacitance                                                          8       - ns
Turn-on delay time             Crss                                           -      58       -
Rise time                                                                            19       -
Turn-off delay time            t d(on)                                        -       8       -
Fall time
                               tr                      V DD=30 V, V GS=10 V,  -

                               t d(off)                I D=50 A, R G=3        -

                               tf                                             -

Gate Charge Characteristics5)  Q gs                                           -     10      - nC
Gate to source charge
Gate charge at threshold       Q g(th)                                        -     4       -
Gate to drain charge
Switching charge               Q gd                    V DD=30 V, I D=50 A,   -     3       -
Gate charge total
Gate plateau voltage           Q sw                    V GS=0 to 4.5 V        -     9       -

Gate charge total              Qg                                             -     15      20

Output charge                  V plateau                                      -     4.0     -V

                               Qg                      V DD=30 V, I D=50 A,   -     34      45 nC
                                                       V GS=0 to 10 V

                               Q oss                   V DD=30 V, V GS=0 V    -     25      33

Reverse Diode

Diode continuous forward current I S                                          -     -       50 A

                                                       T C=25 C

Diode pulse current            I S,pulse                                      -     -       200

Diode forward voltage          V SD                    V GS=0 V, I F=50 A,    -     0.9     1.2 V
                                                       T j=25 C

Reverse recovery time          t rr                    V R=30 V, I F=50A,     -     35      - ns
Reverse recovery charge
                               Q rr                    di F/dt =100 A/s      -     36      - nC

5) See figure 16 for gate charge parameter definition

Rev. 2.2                                               page 3                                      2010-08-31
                                                                                                                                                  BSC100N06LS3 G

1 Power dissipation                                                                                     2 Drain current
P tot=f(T C)                                                                                            I D=f(T C); V GS10 V

60                                                                                                        60

50                                                                                                        50

40                                                                                                        40

P tot [W]30                                                                                               30
                                                                                  I D [A]

20                                                                                                        20

10                                                                                                        10

0                                                                                                         0

    0                           50       100                            150               200                 0                50        100             150        200

                                         T C [C]                                                                                        T C [C]

3 Safe operating area                                                               1 s                4 Max. transient thermal impedance
I D=f(V DS); T C=25 C; D =0                                                 10 s                      Z thJC=f(t p)
parameter: t p                                                          100 s                          parameter: D =t p/T

        103                                                                                                      101

                                         limited by on-state                                                                   0.5
                                         resistance
                                                                                                                 100
        102
                                                                                                                               0.2
I D [A]101                                                        1 ms                                                         0.1
                                                                                            Z thJC [K/W]                       0.05
                                                              10 ms
                                                                                                                10-1 0.02
                                                              DC
                                                                                                                              0.01
100

                                                                                                                 single pulse

                     10-1                                                                                 10-2
                          10-1
                                    100                           101                     102                 10-6  10-5           10-4  10-3      10-2       10-1  100
Rev. 2.2
                                         V DS [V]                                                                                        t p [s]

                                                                                          page 4                                                                    2010-08-31
                                                                                                                                             BSC100N06LS3 G

5 Typ. output characteristics                                    6 Typ. drain-source on resistance
I D=f(V DS); T j=25 C                                           R DS(on)=f(I D); T j=25 C
parameter: V GS                                                  parameter: V GS

        200                                                                                              24

                                                                                                                 3.2 V 3.5 V 4 V      4.5 V         5V

          180              10 V

                                                                                                         20

          160

          140                                       5V

                                                                               16

          I D [A]120
                                                                                           R DS(on) [m]
          100                                       4.5 V                                                12

                                                                                                                                                             6V

          80

                                                                                8                                                                            10 V

          60                                        4V

          40

                                                      3.5 V                                              4

          20                                           3.2 V
                                                 3V
          0                                                                                              0
                                                      2.8 V
               0     1                    2                                                                   0  40               80           120      160      200
                                                              3

                           V DS [V]                                                                                                   I D [A]

7 Typ. transfer characteristics                                  8 Typ. forward transconductance
I D=f(V GS); |V DS|>2|I D|R DS(on)max                            g fs=f(I D); T j=25 C
parameter: T j
                                                                                                         120
        100

                                                                                                    100
          80

                                                                                                      80
          60

                                                                                                      60
          40

                                                                                                      40
          I D [A]
                                                                                           g fs [S]

          20

                                                                                                         20

                        150 C            25 C

          0                                                                                              0

               0  1     2              3         4         5                                                  0      40               80            120          160

                           V GS [V]                                                                                                   I D [A]

Rev. 2.2                                                   page 5                                                                                            2010-08-31
9 Drain-source on-state resistance                                                                BSC100N06LS3 G
R DS(on)=f(T j); I D=50 A; V GS=10 V                      10 Typ. gate threshold voltage
                                                          V GS(th)=f(T j); V GS=V DS; I D=100 A

20                                                                                             2.5

18

16                                                                                             2

                                                                                                                                                                             230 A

14

R DS(on) [m]
                                                                                 V GS(th) [V]
12                                                                                             1.5                23 A

                                  max

10

8                                      typ                                                     1

6

4                                                                                              0.5

2

0                                                                                              0
-60 -20 20
                                       60 100 140 180                                               -60 -20       20     60 100 140 180

                                       T j [C]                                                                          T j [C]

11 Typ. capacitances                                      12 Forward characteristics of reverse diode
C =f(V DS); V GS=0 V; f =1 MHz                            I F=f(V SD)
                                                          parameter: T j
         104
                                                                1000

                                            Ciss

103                                                                                                                                                                                       150 C, max

                                                         Coss

                                                                                           100

C [pF]                                                                                                                   25 C
                                                                                  I F [A]
                      102
                      101                   Crss

                            0                                                                  10            150 C

Rev. 2.2                                                                                                                 25 C, max

                                                                                               1

                               20                 40  60                                            0.0      0.5         1.0                                                         1.5   2.0

                                       V DS [V]                                                                          V SD [V]                                                         2010-08-31

                                                      page 6
13 Avalanche characteristics                                                                                 BSC100N06LS3 G
I AS=f(t AV); R GS=25                                                14 Typ. gate charge
parameter: T j(start)                                                V GS=f(Q gate); I D=50 A pulsed
                                                                     parameter: V DD
      100
                                                                              12

                                                                                                                                                                                         30 V

                                                                                                     10

                                                                                                                                                       12 V      48 V

                                                                                                     8

          I AV [A]
                                                                                           V GS [V]
                         10              125 C 100 C  25 C                                        6

                                                                                                     4

                                                                                                     2

                         1                                                                           0
                          0.1
                                      1      10         100    1000                                     0                   10               20              30                                40

                                             t AV [s]                                                                          Q gate [nC]

15 Drain-source breakdown voltage                                    16 Gate charge waveforms
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA

                         70

                                                                                                      V GS

                                                                                                                                         Qg

                         60

          V BR(DSS) [V]                                                                                    V g s(th)
                         50

                                                                                                     Q g(th)                                 Q sw                                              Q gate
                                                                                                                                                 Q gd                                             2010-08-31
                         40                                                                                           Q gs

                             -60 -20     20  60 100 140 180

                                             T j [C]

Rev. 2.2                                                       page 7
                             BSC100N06LS3 G

Package Outline  PG-TDSON-8

Rev. 2.2         page 8      2010-08-31
                  BSC100N06LS3 G

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