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BSC057N08NS3G

器件型号:BSC057N08NS3G
器件类别:晶体管   
文件大小:328.28KB,共0页
厂商名称:INFINEON [Infineon Technologies AG]
厂商官网:http://www.infineon.com/
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器件描述

16 A, 80 V, 0.0057 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER,

16 A, 80 V, 0.0057 ohm, N沟道, , POWER,

参数

BSC057N08NS3G端子数量 5
BSC057N08NS3G最小击穿电压 80 V
BSC057N08NS3G加工封装描述 绿色, 塑料, TDSON-8
BSC057N08NS3G无铅 Yes
BSC057N08NS3G欧盟RoHS规范 Yes
BSC057N08NS3G中国RoHS规范 Yes
BSC057N08NS3G状态 ACTIVE
BSC057N08NS3G包装形状 矩形的
BSC057N08NS3G包装尺寸 SMALL OUTLINE
BSC057N08NS3G表面贴装 Yes
BSC057N08NS3G端子形式 FLAT
BSC057N08NS3G端子涂层 MATTE 锡
BSC057N08NS3G端子位置
BSC057N08NS3G包装材料 塑料/环氧树脂
BSC057N08NS3G结构 单一的 WITH BUILT-IN 二极管
BSC057N08NS3G壳体连接 DRAIN
BSC057N08NS3G元件数量 1
BSC057N08NS3G晶体管应用 开关
BSC057N08NS3G晶体管元件材料
BSC057N08NS3G通道类型 N沟道
BSC057N08NS3G场效应晶体管技术 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
BSC057N08NS3G操作模式 ENHANCEMENT
BSC057N08NS3G晶体管类型 通用电源
BSC057N08NS3G最大漏电流 16 A
BSC057N08NS3G额定雪崩能量 216 mJ
BSC057N08NS3G最大漏极导通电阻 0.0057 ohm
BSC057N08NS3G最大漏电流脉冲 400 A

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BSC057N08NS3G器件文档内容

                                                                            BSC057N08NS3 G

OptiMOSTM3 Power-Transistor                                Product Summary         80 V
                                                           V DS                    5.7 m
Features                                                   R DS(on),max            100 A
Ideal for high frequency switching and sync. rec.        ID
Optimized technology for DC/DC converters
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Very low on-resistance RDS(on)
Superior thermal resistance
N-channel, normal level
100% avalanche tested
Pb-free plating; RoHS compliant
Qualified according to JEDEC1) for target applications
Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type       BSC057N08NS3 G

Package    PG-TDSON-8

Marking    057N08NS

Maximum ratings, at T j=25 C, unless otherwise specified

Parameter                         Symbol Conditions                         Value                            Unit

Continuous drain current          ID    V GS=10 V, T C=25 C                100                              A

                                        V GS=10 V, T C=100 C               68

                                        V GS=10 V, T A=25 C,               16
                                        R thJA=50 K/W2)

Pulsed drain current3)            I D,pulse T C=25 C                       400

Avalanche energy, single pulse4)  E AS  I D=50 A, R GS=25                   216                              mJ

Gate source voltage               V GS                                      20                              V

1) J-STD20 and JESD22
2) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 m thick) copper area for drain

connection. PCB is vertical in still air.
3) See figure 3 for more detailed information

4) See figure 13 for more detailed information

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                                                                               BSC057N08NS3 G

Maximum ratings, at T j=25 C, unless otherwise specified

Parameter                            Symbol Conditions                         Value             Unit

Power dissipation                    P tot    T C=25 C                        114               W

                                              T A=25 C,                       2.5
                                              R thJA=50 K/W2)

Operating and storage temperature T j, T stg                                   -55 ... 150       C

IEC climatic category; DIN IEC 68-1                                            55/150/56

Parameter                            Symbol Conditions                         Values                 Unit
                                                                                 typ.       max.
                                                                         min.

Thermal characteristics

Thermal resistance, junction - case R thJC bottom                        -     -            1.1 K/W

                                              top                                           18

Device on PCB                        R thJA minimal footprint            -     -            62

                                              6 cm2 cooling area2)       -     -            50

Electrical characteristics, at T j=25 C, unless otherwise specified

Static characteristics               V (BR)DSS V GS=0 V, I D=1 mA        80    -            -V
Drain-source breakdown voltage
Gate threshold voltage               V GS(th) V DS=V GS, I D=73 A       2     2.8          3.5
Zero gate voltage drain current
                                     I DSS    V DS=80 V, V GS=0 V,       -     0.1          1 A
Gate-source leakage current                   T j=25 C
Drain-source on-state resistance
                                              V DS=80 V, V GS=0 V,       -     10           100
Gate resistance                               T j=125 C
Transconductance
                                     I GSS    V GS=20 V, V DS=0 V        -     10           100 nA

                                     R DS(on) V GS=10 V, I D=50 A        -     4.7          5.7 m

                                              V GS=6 V, I D=25 A         -     6.4          11

                                     RG                                  -     1.9          -

                                     g fs     |V DS|>2|I D|R DS(on)max,  40    80           -S
                                              I D=50 A

Rev. 2.4                                      page 2                                                2009-10-22
                                                                                    BSC057N08NS3 G

Parameter                      Symbol Conditions                                    Values            Unit
                                                                                      typ.  max.
                                                                              min.

Dynamic characteristics        C iss                                          -     2900    3900 pF
                                                                                    780     1000
Input capacitance              C oss                   V GS=0 V, V DS=40 V,   -      30
Output capacitance                                     f =1 MHz                      16       -
Reverse transfer capacitance                                                         14       - ns
Turn-on delay time             Crss                                           -      32       -
Rise time                                                                                     -
Turn-off delay time            t d(on)                                        -       9       -
Fall time
                               tr                      V DD=40 V, V GS=10 V,  -

                               t d(off)                I D=25 A, R G=1.6      -

                               tf                                             -

Gate Charge Characteristics5)  Q gs                                           -     13      - nC
Gate to source charge
Gate charge at threshold       Q g(th)                                        -     8       -
Gate to drain charge
Switching charge               Q gd                    V DD=40 V, I D=25 A,   -     8       -
Gate charge total
Gate plateau voltage           Q sw                    V GS=0 to 10 V         -     13      -
Output charge
                               Qg                                             -     42      56

                               V plateau                                      -     4.6     -V

                               Q oss                   V DD=40 V, V GS=0 V    -     56      75 nC

Reverse Diode

Diode continuous forward current I S                                          -     -       100 A

                                                       T C=25 C

Diode pulse current            I S,pulse                                      -     -       400

Diode forward voltage          V SD                    V GS=0 V, I F=50 A,    -     0.9     1.2 V
                                                       T j=25 C

Reverse recovery time          t rr                    V R=40 V, I F=25A,     -     48      - ns
Reverse recovery charge
                               Q rr                    di F/dt =100 A/s      -     77      - nC

5) See figure 16 for gate charge parameter definition

Rev. 2.4                                               page 3                                      2009-10-22
                                                                                                                                                                                                             BSC057N08NS3 G

1 Power dissipation                                                              2 Drain current
P tot=f(T C)                                                                     I D=f(T C); V GS10 V

                              150                                                                                            120

                              125                                                                                            100

                              100                                                                                            80

                              P tot [W]75                                                                                    60
                                                                                                               I D [A]

                              50                                                                                             40

                              25                                                                                             20

                              0                                                                                              0
                                 0 25 50 75 100 125 150 175                                                                     0 25 50 75 100 125 150 175

                                                           T C [C]                                                                                       T C [C]

3 Safe operating area                                                             4 Max. transient thermal impedance
I D=f(V DS); T C=25 C; D =0                                                      Z thJC=f(t p)
parameter: t p                                                                    parameter: D =t p/T

         103                                                                                    10

                                 limited by on-state                 1 s
                                 resistance

                      102                                             10 s                                                  1
                                                                     100 s
                      101     I D [A]                                                                                               0.5
                                                                                                               Z thJC [K/W]
                      100                                                                                                         0.2

                     10-1                                            1 ms                                                              0.1
                          10-1                                       10 ms
                                                                      DC                                                     0.1
Rev. 2.4
                                                                            102                                                         0.05

                                                                                                                                  0.02

                                                                                                                                  0.01
                                                                                                                                  single pulse

                                   100                          101                                                          0.01 0                             0                    0                    0                    0                    0                  1
                                                                                                                                  10-6
                                                                                                                                              10-5                 10-4                 10-3                 10-2                 10-1                 100

                                                      V DS [V]                                                                                                                          t p [s]

                                                                             page 4                                                                                                                                                                    2009-10-22
                                                                                                                                    BSC057N08NS3 G

5 Typ. output characteristics                                                                    6 Typ. drain-source on resistance
I D=f(V DS); T j=25 C                                                                           R DS(on)=f(I D); T j=25 C
parameter: V GS                                                                                  parameter: V GS

          400                                                                                            15

                              9V                                                                                 5 V 5.5 V  6V                7V
                     10 V
          360
                               8V

          320                                 7V

          280

                                                                                                         10

          I D [A]240
                                                                                           R DS(on) [m]
          200

          160                                 6V                                                                                                                                               8V
                                                                                                                                                                                                      9V
          120
                                                                                                         5
                                                                                       5.5 V
                                                                                                                                                                                                  10 V
           80

          40                                  5V

                                                                                   4.5 V                 00

          0

               0  1  2                 3          4                                           5               0 50 100 150 200 250 300 350 400

                        V DS [V]                                                                                                I D [A]

7 Typ. transfer characteristics                                                                  8 Typ. forward transconductance
I D=f(V GS); |V DS|>2|I D|R DS(on)max                                                            g fs=f(I D); T j=25 C
parameter: T j

          150                                                                                            160

          140

          130                                                                                            140

          120

          110                                                                                            120

          100

          90                                                                                             100

          I D [A]80
                                                                                           g fs [S]
                                                                                                         80

          70

          60                                                                                             60

          50

          40                                                                                             40

          30            150 C

                                       25 C

          20                                                                                             20

          10

          0                                                                                              0
             01234567
                                                                                              8               0  40             80       120      160

                        V GS [V]                                                                                                I D [A]

Rev. 2.4                                                                                      page 5                                              2009-10-22
9 Drain-source on-state resistance                                                                             BSC057N08NS3 G
R DS(on)=f(T j); I D=50 A; V GS=10 V                                    10 Typ. gate threshold voltage
                                                                        V GS(th)=f(T j); V GS=V DS
          10
                                                                                    4

8                                                                                              3

                                   max                                                                                                                   730 A
                                                                                                                                  73 A
6
                                                                                               2
                                                     typ
                                                                                               1
4

2
R DS(on) [m]
                                                                                 V GS(th) [V]

0                                                                                              0

     -60 -20                       20  60 100                 140 180                                -60 -20       20      60 100 140 180

                                       T j [C]                                                                        T j [C]

11 Typ. capacitances                                                    12 Forward characteristics of reverse diode
C =f(V DS); V GS=0 V; f =1 MHz                                          I F=f(V SD)
                                                                        parameter: T j

104                                                                                            1000

                                                              Ciss

103                                                                                                                             25 C

                                                              Coss

                                                                                               100                 150 C

                                                                                                                                                                 150C, max

C [pF]102                                                                                                                  25C, max
                                                                                 I F [A]

                                                                                          Crss

                                                                                             10
101

                      100                                                                      1
                            0
                               20      40                 60        80                               0.0      0.5          1.0                                   1.5           2.0
Rev. 2.4
                                       V DS [V]                                                                        V SD [V]                                              2009-10-22

                                                                    page 6
13 Avalanche characteristics                                                                                       BSC057N08NS3 G
I AS=f(t AV); R GS=25                                                       14 Typ. gate charge
parameter: T j(start)                                                       V GS=f(Q gate); I D=25 A pulsed
                                                                            parameter: V DD
        100
                                                                                      12

                                                                                                                                                                              40 V

                                                                                      10

                                                                                                     8                         16 V      64 V

                                             100 C     125 C 25 C

          I AV [A]       10                                                                          6
                                                                                           V GS [V]

                                                                                                     4

                                                                                                     2

                         1                                                                           0
                          0.1
                                      1      10         100           1000                              0            10    20  30        40    50

                                             t AV [s]                                                                     Q gate [nC]

15 Drain-source breakdown voltage                                           16 Gate charge waveforms
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA

                         100

                                                                                                       V GS

                         90                                                                                                Qg

                         80

          V BR(DSS) [V]  70
                                                                                                          V g s(th)

                         60

                         50                                                                          Q g(th)                   Q sw            Q gate
                                                                                                                                   Q gd           2009-10-22
                         40                                                                                          Q gs

                             -60 -20     20  60 100 140 180

                                             T j [C]

Rev. 2.4                                                              page 7
                    BSC057N08NS3 G

PG-TDSON-8

Rev. 2.4    page 8  2009-10-22
                  BSC057N08NS3 G

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Information
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Due to technical requirements, components may contain dangerous substances. For information
on the types in question, please contact the nearest Infineon Technologies Office.
Infineon Technologies components may be used in life-support devices or systems only with
the express written approval of Infineon Technologies, if a failure of such components can
reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system or to affect
the safety or effectiveness of that device or system. Life support devices or systems are
intended to be implanted in the human body or to support and/or maintain and sustain
and/or protect human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user
or other persons may be endangered.

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