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BSC042NE7NS3G

器件型号:BSC042NE7NS3G
器件类别:晶体管   
文件大小:327.15KB,共0页
厂商名称:INFINEON [Infineon Technologies AG]
厂商官网:http://www.infineon.com/
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器件描述

19 A, 75 V, 0.0042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER,

19 A, 75 V, 0.0042 ohm, N沟道, , POWER,

参数

BSC042NE7NS3G端子数量 5
BSC042NE7NS3G最小击穿电压 75 V
BSC042NE7NS3G加工封装描述 GREEN, PLASTIC, TDSON-8
BSC042NE7NS3G无铅 Yes
BSC042NE7NS3G欧盟RoHS规范 Yes
BSC042NE7NS3G状态 ACTIVE
BSC042NE7NS3G包装形状 RECTANGULAR
BSC042NE7NS3G包装尺寸 SMALL OUTLINE
BSC042NE7NS3G表面贴装 Yes
BSC042NE7NS3G端子形式 FLAT
BSC042NE7NS3G端子涂层 NOT SPECIFIED
BSC042NE7NS3G端子位置 DUAL
BSC042NE7NS3G包装材料 PLASTIC/EPOXY
BSC042NE7NS3G结构 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
BSC042NE7NS3G壳体连接 DRAIN
BSC042NE7NS3G元件数量 1
BSC042NE7NS3G晶体管应用 SWITCHING
BSC042NE7NS3G晶体管元件材料 SILICON
BSC042NE7NS3G通道类型 N-CHANNEL
BSC042NE7NS3G场效应晶体管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
BSC042NE7NS3G操作模式 ENHANCEMENT
BSC042NE7NS3G晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER
BSC042NE7NS3G最大漏电流 19 A
BSC042NE7NS3G额定雪崩能量 220 mJ
BSC042NE7NS3G最大漏极导通电阻 0.0042 ohm
BSC042NE7NS3G最大漏电流脉冲 400 A

文档预览

BSC042NE7NS3G器件文档内容

                                                                            BSC042NE7NS3 G

OptiMOSTM3 Power-Transistor                                Product Summary         75 V
                                                           V DS                    4.2 m
Features                                                   R DS(on),max            100 A
Optimized technology for synchronous rectification       ID
Ideal for high frequency switching and DC/DC converters
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Superior thermal resistance
N-channel, normal level
100% avalanche tested
Pb-free plating; RoHS compliant
Qualified according to JEDEC1) for target applications
Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type       BSC042NE7NS3 G

Package    PG-TDSON-8
Marking    042NE7NS

Maximum ratings, at T j=25 C, unless otherwise specified

Parameter                       Symbol Conditions                           Value                            Unit

Continuous drain current        ID    V GS=10 V, T C=25 C                  100                              A

                                      V GS=10 V, T C=100 C                 83

                                      V GS=10 V, T A=25 C,                 19
                                      R thJA=50 K/W2)

Pulsed drain current3)          I D,pulse T C=25 C                         400

Avalanche energy, single pulse  E AS  I D=50 A, R GS=25                     220                              mJ

Gate source voltage             V GS                                        20                              V

1) J-STD20 and JESD22
2) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 m thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.
3) See figure 3 for more detailed information
4) See figure 13 for more detailed information

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                                                                               BSC042NE7NS3 G

Maximum ratings, at T j=25 C, unless otherwise specified

Parameter                            Symbol Conditions                         Value             Unit

Power dissipation                    P tot    T C=25 C                        125               W

                                              T A=25 C,                       2.5
                                              R thJA=50 K/W2)

Operating and storage temperature T j, T stg                                   -55 ... 150       C

IEC climatic category; DIN IEC 68-1                                            55/150/56

Parameter                            Symbol Conditions                         Values                 Unit
                                                                                 typ.       max.
                                                                         min.

Thermal characteristics

Thermal resistance, junction - case R thJC                               -     -            1 K/W

                                              top                                           18

Device on PCB                        R thJA minimal footprint            -     -            62

                                              6 cm2 cooling area2)       -     -            50

Electrical characteristics, at T j=25 C, unless otherwise specified

Static characteristics

Drain-source breakdown voltage       V (BR)DSS V GS=0 V, I D=1 mA        75    -            -V

Gate threshold voltage               V GS(th) V DS=V GS, I D=91 A       2.3   3.1          3.8

Zero gate voltage drain current      I DSS    V DS=75 V, V GS=0 V,       -     0.1          1 A
                                              T j=25 C

                                              V DS=75 V, V GS=0 V,       -     10           100
                                              T j=125 C

Gate-source leakage current          I GSS    V GS=20 V, V DS=0 V        -     10           100 nA
Drain-source on-state resistance
Gate resistance                      R DS(on) V GS=10 V, I D=50 A        -     3.7          4.2 m

Transconductance                     RG                                  -     2.2          -

                                     g fs     |V DS|>2|I D|R DS(on)max,  44    89           -S
                                              I D=50 A

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                                                                                     BSC042NE7NS3 G

Parameter                      Symbol Conditions                                     Values            Unit
                                                                                       typ.  max.
                                                                               min.

Dynamic characteristics        C iss                                           -     3600    4800 pF
                                                                                     810     1100
Input capacitance              C oss                   V GS=0 V, V DS=37.5 V,  -      40
Output capacitance                                     f =1 MHz                       14       -
Reverse transfer capacitance                                                          17       - ns
Turn-on delay time             Crss                                            -      34       -
Rise time                                                                                      -
Turn-off delay time            t d(on)                                         -       9       -
Fall time
                               tr                      V DD=37.5 V,            -
Gate Charge Characteristics5)
Gate to source charge                                  V GS=10 V, I D=25 A,
Gate to drain charge
Switching charge               t d(off)                R G=1.8                 -
Gate charge total
Gate plateau voltage           tf                                              -
Output charge
                               Q gs                                            -     18.3    - nC

                               Q gd                                            -     10.4    -

                               Q sw                    V DD=37.5 V, I D=50 A,  -     17.6    -
                                                       V GS=0 to 10 V

                               Qg                                              -     52      69

                               V plateau                                       -     5.1     -V

                               Q oss                   V DD=37.5 V, V GS=0 V   -     53      71

Reverse Diode

Diode continuous forward current I S                                           -     -       100 A

                                                       T C=25 C

Diode pulse current            I S,pulse                                       -     -       400

Diode forward voltage          V SD                    V GS=0 V, I F=50 A,     -     0.9     1.2 V
                                                       T j=25 C

Reverse recovery time          t rr                                            -     44      - ns
Reverse recovery charge
                                                       V R=40 V, I F=25A,

                               Q rr                    di F/dt =100 A/s       -     64      - nC

5) See figure 16 for gate charge parameter definition

Rev. 2.21                                              page 3                                       2009-11-11
                                                                                                                                          BSC042NE7NS3 G

1 Power dissipation                                                                   2 Drain current
P tot=f(T C)                                                                          I D=f(T C); V GS10 V

           150                                                                                 120

           125                                                                                 100

           100                                                                                 80

P tot [W]  75                                                                                  60
                                                                                  I D [A]

           50                                                                                  40

           25                                                                                  20

           0                                                                                      0
              0 25 50 75 100 125 150 175                                                             0 25 50 75 100 125 150 175
                                        T C [C]                                                                               T C [C]

3 Safe operating area                                                                 4 Max. transient thermal impedance
I D=f(V DS); T C=25 C; D =0                                                          Z thJC=f(t p)
parameter: t p                                                                        parameter: D =t p/T

         103                                                                                   10

                                  limited by on-state                      1 s
                                  resistance                          10 s

         102

                                                                      100 s                   1

I D [A]                                                                                                0.5
                                                                                 Z thJC [K/W]
           101

                                                                      1 ms                             0.2

           100                                                        10 ms                    0.1 0.1
                                                                       DC
           10-1                                                                                           0.05
               10-1
                                                                                                       0.02

                                                                                                       0.01

                                                                                                                single pulse

                                                                                               0.01 0           0             0     0        0     0     1

                     100                                         101             102           10-6             10-5          10-4  10-3     10-2  10-1  100

                                                       V DS [V]                                                                     t p [s]

Rev. 2.21                                                                        page 4                                                                  2009-11-11
5 Typ. output characteristics                                                                               BSC042NE7NS3 G
I D=f(V DS); T j=25 C                                               6 Typ. drain-source on resistance
parameter: V GS                                                      R DS(on)=f(I D); T j=25 C
                                                                     parameter: V GS
400
                                                                              12

360                                  10 V

                                                                                               10 5 V 5.5 V       6V                    7V

320                                                      7V

280

                                                                                               8

I D [A]240
                                                                                 R DS(on) [m]
200                                                                                            6

160

                                                         6V                                    4

120                                                                                                                                          10 V

80                                                       5.5 V

                                                         5V                                    2
                                                         4.5 V
40
                                                                  3
0                                                                                              0

     0                            1            2                                                    0        100          200           300        400

                                     V DS [V]                                                                             I D [A]

7 Typ. transfer characteristics                                      8 Typ. forward transconductance
I D=f(V GS); |V DS|>2|I D|R DS(on)max                                g fs=f(I D); T j=25 C
parameter: T j
                                                                                               200
        200

160                                                                                            160

120                                                                                            120

I D [A]
                                                                                  g fs [S]

80                                                                                             80

                       40                                                                      40

                         0           150 C    25 C
                            0
                                                                                               0
Rev. 2.21
                               2     4                6      8                                      0  40             80           120  160        200

                                     V GS [V]                                                                             I D [A]

                                                             page 5                                                                                2009-11-11
9 Drain-source on-state resistance                                                                                                       BSC042NE7NS3 G
R DS(on)=f(T j); I D=50 A; V GS=10 V                                                              10 Typ. gate threshold voltage
                                                                                                  V GS(th)=f(T j); V GS=V DS
         8
                                                                                                            4
6
                                                                                                                                                                          910 A
R DS(on) [m]                            max
                                                                                      V GS(th) [V]          3
4                                                typ
                                                                                                                                                   91 A

                                                                                                            2

2                                                                                                   1

0                                                                                                   0

   -60                         -20      20       60    100 140 180                                     -60  -20       20  60            100 140 180

                                             T j [C]                                                                     T j [C]

11 Typ. capacitances                                                                              12 Forward characteristics of reverse diode
C =f(V DS); V GS=0 V; f =1 MHz                                                                    I F=f(V SD)
                                                                                                  parameter: T j
         104
                                                                                                        1000

                                                               Ciss

                                                                                                                                             150C, max

103                                                                                                 100

                                                               Coss

C [pF]                                                                                                                           25 C
                                                                                  I F [A]                             150 C

102                                                                                                 10

                                                               Crss

                                                                                                                          25C, max

                      101           15       30        45  60        75                             1            0.5      1.0           1.5     2.0
                            0                                                                        0.0
                                                                                                                                               2009-11-11
Rev. 2.21                                    V DS [V]                                                                     V SD [V]

                                                                     page 6
13 Avalanche characteristics                                                                               BSC042NE7NS3 G
I AS=f(t AV); R GS=25                                               14 Typ. gate charge
parameter: T j(start)                                               V GS=f(Q gate); I D=50 A pulsed
                                                                    parameter: V DD
       100
                                                                             12

                                                                                                                                                                                40 V

                                                                                            10

                                                                                                                                     20 V      60 V

                                   125 C 100 C       25 C                                8

I AV [A]       10                                                                           6
                                                                                  V GS [V]

                                                                                            4

                                                                                            2

               1                                                                            0
                0.1
                            1      10             100         1000                             0             10    20      30        40    50                                         60

                                   t AV [s]                                                                           Q gate [nC]

15 Drain-source breakdown voltage                                   16 Gate charge waveforms
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA

               90

                                                                                             V GS

               85                                                                                                      Qg

               80

V BR(DSS) [V]  75
                                                                                                  V g s(th)

               70

               65                                                                           Q g(th)                        Q sw                                                       Q gate
                                                                                                                               Q gd                                                      2009-11-11
               60                                                                                            Q gs

                   -60 -20     20  60         100 140 180

                                   T j [C]

Rev. 2.21                                                     page 7
                               BSC042NE7NS3 G

PG-TDSON-8 (SuperSO8)

Rev. 2.21              page 8  2009-11-11
                   BSC042NE7NS3 G

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Rev. 2.21  page 9                                                                                2009-11-11
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