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BSC027N03SG

器件型号:BSC027N03SG
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厂商名称:INFINEON [Infineon Technologies AG]
厂商官网:http://www.infineon.com/
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BSC027N03SG器件文档内容

                                                                             BSC027N03S G

OptiMOSTM2 Power-Transistor                                 Product Summary         30 V
                                                            V DS                   2.7 m
Features                                                    R DS(on),max           100 A
Fast switching MOSFET for SMPS                            ID
Optimized technology for notebook DC/DC converters
Qualified according to JEDEC1 for target applications                      PG-TDSON-8
Logic level / N-channel
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Very low on-resistance R DS(on)
Superior thermal resistance
Avalanche rated; dv/dt rated
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type                  Package               Marking
BSC027N03S            PG-TDSON-8            27N03S

Maximum ratings, at T j=25 C, unless otherwise specified

Parameter                            Symbol Conditions                  Value            Unit
                                                                          100            A
Continuous drain current             ID         T C=25 C                  90
                                                                           25            mJ
                                                T C=100 C                200            kV/s
                                                                          800            V
                                                T A=25 C,                               W
                                                R thJA=45 K/W2)            6
                                                                                         C
Pulsed drain current                 I D,pulse  T C=25 C3)               20              2009-10-22
Avalanche energy, single pulse       E AS       I D=50 A, R GS=25          89
                                                                          2.8
Reverse diode dv /dt                 dv /dt     I D=50 A, V DS=24 V,  -55 ... 150
                                                di /dt =200 A/s,     55/150/56
                                                T j,max=150 C

Gate source voltage                  V GS

Power dissipation                    P tot      T C=25 C

                                                T A=25 C,
                                                R thJA=45 K/W2)

Operating and storage temperature T j, T stg

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

Rev. 1.4                                        page 1
                                                                                  BSC027N03S G

Parameter                         Symbol Conditions                          Values            Unit
                                                                               typ.  max.
                                                                       min.

Thermal characteristics

Thermal resistance, junction - case R thJC  bottom                     -     -       1.4 K/W
                                            top
                                            minimal footprint                        18
                                            6 cm2 cooling area2)
Thermal resistance,               R thJA                               -     -       62
junction - ambient
                                                                       -     -       45

Electrical characteristics, at T j=25 C, unless otherwise specified

Static characteristics

Drain-source breakdown voltage    V (BR)DSS V GS=0 V, I D=1 mA         30    -       -V
                                                                                     2
Gate threshold voltage            V GS(th) V DS=V GS, I D=90 A        1.2   1.6
                                                                                     1 A
Zero gate voltage drain current   I DSS     V DS=30 V, V GS=0 V,       -     0.1
                                            T j=25 C

                                            V DS=30 V, V GS=0 V,       -     10      100
                                            T j=125 C

Gate-source leakage current       I GSS     V GS=20 V, V DS=0 V        -     10      100 nA
Drain-source on-state resistance
                                  R DS(on) V GS=4.5 V, I D=50 A        -     3.1     3.9 m
Gate resistance
Transconductance                            V GS=10 V, I D=50 A        -     2.3     2.7

                                  RG                                   -     1.2     -

                                  g fs      |V DS|>2|I D|R DS(on)max,  63    127     -S
                                            I D=50 A

1)J-STD20 and JESD22
2) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 m thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.

3) See figure 3

Rev. 1.4                                    page 2                                                           2009-10-22
                                                                                          BSC027N03S G

Parameter                        Symbol Conditions                                  Values            Unit
                                                                                      typ.  max.
                                                                              min.

Dynamic characteristics          C iss                                        -     4920    6540 pF
Input capacitance                                                                   1750    2330
Output capacitance               C oss                 V GS=0 V, V DS=15 V,   -     220     330
Reverse transfer capacitance                           f =1 MHz                      8.8
Turn-on delay time                                                                           13 ns
Rise time                        Crss                                         -       8      12
Turn-off delay time                                                                  39      58
Fall time                        t d(on)                                      -       6      10

Gate Charge Characteristics4)    tr                    V DD=15 V, V GS=10 V,  -
Gate to source charge
Gate charge at threshold         t d(off)              I D=25 A, R G=2.7      -
Gate to drain charge
Switching charge                 tf                                           -
Gate charge total
Gate plateau voltage             Q gs                                         -     14      19 nC

Gate charge total, sync. FET     Q g(th)                                      -     7.9     10

Output charge                    Q gd                  V DD=15 V, I D=25 A,   -     10      14

                                 Q sw                  V GS=0 to 5 V          -     16      22

                                 Qg                                           -     38      51

                                 V plateau                                    -     2.8     -V

                                 Q g(sync)             V DS=0.1 V,            -     33      44 nC
                                                       V GS=0 to 5 V

                                 Q oss                 V DD=15 V, V GS=0 V    -     39      52

Reverse Diode                    IS                                           -     -       50 A
Diode continous forward current  I S,pulse
Diode pulse current                                    T C=25 C
Diode forward voltage
                                                                              -     -       200
Reverse recovery charge
                                 V SD                  V GS=0 V, I F=50 A,    -     0.83    1V
                                                       T j=25 C

                                 Q rr                  V R=15 V, I F=I S,     -     -       18 nC
                                                       di F/dt =400 A/s

4) See figure 16 for gate charge parameter definition

Rev. 1.4                                               page 3                                     2009-10-22
                                                                                                                                                BSC027N03S G

1 Power dissipation                                                 2 Drain current
P tot=f(T C)                                                        I D=f(T C); V GS10 V

100                                                                                                 120

                                                                                          100
80

                                                                                            80
60

                                                                                            60

40
                                                                                            40

20
                                                                                            20
P tot [W]
                                                                                  I D [A]

0                                                                                                   0

     0                          40       80             120    160                                        0                  40        80             120   160

                                         T C [C]       10 s                                                                    T C [C]

3 Safe operating area                                               4 Max. transient thermal impedance
                                                                    Z thJC=f(t p)
I D=f(V DS); T C=25 C; D =0                                        parameter: D =t p/T
parameter: t p
                                                                             101
         103

                   limited by on-state
                   resistance

102                                                100 s                                           100

                                                                                                                0.5

I D [A]                                                                                                         0.2
                                                                                      Z thJC [K/W]
                                                         1 ms                                                   0.1
                      101                          10 ms
                                                                                                    10-1 0.05
                      100                           DC
                          10-1                                                                                0.02
                                                                                                               0.01
Rev. 1.4                                                                                                       single pulse

                                                                                                    10-2

                                    100            101         102                                       10-5        10-4        10-3           10-2  10-1  100

                                         V DS [V]                                                                                      t p [s]

                                                               page 4                                                                                       2009-10-22
                                                                                                                                              BSC027N03S G

5 Typ. output characteristics                                                6 Typ. drain-source on resistance
I D=f(V DS); T j=25 C                                                       R DS(on)=f(I D); T j=25 C
parameter: V GS                                                              parameter: V GS

          200                                                                                            10

                  10 V               4V                                                                                      3V

                                                                                                                                     3.2 V        3.4 V

          160                                                                                 8

                           4.5 V                                   3.7 V

          120
          I D [A]                                                                                        6
                                                                                           R DS(on) [m]
          80                                                       3.4 V                                                                                 3.7 V
                                                                                                                                                           4V
                                                                                               4                                                         4.5 V
                                                                                                                                                           10 V
                                                                   3.2 V
                                                                                                                                                               100
          40                                                       3V                                    2

                                                                   2.8 V

          0                                                                                              0

               0                         1                  2             3                                   0                        50
                                                                                                                                     I D [A]
                                               V DS [V]

7 Typ. transfer characteristics                                              8 Typ. forward transconductance
I D=f(V GS); |V DS|>2|I D|R DS(on)max                                        g fs=f(I D); T j=25 C
parameter: T j
                                                                                                         160
        200

          160
                                                                                                      120

          120
                                                                                                        80

           80
          I D [A]
                                                                                           g fs [S]

                                                                                                      40
          40

                                            150 C       25 C

          0                                                                                              0

               0                  1         2            3      4         5                                   0                  25           50            75

                                               V GS [V]                                                                              I D [A]             2009-10-22

Rev. 1.4                                                                  page 5
9 Drain-source on-state resistance                                                                                                                                                                                                                                                          BSC027N03S G
R DS(on)=f(T j); I D=50 A; V GS=10 V                                                                                                                                                                                                             10 Typ. gate threshold voltage
                                                                                                                                                                                                                                                 V GS(th)=f(T j); V GS=V DS
           5                                                                                                                                                                                                                                     parameter: I D

                                                                                                                                                                                                                                                          2.4

4                                                                                                                                                                                                                                                     2

                                                                                                                                                                                                             98 %                                                                                         900 A
R DS(on) [m]3
                                                                                 V GS(th) [V]                                                                                                                                                       1.6
                                                   typ
                                                                                                                                                                                                                                                                                          90 A
2
                                                                                                                                                                                                                                                    1.2
1
                                                                                                                                                                                                                                                    0.8

                                                                                                                                                                                                                                                    0.4

0                                                                                                                                                                                                                                                   0

                                                  -60                                                                                                                                                   -10      40            90      140  190        -60  -10  40            90                                 140                           190

                                                                                                                                                                                                                     T j [C]                                        T j [C]

11 Typ. capacitances                                                                                                                                                                                                                             12 Forward characteristics of reverse diode
C =f(V DS); V GS=0 V; f =1 MHz                                                                                                                                                                                                                   I F=f(V SD)
                                                                                                                                                                                                                                                 parameter: T j
104 10000
                                                                                                                                                                                                                                                          103

C [pF]103                                                                                                                                                                                                          Ciss                                                                      150 C 25 C
                                                                                 I F [A]1000                                                                                                                       Coss                                                                                                            150 C, 98%

                                                                                                                                                                                                                      Crss                          102

                                                                                                                                                                                                                                                                                                              25 C, 98%

                                                                                                                                                                                                                                                    101

                   102                                                                                                                                                                                                                              100
                                                                                                                                                                                                   100
                         0                                                                                                                                                                                   10                    20       30           0  0.5      1                                            1.5                              2

Rev. 1.4                                                                                                                                                                                                           V DS [V]                                      V SD [V]                                                                       2009-10-22

                                                                                                                                                                                                                                            page 6
13 Avalanche characteristics                                                  14 Typ. gate charge                                             BSC027N03S G
I AS=f(t AV); R GS=25                                                         V GS=f(Q gate); I D=25 A pulsed
parameter: T j(start)                                                         parameter: V DD                                                                           15 V
                                                                                                                                                           6V
      100                                                                              12
                                                                                                                                                                      24 V
                                                                       25 C                         10

                                                             100 C

                                               125 C                                                8

          I AV [A]       10                                                                          6
                                                                                           V GS [V]

                                                                                                     4

                                                                                                     2

                         1                                                                           0

                             1         10                    100       1000                              0                  25                50  75

                                           t AV [s]                                                                            Q gate [nC]

15 Drain-source breakdown voltage                                             16 Gate charge waveforms
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA

                         38

                                                                                                     V GS

                         35                                                                                                     Qg

                         32

          V BR(DSS) [V]  29
                                                                                                           V g s(th)

                         26

                         23                                                                          Q g(th)                        Q sw          Q gate
                                                                                                                                        Q gd         2009-10-22
                         20                                                                                           Q gs

                             -60  -10      40            90       140  190

                                               T j [C]

Rev. 1.4                                                                      page 7
                                BSC027N03S G

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P-TDSON-8: Outline

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                                    BSC027N03S G

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P-TDSON-8: Tape

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Rev. 1.4
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