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BSC026NE2LS5

器件型号:BSC026NE2LS5
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厂商名称:INFINEON [Infineon Technologies AG]
厂商官网:http://www.infineon.com/
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BSC026NE2LS5器件文档内容

MOSFET

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

OptiMOSTM

OptiMOSTM5Power-MOSFET,25V
BSC026NE2LS5

DataSheet

Rev.2.0
Final

PowerManagement&Multimarket
                                                      OptiMOSTM5Power-MOSFET,25V
                                                                                BSC026NE2LS5

1Description                                                              SuperSO8

Features                                                        8 7 65               56 78

Optimizedforhighperformancebuckconverters                      1             4
Verylowon-resistanceRDS(on)@VGS=4.5V                               2 34           321
100%avalanchetested
Superiorthermalresistance
N-channel
QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications
Pb-freeleadplating;RoHScompliant
Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

Table1KeyPerformanceParameters                                            S1                8D

Parameter              Value            Unit                              S2                7D

VDS                    25               V

RDS(on),max            2.6              m                                 S3                6D

ID                     82               A                                 G4                5D

QOSS                   7.6              nC

QG(0V..4.5V)           5.6              nC

Type/OrderingCode           Package                    Marking  RelatedLinks
BSC026NE2LS5                PG-TDSON-8                26NE2LS5                    -

1) J-STD20 and JESD22

Final Data Sheet                                   2                          Rev.2.0,2015-03-10
                                                                  OptiMOSTM5Power-MOSFET,25V

                                                                                            BSC026NE2LS5

TableofContents

    Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
    Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
    Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
    Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
    Electrical characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
    Package Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
    Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
    Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

Final Data Sheet  3  Rev.2.0,2015-03-10
                                                         OptiMOSTM5Power-MOSFET,25V
                                                                                   BSC026NE2LS5

2Maximumratings

atTj=25C,unlessotherwisespecified

Table2Maximumratings                  Symbol          Values       Unit Note/TestCondition

Parameter                                       Min.  Typ. Max.

                                                -     -       82            VGS=10V,TC=25C
                                                -                           VGS=10V,TC=100C
                                                -     -       52   A VGS=4.5V,TC=25C
                                                -                           VGS=4.5V,TC=100C
Continuous drain current              ID        -     -       66            VGS=10V,TA=25C,RthJA=50K/W1)

                                                -     -       42

                                                -     -       24

Pulsed drain current2)                ID,pulse  -     -       328  A TC=25C
Avalanche current, single pulse3)     IAS
Avalanche energy, single pulse        EAS       -16   -       35   A TC=25C
Gate source voltage                   VGS                          mJ ID=35A,RGS=25
Power dissipation                     Ptot      -     -       14
                                                -
Operating and storage temperature     Tj,Tstg         -       16   V-
                                                -55
                                                      -       29   W   TC=25C
                                                                       TA=25C,RthJA=50K/W1)
                                                      -       2.5

                                                      -       150  C  IEC climatic category;
                                                                       DIN IEC 68-1: 55/150/56

3Thermalcharacteristics

Table3Thermalcharacteristics

Parameter                             Symbol          Values       Unit Note/TestCondition
                                                                   K/W -
                                                Min.  Typ. Max.
                                                -
Thermal resistance, junction - case   RthJC           -       4.3
                                      RthJC
Thermal resistance, junction - case,  RthJA     -     -       20 K/W -
top
                                                -     -       50 K/W -
Device on PCB,
6 cm2 cooling area1)

1) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 m thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.
2) See figure 3 for more detailed information
3) See figure 13 for more detailed information

Final Data Sheet                                   4                          Rev.2.0,2015-03-10
                                                                     OptiMOSTM5Power-MOSFET,25V
                                                                                               BSC026NE2LS5

4Electricalcharacteristics

Table4Staticcharacteristics

Parameter                         Symbol                          Values     Unit Note/TestCondition

                                                            Min.  Typ. Max.
                                                            25
Drain-source breakdown voltage    V(BR)DSS                  1.2   -       -  V VGS=0V,ID=1mA
Gate threshold voltage            VGS(th)                   -
Zero gate voltage drain current   IDSS                      -     1.6 2      V   VDS=VGS,ID=250A
Gate-source leakage current       IGSS                      -
Drain-source on-state resistance  RDS(on)                   -     0.1 1      A  VDS=20V,VGS=0V,Tj=25C
Gate resistance                   RG                        -     10 100         VDS=20V,VGS=0V,Tj=125C
Transconductance                  gfs                       -
                                                            55    10 100     nA VGS=16V,VDS=0V

                                                                  3.0 4.0    m   VGS=4.5V,ID=30A
                                                                  2.2 2.6        VGS=10V,ID=30A

                                                                  0.7 1.2    -

                                                                  110 -      S   |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=30A

Table5Dynamiccharacteristics

Parameter                         Symbol                    Min.  Values     Unit Note/TestCondition
                                                            -     Typ. Max.
Input capacitance1)               Ciss                      -     780 1100   pF VGS=0V,VDS=12V,f=1MHz
                                                            -     390 530
Output capacitance1)              Coss                      -     38 -       pF VGS=0V,VDS=12V,f=1MHz

Reverse transfer capacitance      Crss                      -                pF VGS=0V,VDS=12V,f=1MHz

Turn-on delay time                td(on)                    -     3       -  ns  VDD=12V,VGS=10V,ID=30A,
                                                                                 RG,ext=1.6
                                                            -
Rise time                         tr                              3       -  ns  VDD=12V,VGS=10V,ID=30A,
                                                                                 RG,ext=1.6

Turn-off delay time               td(off)                         13 -       ns  VDD=12V,VGS=10V,ID=30A,
                                                                                 RG,ext=1.6

Fall time                         tf                              2       -  ns  VDD=12V,VGS=10V,ID=30A,
                                                                                 RG,ext=1.6

Table6Gatechargecharacteristics2)

Parameter                         Symbol                    Min.  Values     Unit Note/TestCondition
                                                            -     Typ. Max.
Gate to source charge             Qgs                       -     2.0 -      nC VDD=12V,ID=30A,VGS=0to4.5V
Gate charge at threshold          Qg(th)                    -     1.2 -      nC VDD=12V,ID=30A,VGS=0to4.5V
Gate to drain charge              Qgd                       -     1.4 -      nC VDD=12V,ID=30A,VGS=0to4.5V
Switching charge                  Qsw                       -     2.2 -      nC VDD=12V,ID=30A,VGS=0to4.5V
Gate charge total                 Qg                        -     5.6 7.8    nC VDD=12V,ID=30A,VGS=0to4.5V
Gate plateau voltage              Vplateau                  -     2.6 -      V VDD=12V,ID=30A,VGS=0to4.5V
Gate charge total                 Qg                        -     12 16      nC VDD=12V,ID=30A,VGS=0to10V
Gate charge total, sync. FET      Qg(sync)                  -     4.8 -      nC VDS=0.1V,VGS=0to4.5V
Output charge                     Qoss                            7.6 -      nC VDD=12V,VGS=0V
                                                               5
     1) Defined by design. Not subject to production test                        Rev.2.0,2015-03-10
     2) See Gate charge waveforms for parameter definition
Final Data Sheet
                                                     OptiMOSTM5Power-MOSFET,25V
                                                                               BSC026NE2LS5

Table7Reversediode                Symbol          Values       Unit Note/TestCondition

Parameter                         IS        Min.  Typ. Max.    A TC=25C
                                  IS,pulse  -                  A TC=25C
Diode continuous forward current  VSD       -     -       29   V VGS=0V,IF=30A,Tj=25C
Diode pulse current               Qrr       -                  nC VR=12V,IF=IS,diF/dt=400A/s
Diode forward voltage                       -     -       328
Reverse recovery charge
                                                  0.84 1

                                                  7       -

Final Data Sheet                            6                  Rev.2.0,2015-03-10
                                                                                                            OptiMOSTM5Power-MOSFET,25V
                                                                                                                                      BSC026NE2LS5

5Electricalcharacteristicsdiagrams

Diagram1:Powerdissipation                                                  Diagram2:Draincurrent
       35                                                                        100

30
                                                                                                      80

25

                                                                                                      60
20
Ptot[W]
                                                                                          ID[A]
15
                                                                                                      40

10
                                                                                                      20

5

         0                                                                                            0
            0
                  40       80                                    120  160                                   0                 40        80            120        160
Ptot=f(TC)
                           TC[C]                                                                                                       TC[C]

                                                                           ID=f(TC);VGS10V

Diagram3:Safeoperatingarea                                                 Diagram4:Max.transientthermalimpedance
      103                                                                        101
                                                     1 s
                                                          10 s                                                   0.5
      102
                                                      100 s                                          100 0.2

      101
                                                       1 ms

                                            DC 10 ms

      100
ID[A]                                                                                                             0.1
                                                                                          ZthJC[K/W]
                                                                                                                  0.05

                                                                                                                  0.02

                                                                                                      10-1        0.01

                                                                                                                  single pulse

10-1                  100           101                               102                             10-2  10-6        10-5      10-4  10-3    10-2       10-1  100
     10-1

                           VDS[V]                                                                                                       tp[s]

ID=f(VDS);TC=25C;D=0;parameter:tp                                         ZthJC=f(tp);parameter:D=tp/T

Final Data Sheet                                                      7                                                                        Rev.2.0,2015-03-10
                                                                                                           OptiMOSTM5Power-MOSFET,25V
                                                                                                                                     BSC026NE2LS5

Diagram5:Typ.outputcharacteristics                                                Diagram6:Typ.drain-sourceonresistance
      320                                                                                  6

                        10 V 5 V                                                                      5
                                    4.5 V                                                                  3.2 V

      240
                                       4V

                                                 3.5 V                                                4 3.5 V

ID[A]                                                                                                             4V
                                                                                          RDS(on)[m]
160                                                                                                   3           4.5 V
                                                                        3.2 V
                                                                                                                         5V
                                                                        3V
80                                                                                                               7V             8V

                                                                2.8 V                                                                            10 V

                                                                                                      2

                                                                                                      1

0                                                                                                     0

     0               1                        2                                3                           0      10         20         30  40         50

                           VDS[V]                                                                                                ID[A]

ID=f(VDS);Tj=25C;parameter:VGS                                                   RDS(on)=f(ID);Tj=25C;parameter:VGS

Diagram7:Typ.transfercharacteristics                                              Diagram8:Typ.forwardtransconductance
      320                                                                               400

                                                                                                      350

240                                                                                                   300

                                                                                                      250

ID[A]160                                                                                              200
                                                                                          gfs[S]

                                                                                                      150

80                                                                                                    100

                        150 C                                                                        50

                                 25 C

0                                                                                                     0

     0            1     2          3             4                             5                           0          80         160        240        320

                           VGS[V]                                                                                                ID[A]

ID=f(VGS);|VDS|>2|ID|RDS(on)max;parameter:Tj                                      gfs=f(ID);Tj=25C

Final Data Sheet                                                               8                                                      Rev.2.0,2015-03-10
                                                                                                           OptiMOSTM5Power-MOSFET,25V
                                                                                                                                     BSC026NE2LS5

Diagram9:Drain-sourceon-stateresistance                         Diagram10:Typ.gatethresholdvoltage
         5                                                             2.5

4                                                                                                     2.0
                                                                                                                                                    250 A
3
                                        typ                                                           1.5

2                                                                                                     1.0
RDS(on)[m]
                                                                                          VGS(th)[V]

1                                                                                                     0.5

0                                                                                                     0.0

     -60          -20    20      60              100  140  180                                             -60  -20    20   60                              100  140  180

                                 Tj[C]                                                                                     Tj[C]

RDS(on)=f(Tj);ID=30A;VGS=10V                                    VGS(th)=f(Tj);VGS=VDS;ID=250A

Diagram11:Typ.capacitances                                                                     Diagram12:Forwardcharacteristicsofreversediode
      104                                                                                            103
                                                                                                                      25 C
103                                          Ciss                                                                     150 C
102                                          Coss
                                                                                                     102
                   Crss
C[pF]                                                                                                101
                                                                                          IF[A]

101                                                                                                   100

     0            5          10              15       20   25                                              0.0         0.5                                  1.0       1.5

                                 VDS[V]                                                                                     VSD[V]

C=f(VDS);VGS=0V;f=1MHz                                                                         IF=f(VSD);parameter:Tj

Final Data Sheet                                           9                                                                    Rev.2.0,2015-03-10
                                                                                                     OptiMOSTM5Power-MOSFET,25V
                                                                                                                               BSC026NE2LS5

Diagram13:Avalanchecharacteristics                                                    Diagram14:Typ.gatecharge                    12 V
      102                                                                                    12
                                                                                                                   5V
                                                                     25 C                   10                                20 V
      101
                                                                                               8
                                                              100 C
                                               125 C
      100
IAV[A]                                                                                            6
                                                                                          VGS[V]

                                                                                                  4

                                                                                                  2

             10-1           101           102                                    103              0
                  100
                                                                                                     0       4  8              12       16

                                 tAV[s]                                                                        Qgate[nC]

IAS=f(tAV);RGS=25;parameter:Tj(start)                                                 VGS=f(Qgate);ID=30Apulsed;parameter:VDD

Diagram15:Drain-sourcebreakdownvoltage                                                Gate charge waveforms
       28

             27

             26

             25

VBR(DSS)[V]  24

             23

             22

             21

             20

             -60       -20  20   60       100                               140  180

                                 Tj[C]

VBR(DSS)=f(Tj);ID=1mA

Final Data Sheet                                                                 10                                Rev.2.0,2015-03-10
                                         OptiMOSTM5Power-MOSFET,25V
                                                                   BSC026NE2LS5

6PackageOutlines

Figure1OutlinePG-TDSON-8,dimensionsinmm

Final Data Sheet  11                     Rev.2.0,2015-03-10
                                       OptiMOSTM5Power-MOSFET,25V
                                                                 BSC026NE2LS5

                  Dimension in mm

Figure2OutlineTDSON-8Tape

Final Data Sheet                   12  Rev.2.0,2015-03-10
                                              OptiMOSTM5Power-MOSFET,25V
                                                                        BSC026NE2LS5

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BSC026NE2LS5

Revision:2015-03-10,Rev.2.0

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