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BSC026N08NS5

器件型号:BSC026N08NS5
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厂商名称:INFINEON [Infineon Technologies AG]
厂商官网:http://www.infineon.com/
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BSC026N08NS5器件文档内容

MOSFET

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

OptiMOSTM

OptiMOSTM5Power-Transistor,80V
BSC026N08NS5

DataSheet

Rev.2.1
Final

PowerManagement&Multimarket
                                                         OptiMOSTM5Power-Transistor,80V
                                                                                     BSC026N08NS5

1Description                                                                 SuperSO8

Features                                                           8 7 65               56 78

OptimizedforSynchronousRectificationinserveranddesktop            1             4
100%avalanchetested                                                   2 34           321
Superiorthermalresistance
N-channel
QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications
Pb-freeleadplating;RoHScompliant
Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

Table1KeyPerformanceParameters

Parameter              Value            Unit                                 S1                8D

VDS                    80               V                                    S2                7D

RDS(on),max            2.6              m                                    S3                6D

ID                     100              A                                    G4                5D

Qoss                   88               nC

QG(0V..10V)            74               nC

Type/OrderingCode           Package                       Marking  RelatedLinks
BSC026N08NS5                PG-TDSON-8                   026N08NS                    -

1) J-STD20 and JESD22

Final Data Sheet                              2                                  Rev.2.1,2015-08-31
                                                                OptiMOSTM5Power-Transistor,80V

                                                                                            BSC026N08NS5

TableofContents

    Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
    Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
    Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
    Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
    Electrical characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
    Package Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
    Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
    Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Final Data Sheet  3  Rev.2.1,2015-08-31
                                                         OptiMOSTM5Power-Transistor,80V
                                                                                     BSC026N08NS5

2Maximumratings

atTA=25C,unlessotherwisespecified

Table2Maximumratings                  Symbol          Values       Unit Note/TestCondition

Parameter                                       Min.  Typ. Max.

                                                -     -       100           VGS=10V,TC=25C
                                                -                  A VGS=10V,TC=100C
Continuous drain current              ID        -     -       100
                                                                            VGS=10V,TA=25C,RthJA=50K/W1)
Pulsed drain current2)                ID,pulse  -     -       23
Avalanche energy, single pulse3)      EAS       -
Gate source voltage                   VGS       -20   -       400  A TC=25C
Power dissipation                     Ptot      -                  mJ ID=50A,RGS=25
                                                -     -       370
Operating and storage temperature     Tj,Tstg
                                                -55   -       20   V-

                                                      -       156  W   TC=25C
                                                                       TA=25C,RthJA=50K/W1)
                                                      -       2.5

                                                      -       150  C  IEC climatic category;
                                                                       DIN IEC 68-1: 55/150/56

3Thermalcharacteristics

Table3Thermalcharacteristics

Parameter                             Symbol              Values
                                                                                Unit Note/TestCondition

                                                Min. Typ. Max.

Thermal resistance, junction - case,  RthJC     -     0.5 0.8 K/W -
bottom                                RthJC
                                      RthJA     -     -       20 K/W -
Thermal resistance, junction - case,
top                                             -     -       50 K/W -

Device on PCB,
6 cm2 cooling area1)

1) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 m thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.
2) See Diagram 3 for more detailed information
3) See Diagram 13 for more detailed information

Final Data Sheet                                   4                    Rev.2.1,2015-08-31
                                                                OptiMOSTM5Power-Transistor,80V
                                                                                            BSC026N08NS5

4Electricalcharacteristics

Table4Staticcharacteristics

Parameter                         Symbol                     Values       Unit Note/TestCondition

                                                       Min.  Typ. Max.
                                                       80
Drain-source breakdown voltage    V(BR)DSS             2.2   -       -    V VGS=0V,ID=1mA
Gate threshold voltage            VGS(th)              -
Zero gate voltage drain current   IDSS                 -     3       3.8  V   VDS=VGS,ID=115A
Gate-source leakage current       IGSS                 -
Drain-source on-state resistance  RDS(on)              -     0.1 1        A  VDS=80V,VGS=0V,Tj=25C
Gate resistance1)                 RG                   -     10 100           VDS=80V,VGS=0V,Tj=125C
Transconductance                  gfs                  -
                                                       60    10 100       nA VGS=20V,VDS=0V

                                                             2.2 2.6      m   VGS=10V,ID=50A
                                                             3.0 3.9          VGS=6V,ID=25A

                                                             1.9 2.9      -

                                                             120 -        S   |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=50A

Table5Dynamiccharacteristics

Parameter                         Symbol               Min.  Values       Unit Note/TestCondition
                                                       -     Typ. Max.
Input capacitance1)               Ciss                 -     5200 6800    pF VGS=0V,VDS=40V,f=1MHz
                                                       -     840 1100
Output capacitance1)              Coss                 -     38 66        pF VGS=0V,VDS=40V,f=1MHz
                                                             18 -
Reverse transfer capacitance1)    Crss                 -                  pF VGS=0V,VDS=40V,f=1MHz
                                                             14 -
Turn-on delay time                td(on)               -                  ns  VDD=40V,VGS=10V,ID=50A,
                                                             47 -             RG,ext=3
                                                       -
Rise time                         tr                         16 -         ns  VDD=40V,VGS=10V,ID=50A,
                                                                              RG,ext=3

Turn-off delay time               td(off)                                 ns  VDD=40V,VGS=10V,ID=50A,
                                                                              RG,ext=3

Fall time                         tf                                      ns  VDD=40V,VGS=10V,ID=50A,
                                                                              RG,ext=3

1) Defined by design. Not subject to production test.

Final Data Sheet                                       5                      Rev.2.1,2015-08-31
                                                                OptiMOSTM5Power-Transistor,80V

                                                                          BSC026N08NS5

Table6Gatechargecharacteristics1)

Parameter                         Symbol               Min.  Values       Unit Note/TestCondition
                                                       -     Typ. Max.
Gate to source charge             Qgs                  -     24 -         nC VDD=40V,ID=50A,VGS=0to10V
Gate charge at threshold          Qg(th)               -     14 -         nC VDD=40V,ID=50A,VGS=0to10V
Gate to drain charge2)            Qgd                  -     16 23        nC VDD=40V,ID=50A,VGS=0to10V
Switching charge                  Qsw                  -     25 -         nC VDD=40V,ID=50A,VGS=0to10V
Gate charge total2)               Qg                   -     74 92        nC VDD=40V,ID=50A,VGS=0to10V
Gate plateau voltage              Vplateau             -     4.5 -        V VDD=40V,ID=50A,VGS=0to10V
Gate charge total, sync. FET      Qg(sync)             -     64 -         nC VDS=0.1V,VGS=0to10V
Output charge2)                   Qoss                       88 117       nC VDD=40V,VGS=0V

Table7Reversediode                Symbol                     Values       Unit Note/TestCondition

Parameter                         IS                   Min.  Typ. Max.    A TC=25C
                                  IS,pulse             -                  A TC=25C
Diode continuous forward current  VSD                  -     -       100  V VGS=0V,IF=50A,Tj=25C
Diode pulse current               trr                  -                  ns VR=40V,IF=50A,diF/dt=100A/s
Diode forward voltage             Qrr                  -     -       400  nC VR=40V,IF=50A,diF/dt=100A/s
Reverse recovery time2)                                -
Reverse recovery charge2)                                    0.85 1.1

                                                             56 112

                                                             92 184

1) See Gate charge waveforms for parameter definition
2) Defined by design. Not subject to production test.

Final Data Sheet                                       6                  Rev.2.1,2015-08-31
                                                                                                      OptiMOSTM5Power-Transistor,80V
                                                                                                                                  BSC026N08NS5

5Electricalcharacteristicsdiagrams

Diagram1:Powerdissipation                                     Diagram2:Draincurrent
      180                                                           120

160
                                                                                                      100

140

120                                                                                                   80

100
                                                                                                       60

80
Ptot[W]
                                                                                          ID[A]

60                                                                                                    40

40
                                                                                                      20

20

         0                                                                                            0
            0
                  25  50   75 100 125 150 175                                                               0     25            50  75 100 125 150 175
Ptot=f(TC)
                           TC[C]                                                                                                         TC[C]

                                                              ID=f(TC);VGS10V

Diagram3:Safeoperatingarea                                    Diagram4:Max.transientthermalimpedance
      103                                                           100

                                                   1 s                                                           0.5

102                                        10 s                                                                  0.2

                                           100 s                                                     10-1        0.1

ID[A]                               1 ms                                                                          0.05
                                                                                          ZthJC[K/W]
101                                 10 ms                                                                           0.02
                                                                                                                  0.01
                            DC

                                                                                                      10-2        single pulse

100

10-1                  100           101                  102                                          10-3  10-6          10-5      10-4         10-3  10-2  10-1
     10-1

                           VDS[V]                                                                                                         tp[s]

ID=f(VDS);TC=25C;D=0;parameter:tp                            ZthJC=f(tp);parameter:D=tp/T

Final Data Sheet                                         7                                                                                       Rev.2.1,2015-08-31
                                                                                                      OptiMOSTM5Power-Transistor,80V
                                                                                                                                  BSC026N08NS5

Diagram5:Typ.outputcharacteristics                                  Diagram6:Typ.drain-sourceonresistance

      400                                                                                             6
                              10 V 7 V
                                                                                                              5V  5.5 V          6V
      360

                                                           6V                                         5

320

280

                                                                                                      4

240
ID[A]
                                                                                          RDS(on)[m]2005.5 V3                        7V
                                                                                                                                        10 V
160

120                                                                                  2
                                                           5V
80
                                                                                     1

40

0                                                                                                     0
                                                                                                        0 50 100 150 200 250 300 350 400
     0.0          0.5     1.0     1.5         2.0     2.5      3.0                                                                        ID[A]

                               VDS[V]

ID=f(VDS);Tj=25C;parameter:VGS                                     RDS(on)=f(ID);Tj=25C;parameter:VGS

Diagram7:Typ.transfercharacteristics                                Diagram8:Typ.forwardtransconductance
      400                                                                 160

360

320

                                                                                                      120

280

240

ID[A]200                                                                                              80
                                                                                          gfs[S]

160

120

                                                                                                      40

80

40                        150 C       25 C

0                                                                                                     0

     0                 2          4                6           8                                           0  20  40         60  80           100

                               VGS[V]                                                                                 ID[A]

ID=f(VGS);|VDS|>2|ID|RDS(on)max;parameter:Tj                        gfs=f(ID);Tj=25C

Final Data Sheet                                               8                                                         Rev.2.1,2015-08-31
                                                                                                      OptiMOSTM5Power-Transistor,80V
                                                                                                                                  BSC026N08NS5

Diagram9:Drain-sourceon-stateresistance                                    Diagram10:Typ.gatethresholdvoltage
         5                                                                          5

4                                                                                                     4

                                   max                                                                3                               1150 A
3

                                            typ
2
RDS(on)[m]                                                                                                                    115 A
                                                                                          VGS(th)[V]
                                                                                                      2

1                                                                                                     1

0                                                                                                     0

-60               -20      20  60                       100      140  180                                  -60  -20       20  60      100       140  180

                               Tj[C]                                                                                         Tj[C]

RDS(on)=f(Tj);ID=50A;VGS=10V                                               VGS(th)=f(Tj);VGS=VDS

Diagram11:Typ.capacitances                                                                     Diagram12:Forwardcharacteristicsofreversediode
      104                                                                                            103
                                                  Ciss                                                                25 C
                                                                                                                      150 C
      103                                                                                                             25 C, max
                                                  Coss                                                                150 C, max

      102                                                                                            102
C[pF]
                                                                                          IF[A]      101

                               Crss

101                                                                                                   100
      0
                       20      40                            60       80                                   0.0       0.5      1.0          1.5       2.0

                               VDS[V]                                                                                         VSD[V]

C=f(VDS);VGS=0V;f=1MHz                                                                         IF=f(VSD);parameter:Tj

Final Data Sheet                                                      9                                                               Rev.2.1,2015-08-31
                                                                                                  OptiMOSTM5Power-Transistor,80V
                                                                                                                              BSC026N08NS5

Diagram13:Avalanchecharacteristics                                                    Diagram14:Typ.gatecharge
      102                                                                                    10
                                                                     25 C
                                                                                                  9
                                                                    100 C                                                                                             40 V

      101                                                                                         8
                                                                    125 C
                                                                                                  7

                                                                                                  6

IAV[A]                                                                                            5          16 V  64 V
                                                                                          VGS[V]

                                                                                                  4

                                                                                                  3

                                                                                                  2

                                                                                                  1

             100           101           102                                     103              0
                 100
                                                                                                     0 10 20 30 40 50 60 70 80

                                tAV[s]                                                                      Qgate[nC]

IAS=f(tAV);RGS=25;parameter:Tj(start)                                                 VGS=f(Qgate);ID=50Apulsed;parameter:VDD

Diagram15:Drain-sourcebreakdownvoltage                                                Gate charge waveforms
       86

             84

             82

VBR(DSS)[V]  80

             78

             76

             -60      -20  20   60       100                                140  180

                                Tj[C]

VBR(DSS)=f(Tj);ID=1mA

Final Data Sheet                                                                 10                                Rev.2.1,2015-08-31
                                         OptiMOSTM5Power-Transistor,80V
                                                                     BSC026N08NS5

6PackageOutlines

Figure1OutlinePG-TDSON-8,dimensionsinmm

Final Data Sheet  11                     Rev.2.1,2015-08-31
                                              OptiMOSTM5Power-Transistor,80V
                                                                          BSC026N08NS5

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Final Data Sheet                          12                     Rev.2.1,2015-08-31
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