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BSC026N02KSG

器件型号:BSC026N02KSG
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厂商名称:INFINEON [Infineon Technologies AG]
厂商官网:http://www.infineon.com/
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BSC026N02KSG器件文档内容

                                                                            BSC026N02KS G

OptiMOSTM2 Power-Transistor                                Product Summary         20 V
                                                           V DS                    2.6 m
Features                                                   R DS(on),max            100 A
For fast switching converters and sync. rectification    ID
Qualified according to JEDEC1) for target applications
                                                                            PG-TDSON-8
Super Logic level 2.5V rated; N-channel
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Very low on-resistance R DS(on)
Superior thermal resistance
Avalanche rated
Pb-free plating; RoHS compliant
Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type           Package              Marking
BSC026N02KS G  PG-TDSON-8           026N02KS

Maximum ratings, at T j=25 C, unless otherwise specified

Parameter                       Symbol Conditions                           Value       Unit
                                                                             100        A
Continuous drain current        ID         V GS=4.5 V, T C=25 C              85
                                                                             100        mJ
Pulsed drain current                       V GS=4.5 V, T C=100 C             65        kV/s
Avalanche energy, single pulse                                                25        V
Reverse diode dv /dt                       V GS=2.5 V, T C=25 C             200
Gate source voltage                        V GS=2.5 V, T C=100 C            550
1) J-STD20 and JESD22
                                           V GS=4.5 V, T A=25 C,              6
                                           R thJA=45 K/W2)
                                                                             12
                                I D,pulse  T C=25 C3)
                                E AS
                                dv /dt     I D=50 A, R GS=25
                                V GS
                                           I D=50 A, V DS=16 V,
                                           di /dt =200 A/s,
                                           T j,max=150 C

Rev.1.06                                   page 1                                       2010-07-01
                                                                                   BSC026N02KS G

Maximum ratings, at T j=25 C, unless otherwise specified

Parameter                            Symbol Conditions                         Value                         Unit

Power dissipation                    P tot    T C=25 C                        78                            W

                                              T A=25 C,                       2.8
                                              R thJA=45 K/W2)

Operating and storage temperature T j, T stg                                   -55 ... 150                   C

IEC climatic category; DIN IEC 68-1                                            55/150/56

Parameter                            Symbol Conditions                         Values                 Unit
                                                                                 typ.       max.
                                                                         min.

Thermal characteristics

Thermal resistance, junction - case R thJC bottom                        -     -            1.6 K/W

                                              top                                           18

SMD version, device on PCB           R thJA minimal footprint            -     -            62

                                              6 cm2 cooling area2)       -     -            45

Electrical characteristics, at T j=25 C, unless otherwise specified

Static characteristics               V (BR)DSS V GS=0 V, I D=1 mA        20      -           -V
Drain-source breakdown voltage                                                 0.95         1.2
Gate threshold voltage               V GS(th) V DS=V GS, I D=200 A      0.7
                                                                                 -           1 A
Zero gate voltage drain current      I DSS    V DS=20 V, V GS=0 V,       -
                                              T j=25 C

                                              V DS=20 V, V GS=0 V,       -     -            100
                                              T j=125 C

Gate-source leakage current          I GSS    V GS=12 V, V DS=0 V        -     -            100 nA

Drain-source on-state resistance     R DS(on) V GS=2.5 V, I D=50 A       -     3.4          4.5 m

                                              V GS=4.5 V, I D=50 A       -     2.1          2.6

Gate resistance                      RG                                  -     1.5          -

Transconductance                     g fs     |V DS|>2|I D|R DS(on)max,  95    190          -S
                                              I D=50 A

2) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 m thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.
3) See figure 3

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                                                                                         BSC026N02KS G

Parameter                      Symbol Conditions                                     Values            Unit
                                                                                       typ.  max.
                                                                               min.

Dynamic characteristics        C iss                                           -     5900    7800 pF
Input capacitance                                                                    1700    2300
Output capacitance             C oss                   V GS=0 V, V DS=10 V,    -     250     380
Reverse transfer capacitance                           f =1 MHz
Turn-on delay time                                                                    21       - ns
Rise time                      Crss                                            -     115       -
Turn-off delay time                                                                   52       -
Fall time                      t d(on)                                         -               -
                                                                                       9
Gate Charge Characteristics4)  tr                      V DD=10 V, V GS=4.5 V,  -
Gate to source charge
Gate charge at threshold       t d(off)                I D=50 A, R G=1.6       -
Gate to drain charge
Switching charge               tf                                              -
Gate charge total
Gate plateau voltage           Q gs                                            -     11.4 15.2 nC

Gate charge total, sync. FET   Q g(th)                                         -     6       7.4

Output charge                  Q gd                    V DD=10 V, I D=30 A,    -     7       10.8

                               Q sw                    V GS=0 to 4.5 V         -     13      18.6

                               Qg                                              -     40      52.7

                               V plateau                                       -     1.9     -V

                               Q g(sync)               V DS=0.1 V,             -     36      48.2 nC
                                                       V GS=0 to 4.5 V

                               Q oss                   V DD=10 V, V GS=0 V     -     23      -

Reverse Diode

Diode continuous forward current I S                                           -     -       92 A

                                                       T C=25 C

Diode pulse current            I S,pulse                                       -     -       200

Diode forward voltage          V SD                    V GS=0 V, I F=50 A,     -     0.85    1.2 V
                                                       T j=25 C

Reverse recovery charge        Q rr                    V R=10 V, I F=I S,      -     28      - nC
                                                       di F/dt =100 A/s

4) See figure 16 for gate charge parameter definition

Rev.1.06                                               page 3                                       2010-07-01
                                                                                                                                                                   BSC026N02KS G

1 Power dissipation                                                              2 Drain current
P tot=f(T C)                                                                     I D=f(T C); V GS4.5 V

80                                                                                             120

70
                                                                                            100

60

                                                                                              80
50

P tot [W]40                                                                                    60
                                                                                  I D [A]

30
                                                                                              40

20

                                                                                              20
10

0                                                                                              0

    0                            40             80             120          160                      0                                     40            80              120        160

                                          T C [C]                                                                                                       T C [C]

3 Safe operating area                                                              4 Max. transient thermal impedance
I D=f(V DS); T C=25 C; D =0                                                       Z thJC=f(t p)
parameter: t p                                                                     parameter: D =t p/T

         103                                                                                      101

                           limited by on-state                 10 s
                           resistance

102                                                                 100 s                     100 0.5

                                                    1 ms

                                                                                                        0.2

                                          DC
                                                                                                                                0.1
I D [A]
                                                                                 Z thJC [K/W]10110 ms10-1 0.05

                                                                                                        0.02

                                                                                                        0.01

100                                                                                            10-2                                  single pulse

                      10-1                                                                     10-3
                           10-1
                                     100                  101               102                     10-6                             10-5          10-4  10-3      10-2       10-1  100
Rev.1.06
                                                V DS [V]                                                                                                 t p [s]

                                                                            page 4                                                                                                  2010-07-01
5 Typ. output characteristics                                                                                   BSC026N02KS G
I D=f(V DS); T j=25 C                                                 6 Typ. drain-source on resistance
parameter: V GS                                                        R DS(on)=f(I D); T j=25 C
                                                                       parameter: V GS
200
                                                                                  10
                4V
                                                                                                     9
175

                         3V

                                                                                                     8

150                                      2.5 V

                                                                                                     7

125
I D [A]                                  2.4 V                                                       6
                                                                                 R DS(on) [mW]
100                                                                                                                       2V

75                                       2.2 V                                                       5
50
25                                       2V                                                                                        2.2 V
                                                    1.8 V
0                                                                                                   4
    0
                                                                                                                                              2.5 V

                                                                                                     3

                                                                                                                                                     3V
                                                                                                                                                                        3.5 V

                                                                                                     2

                                                                                                                                                4.5 V
                                                                                                                                                                                           4V

                                                                                                     1

                                                           1.6 V                                     0

                              1                 2                   3                                   0  10  20           30      40                                                         50

                                 V DS [V]                                                                          I D [A]

7 Typ. transfer characteristics                                        8 Typ. forward transconductance
I D=f(V GS); |V DS|>2|I D|R DS(on)max                                  g fs=f(I D); T j=25 C
parameter: T j
                                                                               300
        100

                                                                                          250
75

                                                                                          200

I D [A]50                                                                                       150
                                                                                    g fs [S]

                                                                                                100

25

                                           25 C

                                 150 C                                                         50

                        0                                                                       0
                           0
                              1                 2          3                                         0     25      50           75                                                             100
Rev.1.06
                                 V GS [V]                                                                          I D [A]

                                                           page 5                                                                                                                              2010-07-01
9 Drain-source on-state resistance                                                                                    BSC026N02KS G
R DS(on)=f(T j); I D=50 A; V GS=4.5 V                                        10 Typ. gate threshold voltage
                                                                             V GS(th)=f(T j); V GS=V DS
           5
                                                                                    1.6

4                                                                                              1.2

3

                               98%
                                                      typ

2

1
R DS(on) [m]                                                                                                                                           2000 A
                                                                                 V GS(th) [V]
                                                                                               0.8                                  200 A

                                                                                               0.4

0                                                                                              0

     -60                      -20     20  60                   100  140                             -60  -20                    20          60         100                               140

                                          T j [C]                                                                                  T j [C]

11 Typ. capacitances                                                         12 Forward characteristics of reverse diode
C =f(V DS); V GS=0 V; f =1 MHz                                               I F=f(V SD)
                                                                             parameter: T j
104
                                                                                      103

                                                         Ciss                                  102
                                                         Coss
                                                                                                                                                25 C
103
C [pF]                                                                                                                  150 C                         150 C, 98%
                                                                                 I F [A]
                                                                                               101

                                                                                                                                                                        25 C, 98%

                                                                                            100

                                              Crss

                     102                                                                       10-1
                           0
                                   5      10                   15        20                          0        0.5                   1                                               1.5     2
Rev.1.06
                                          V DS [V]                                                                                  V SD [V]                                             2010-07-01

                                                                         page 6
                                                                                                                                BSC026N02KS G

13 Avalanche characteristics                                               14 Typ. gate charge
I AS=f(t AV); R GS=25                                                      V GS=f(Q gate); I D=30 A pulsed
parameter: T j(start)                                                      parameter: V DD

         103                                                                          5

                                                                                            4

                                                                                                                                          16 V

                         102                                   25 C

                                                                                                                                10 V

                                                                                            3

I AV [A]                                               100 C                                                               4V
                                                                                  V GS [V]

                                            125 C                                          2

                         101

                                                                                            1

                         100                                                                0
                             100
                                       101             102            103                      0                      10    20  30        40    50

                                            t AV [s]                                                                       Q gate [nC]

15 Drain-source breakdown voltage                                          16 Gate charge waveforms
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA

                         24

                                                                                            V GS
                                                                                                                         Qg

                         22

          V BR(DSS) [V]  20
                                                                                                           V g s(th)

                         18                                                                                                     Q sw            Q gate
                                                                                                          Q g(th)                   Q gd           2010-07-01

                         16                                                                                           Q gs

                             -60  -20  20   60         100     140

                                            T j [C]

Rev.1.06                                                              page 7
                                 BSC026N02KS G

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                                    BSC026N02KS G

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Rev.1.06
                                                                                                 BSC026N02KS G

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