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BS170

器件型号:BS170
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:SIEMENS
厂商官网:http://www.infineon.com/
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器件描述

500 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92

参数
BS170端子数量 3
BS170最小击穿电压 60 V
BS170状态 TRANSFERRED
BS170包装形状
BS170包装尺寸 圆柱形的
BS170端子形式 THROUGH-孔
BS170端子位置 BOTTOM
BS170包装材料 塑料/环氧树脂
BS170结构 单一的 WITH BUILT-IN 二极管
BS170元件数量 1
BS170晶体管应用 开关
BS170晶体管元件材料
BS170最大环境功耗 0.8300 W
BS170通道类型 N沟道
BS170场效应晶体管技术 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
BS170操作模式 ENHANCEMENT
BS170晶体管类型 通用小信号
BS170最大漏电流 0.5000 A
BS170反馈电容 10 pF
BS170最大漏极导通电阻 5 ohm

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BS170器件文档内容

                                                                          BS 170

SIPMOS Small-Signal Transistor

N channel
Enhancement mode
Logic Level
VGS(th) = 0.8...2.0V

                                                      Pin 1        Pin 2             Pin 3
                                                       S            G                 D

Type    VDS          ID             RDS(on)  Package           Marking
BS 170  60 V         0.3 A          5        TO-92             BS 170

Type    Ordering Code               Tape and Reel Information
BS 170  Q67000-S076                 E6288

Maximum Ratings                              Symbol            Values     Unit
Parameter                                    VDS
Drain source voltage                         VDGR              60         V
Drain-gate voltage
RGS = 20 k                                   VGS                60
Gate source voltage                          Vgs                14
Gate-source peak voltage,aperiodic           ID                20
Continuous drain current
TA = 25 C                                   IDpuls                               A
DC drain current, pulsed                                        0.3
TA = 25 C                                   Ptot
Power dissipation                                              1.2
TA = 25 C                                                                       W

                                                               0.63

Semiconductor Group                 1                                     12/05/1997
                                                                                     BS 170

Maximum Ratings                                      Symbol           Values         Unit
Parameter
Chip or operating temperature                        Tj               -55 ... + 150 C
Storage temperature                                  Tstg
Thermal resistance, chip to ambient air 1)           RthJA            -55 ... + 150
DIN humidity category, DIN 40 040
IEC climatic category, DIN IEC 68-1                                    200           K/W

                                                                      E

                                                                      55 / 150 / 56

Electrical Characteristics, at Tj = 25C, unless otherwise specified

Parameter                                   Symbol           Values                  Unit

                                                      min.   typ.        max.

Static Characteristics

Drain- source breakdown voltage             V(BR)DSS                                 V

VGS = 0 V, ID = 0.25 mA, Tj = 25 C                   60     -           -

Gate threshold voltage                      VGS(th)

VGS=VDS, ID = 1 mA                                    0.8    1.4         2

Zero gate voltage drain current             IDSS                                     A

VDS = 60 V, VGS = 0 V, Tj = 25 C                     -      0.05        0.5

VDS = 60 V, VGS = 0 V, Tj = 125 C                    -      -           5

Gate-source leakage current                 IGSS                                     nA

VGS = 20 V, VDS = 0 V                                 -      1           10

Drain-Source on-state resistance            RDS(on)                                 

VGS = 10 V, ID = 0.2 A                                -      2.5         5

Semiconductor Group                         2                                  12/05/1997
                                                                            BS 170

Electrical Characteristics, at Tj = 25C, unless otherwise specified

Parameter                            Symbol         Values                  Unit

                                              min.  typ.              max.

Dynamic Characteristics

Transconductance                     gfs                                    S

VDS 2 * ID * RDS(on)max, ID = 0.2 A           0.12  0.18 -

Input capacitance                    Ciss                                   pF

VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz              -     40                60

Output capacitance                   Coss

VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz              -     15                25

Reverse transfer capacitance         Crss

VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz              -     5                 10

Turn-on delay time                   td(on)                                 ns

VDD = 30 V, VGS = 10 V, ID = 0.29 A

RG = 50                                       -     5                 8

Rise time                            tr

VDD = 30 V, VGS = 10 V, ID = 0.29 A

RG = 50                                       -     8                 12

Turn-off delay time                  td(off)

VDD = 30 V, VGS = 10 V, ID = 0.29 A

RG = 50                                       -     12                16

Fall time                            tf

VDD = 30 V, VGS = 10 V, ID = 0.29 A

RG = 50                                       -     17                22

Semiconductor Group                  3                                      12/05/1997
                                                                            BS 170

Electrical Characteristics, at Tj = 25C, unless otherwise specified

Parameter                            Symbol        Values                   Unit

                                             min.  typ.               max.

Reverse Diode

Inverse diode continuous forward current IS                                 A

TA = 25 C                                   -     -                  0.3

Inverse diode direct current,pulsed  ISM

TA = 25 C                                   -     -                  1.2

Inverse diode forward voltage        VSD                                    V

VGS = 0 V, IF = 0.5 A                        -     0.9                1.2

Semiconductor Group                  4                                      12/05/1997
                                                                                                   BS 170

Power dissipation                                                  Drain current
Ptot = (TA)                                                        ID = (TA)
                                                                   parameter: VGS  10 V
         0.70
            W                                                               0.32

         0.60                                                                 A
Ptot 0.55                                                          ID

         0.50                                                             0.24
         0.45
         0.40                                                      0.20
         0.35
         0.30                                                      0.16
         0.25
         0.20                                                      0.12
         0.15
         0.10                                                      0.08
         0.05
         0.00                                                      0.04

               0  20 40 60 80 100 120 C 160                       0.00            20 40 60 80 100 120 C 160
                                                                        0
                                                               TA                                                               TA

Safe operating area ID=f(VDS)                                      Drain-source breakdown voltage
parameter : D = 0.01, TC=25C                                      V(BR)DSS = (Tj)

                                                                               71
                                                                                V
                                                                               68
                                                                   V(BR)DSS
                                                                               66

                                                                   64

                                                                   62

                                                                   60

                                                                   58

                                                                   56

                                                                   54

                                                                   -60             -20  20  60  100 C 160

                                                                                                   Tj

Semiconductor Group            5                                                                   12/05/1997
                                                                                                                    BS 170

Typ. output characteristics                                                    Typ. drain-source on-resistance

ID = (VDS)                                                                     RDS (on) = (ID)
parameter: tp = 80 s , Tj = 25 C                                             parameter: tp = 80 s, Tj = 25 C

       0.70 Ptot = 1W                                                          16
           A
                       lkj i h                                                                 a  b  c           d                       e
       0.60
ID 0.55                                                                        

       0.50                               VGS [V]
       0.45
       0.40                         ga             2.0                         RDS (on)
       0.35                                                                                12
       0.30                               b        2.5
       0.25
       0.20                               c        3.0
       0.15
       0.10                               d        3.5                         10

                                       f  e        4.0

                                          f        4.5

                                          g        5.0                         8

                                    eh             6.0

                                          i        7.0                         6

                                          j        8.0

                                       dk          9.0

                                          l        10.0                        4

                                                                                                                                            f   g
                                                                                                                                                i
                                    c                                                                                                       hj

0.05                                   b                                       2 VGS [V] =                       ghi j
                                                                                                                 7.0 8.0 9.0 10.0
                                                                                       abcdef
0.00                                a                                                 32.05 3.5 4.0 4.5 5.0 6.0

                                                                               0

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 V 5.0                                      0.00 0.10 0.20 0.30 0.40 A                                   0.60

                                                     VDS                                                                             ID

Typ. transfer characteristics ID = f(VGS)                                      Typ. forward transconductance gfs = f (ID)
parameter: tp = 80 s                                                          parameter: tp = 80 s,
VDS 2 x ID x RDS(on)max                                                        VDS2 x ID x RDS(on)max

         0.75                                                                           0.30
             A                                                                              S

         0.65                                                                           0.26
ID 0.60                                                                        gfs 0.24

         0.55                                                                           0.22
         0.50                                                                           0.20
         0.45                                                                           0.18
         0.40                                                                           0.16
         0.35                                                                           0.14
         0.30                                                                           0.12
         0.25                                                                           0.10
         0.20                                                                           0.08
         0.15                                                                           0.06
         0.10                                                                           0.04
         0.05                                                                           0.02
         0.00                                                                           0.00

               0 1 2 3 4 5 6 7 8 V 10                                                       0.00 0.10 0.20 0.30 0.40 0.50 A 0.65
                                                                          VGS                                                                            ID

Semiconductor Group                                      6                                                          12/05/1997
                                                                                                                   BS 170

Drain-source on-resistance                                             Gate threshold voltage

RDS (on) = (Tj)                                                        VGS (th) = (Tj)
parameter: ID = 0.2 A, VGS = 10 V                                      parameter: VGS = VDS, ID = 1 mA

13                                                                                4.6
                                                                                    V

                                                                                  4.0
            11                                                         VGS(th) 3.6
RDS (on) 10

9                                                                      3.2

8                                                                      2.8

7                                                                      2.4
                                                                                                           98%
                                 98%
6                                                                      2.0

5

                                                                       1.6                      typ

4                                                                      1.2
                                 typ                                                                       2%

3                                                                      0.8

2

1                                                                      0.4

0                                                                      0.0

-60             -20  20               60  100 C 160                   -60             -20  20                 60  100 C 160

                                          Tj                                                                       Tj

Typ. capacitances                                                      Forward characteristics of reverse diode
C = f (VDS)                                                            IF = (VSD)
parameter:VGS=0V, f = 1 MHz                                            parameter: Tj, tp = 80 s

          10 3                                                                   10 1

         pF                                                                      A
C                                                                      IF

        10 2                                                                  10 0

        10 1                                  Ciss                     10 -1
                                              Coss
                                              Crss                                              Tj = 25 C typ
                                                                                                Tj = 150 C typ
                                                                                                Tj = 25 C (98%)
                                                                                                Tj = 150 C (98%)

10 0            5 10 15 20 25 30 V 40                                  10 -2
     0                                                            VDS      0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 V 3.0

                                                                                                                                VSD

Semiconductor Group                                 7                                                              12/05/1997
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