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BPY64

器件型号:BPY64
厂商名称:SIEMENS
厂商官网:http://www.infineon.com/
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器件描述

Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell

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BPY64器件文档内容

Silizium-Fotoelement                                                                  BPY 64 P
Silicon Photovoltaic Cell                                                             BPY 64 P

                                                                                                fso06636

Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale                               Features
                                                   q Especially suitable for applications from
q Speziell geeignet fr Anwendungen im
   Bereich von 420 nm bis 1060 nm                     420 nm to 1060 nm
                                                   q Cathode = back contact
q Kathode = Chipunterseite                         q Coated with a humidity-proof protective
q Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht
                                                      layer
   berzogen                                       q Wide temperature range
q Weiter Temperaturbereich
                                                   Applications
Anwendungen                                        q For control and drive circuits
q fr Me-, Steuer- und Regelzwecke                 q Light pulse scanning
q zur Abtastung von Lichtimpulsen                  q Quantitative light measurements in the
q quantitative Lichtmessung im sichtbaren
                                                      visible light and near infrared range
   Licht- und nahen Infrarotbereich

Typ       Bestellnummer
Type      Ordering Code

BPY 64 P  Q60215-Y67

Semiconductor Group                           197                                     10.95
                                                                                BPY 64 P

Grenzwerte                                  Symbol          Wert            Einheit
Maximum Ratings                             Symbol          Value           Unit

Bezeichnung                                 Top; Tstg       - 55 ... + 100  C
Description
                                            VR              1               V
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Sperrspannung
Reverse voltage

Kennwerte (TA = 25 C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 C, standard light A, T = 2856 K)

Bezeichnung                                 Symbol          Wert            Einheit
Description                                 Symbol          Value           Unit
                                            S
Fotoempfindlichkeit, VR = 0 V               S max           0.25 ( 0.18)    A/Ix
                                            
Spectral sensitivity                                        850             nm
                                            A
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit    L B            420 ... 1060 nm
Wavelength of max. sensitivity              LW
                                                            0.36            cm2
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit  IR
                                            S               5.98 5.98     mm
S = 10 % von Smax                           
                                                             60            Grad
Spectral range of sensitivity               VO              4 ( 80)         deg.
                                            ISC
S = 10 % of Smax                                                            A

Bestrahlungsempfindliche Flche                             0.50            A/W
Radiant sensitive area
                                                            0.72            Electrons
Abmessungen der                                             450 ( 280)      Photon
bestrahlungsempfindlichen Flche
Dimensions of radiant sensitive area                                        mV

Halbwinkel                                                  0.25 ( 0.18) mA
Half angle

Dunkelstrom, VR = 1 V; E = 0

Dark current

Spektrale Fotoempfindlichkeit,  = 850 nm
Spectral sensitivity

Quantenausbeute,  = 850 nm
Quantum yield

Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix

Open-circuit voltage

Kurzschlustrom, Ev = 1000 Ix

Short-circuit current

Semiconductor Group                         198
                                                                                     BPY 64 P

Kennwerte (TA = 25 C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 C, standard light A, T = 2856 K)

Bezeichnung                                Symbol                             Wert   Einheit
Description                                Symbol                             Value  Unit
                                                                              5      s
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes    tr, tf
Rise and fall time of the photocurrent                                        2.6  mV/K
                                           TCV                                0.2    %/K
RL= 1 k; VR = 1 V;  = 850 nm; Ip = 50 A   TCI                                3      nF
                                           C0
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO

Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC

Kapazitt, VR = 1 V, f = 1 MHz, Ev = 0 Ix

Capacitance

Relative spectral sensitivity            Open-circuit voltage VO = f (Ev )    Capacitance
Srel = f ()                              Short-circuit current ISC = f (Ev )  C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0

Directional characteristics Srel = f ()

Semiconductor Group                        199
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