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BLY90

器件型号:BLY90
厂商名称:ASI [ASI Semiconductor, Inc]
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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BLY90器件文档内容

                                                                       BLY90

         NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:                                          PACKAGE STYLE .380 4L STUD

The ASI BLY90 is Designed for                                   .112x45      A
Class A,B and C, 12.5 V High Band
Applications up to 175 MHz.                                                   C

FEATURES:                                                       B

Common Emitter                                                   E                                                       E
PG = 5.0 dB at 50 W/175 MHz
OmnigoldTM Metalization System                                   C

                                                                             B

                                                                D                                                                    HI
                                                                                                                                             J
MAXIMUM RATINGS                                            #8-32 UNC-2A
                                                                                               E                                  G
IC       8.0 A                                                                                                             F

VCBO     36 V                                         DIM       M IN IM U M                                                             MAXIMUM
                                                                inches / mm                                                                 inches / mm
                                                                                                                                        .230 / 5.84
VCEO     18 V                                         A         .220 / 5.59
                                                                                                                                        .385 / 9.78
                                                      B         .980 / 24.89                                                            .007 / 0.18
                                                                                                                                        .330 / 8.38
VEBO     4.0 V                                        C         .370 / 9.40                                                             .130 / 3.30
                                                                                                                                       .490 / 12.45
                                                      D         .004 / 0.10                                                             .100 / 2.54
                                                                                                                                        .175 / 4.45
PDISS    130 W @ TC = 25 C                           E         .320 / 8.13                                                            .750 / 19.05

                                                      F         .100 / 2.54

TJ       -65 C to +200 C                            G         .450 / 11.43

                                                      H         .090 / 2.29

                                                      I         .155 / 3.94

TSTG     -65 C to +150 C                            J

JC       1.35 C/W

CHARACTERISTICS TC = 25 C

SYMBOL               NONETEST CONDITIONS              MINIMUM TYPICAL MAXIMUM                                                                            UNITS

BVCBO    IC = 100 mA                                       36                                                                                               V

BVCEO    IC = 100 mA                                       18                                                                                               V
                                                                                                                                                            ---
BVEBO    IE = 25 mA                                        4.0

    hFE  VCE = 5.0 V        IC = 1.0 A                     10                                                                 200

    Cc   VCB = 15 V                      f = 1.0 MHz                          130                                             160                        pF

    fT   VCE = 10 V         IC = 6.0 A                                        550                                                                        MHz

    GP   VCC = 12.5 V       POUT = 50 W  f = 175 MHz       5.0                                                                                           dB
    C                                                      75                                                                                            %

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.                                                                                                        REV. B
                                                                                                                                                          1/1
7525 ETHEL AVENUE NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 (818) 982-1200 FAX (818) 765-3004

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