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BLW60

器件型号:BLW60
厂商名称:Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
厂商官网:https://www.nxp.com/
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器件描述

VHF power transistor

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BLW60器件文档内容

                         DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

BLW60C                                           March 1993
VHF power transistor

Product specification
Philips Semiconductors                                                                      Product specification

  VHF power transistor                                                                           BLW60C

DESCRIPTION                              Matched hFE groups are available on
                                         request.
N-P-N silicon planar epitaxial
transistor intended for use in class-A,  It has a 3/8" capstan envelope with a
B and C operated mobile, industrial      ceramic cap. All leads are isolated
and military transmitters with a         from the stud.
nominal supply voltage of 12,5 V. The
transistor is resistance stabilized and
is guaranteed to withstand severe
load mismatch conditions with a
supply over-voltage to 16,5 V.

QUICK REFERENCE DATA
R.F. performance up to Th = 25 C

MODE OF OPERATION      VCC           f   PL     GL                                   zi         ZL          d3
                        V          MHz   W      dB              %                                           dB

c.w. (class-B)         12,5 175          45     > 5,0         > 75              1,2 + j1,4  2,6 - j1,2       -
s.s.b. (class-AB)                                           typ. 35                  -           -      typ. -33
                       12,5 1,6-28 3-30 (P.E.P.) typ. 19,5

PIN CONFIGURATION                                                               PINNING - SOT120A.

                                                                                PIN         DESCRIPTION

handbook, halfpage          4                                                   1 collector
                                                                                2 emitter
                    1                    3                                      3 base
                                                                                4 emitter

                                                                             2

                                                                                                                 MSB056

                            Fig.1 Simplified outline. SOT120A.

PRODUCT SAFETY This device incorporates beryllium oxide, the dust of which is toxic. The device is entirely
safe provided that the BeO disc is not damaged.

March 1993                                   2
Philips Semiconductors                                                                                      Product specification

  VHF power transistor                                                                                          BLW60C

RATINGS
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

Collector-emitter voltage (VBE = 0)                                  VCESM           max.                    36 V
   peak value                                                        VCEO            max.                    16 V
                                                                     VEBO            max.
Collector-emitter voltage (open base)                                IC(AV)          max.                      4V
Emitter-base voltage (open collector)                                ICM             max.                      9A
Collector current (average)                                          Prf             max.                    22 A
Collector current (peak value); f > 1 MHz                            Tstg                                   100 W
R.F. power dissipation (f > 1 MHz); Tmb = 25 C                      Tj               -65 to +              150 C
Storage temperature                                                                  max.                   200 C
Operating junction temperature

handbook1, 0h2alfpage                               MGP479              150                                          MGP480

          IC                                                   handbook, halfpage
         (A)
                                                                      Prf
10                                                                    (W)         

                       Th = 70 C      Tmb = 25 C                      100                   derate by 0.52 W/K
                                                                                   
                                                                          50

                                                                                             0.38 W/K

1                                                              0

    1                              10  VCE (V)      102           0                          50             Th (C)  100

                                                               I Continuous d.c. operation
                                                               II Continuous r.f. operation
                                                               III Short-time operation during mismatch

                          Fig.2 D.C. SOAR.                     Fig.3 R.F. power dissipation; VCE  16,5 V; f > MHz.

THERMAL RESISTANCE                                                                 Rth j-mb(dc) =                     2,8 K/W
(dissipation = 40 W; Tmb = 88 C, i.e. Th = 70 C)                                                                   2,05 K/W
From junction to mounting base (d.c. dissipation)                                 Rth j-mb(rf)          =           0,45 K/W
From junction to mounting base (r.f. dissipation)
From mounting base to heatsink                                                    Rth mb-h              =

March 1993                                                  3
Philips Semiconductors                                                   Product specification

  VHF power transistor                                                       BLW60C

CHARACTERISTICS                                          V(BR)CES   >    36 V
Tj = 25 C                                                               16 V
Breakdown voltage                                       V(BR)CEO   >
Collector-emitter voltage                                                4V
                                                         V(BR)EBO   >    25 mA
    VBE = 0; IC = 50 mA
Collector-emitter voltage                               ICES       <

    open base; IC = 100 mA                               E          >    8 ms
Emitter-base voltage                                    E
                                                                    >    8 ms
    open collector; IE = 25 mA                           hFE
Collector cut-off current                                          typ  50
                                                         hFE1/hFE2
    VBE = 0; VCE = 15 V                                  VCEsat     10 to 80
Transient energy                                        fT
                                                         fT         <    1,2
    L = 25 mH; f = 50 Hz
    open base                                            Cc         typ  1,5 V
    -VBE = 1,5 V; RBE = 33
D.C. current gain (1)                                   Cre        typ  650 MHz
                                                         Ccs
    IC = 4 A; VCE = 5 V                                             typ  600 MHz

D.C. current gain ratio of matched devices (1)                     typ  120 pF
    IC = 4 A; VCE = 5 V
                                                                    <    160 pF
Collector-emitter saturation voltage (1)
    IC = 12,5 A; IB = 2,5 A                                         typ  80 pF

Transition frequency at f = 100 MHz (1)                            typ  2 pF
    IC = 4 A; VCE = 12,5 V
    IC = 12,5 A; VCE = 12,5 V

Collector capacitance at f = 1 MHz

    IE = Ie = 0; VCB = 15 V

Feedback capacitance at f = 1 MHz
    IC = 200 mA; VCE = 15 V

Collector-stud capacitance

Note
1. Measured under pulse conditions: tp  200 s;   0,02.

March 1993  4
Philips Semiconductors                                                                                      Product specification

  VHF power transistor                                                                                          BLW60C

handbook,7h5alfpage                                               MGP481      handbook3,0h0alfpage                                              MGP482
        hFE                                                                            Cc
                                   typical values Tj = 25 C                          (pF)                                      IE = Ie = 0
                                                                                       200                                      f = 1 MHz
                     VCE = 12.5 V
                                                                                       100              typ
                             5V
50

25

0                                                                             0

    0                     5        10 IC (A) 15                                  0                      10  VCB (V)  20

Fig.4 DC current gain as a function of collector                              Fig.5 Collector capacitance as a function of
          current.                                                                      collector-base voltage.

          750                                                                       VCE = 12.5 V                             MGP483
                                                                                                10 V
handbook, full pagewidth                                                                         5V         typical values
                                                                                                            f = 100 MHz
       fT                                                                                                   Tj = 25 C
     (MHz)

          500

          250

              0                    5                                      10                        15      IC (A)   20
                 0
                                   Fig.6 Transition frequency as a function of collector current.
March 1993
                                                                          5
Philips Semiconductors                                                                                           Product specification

  VHF power transistor                                                                                               BLW60C

APPLICATION INFORMATION
R.F. performance in c.w. operation (unneutralized common-emitter class-B circuit); Th = 25 C

f (MHz)     VCC (V)       PL (W)          PS (W)         Gp (dB)           IC (A)       (%)                        zi ()      ZL ()
  175         12,5          45            < 14,2         > 5,0             < 4,8       > 75                      1,2 + j1,4  2,6 - j1,2
  175         13,5          45                           typ. 6,0                      typ. 75
                                             -                                -                                       -           -

Test circuit for 175 MHz

handbook, full pagewidth

                                                                                                C6a

                                                                           L5          L7                    C7

                                      C1      L1              C3a                                       C6b            50
                          50              C2                 L4 T.U.T.               L6                          C8

                                                              C3b          C4
                                                  L2                                     C5 R2

                                                  R1 L3                            L8

                                                                               +VCC        MGP484

                                          Fig.7 Class-B test circuit at f = 175 MHz.

List of components:

C1 = 2,5 to 20 pF film dielectric trimmer (cat. no. 2222 809 07004)
C2 = C8 = 4 to 40 pF film dielectric trimmer (cat. no. 2222 809 07008)
C3a = C3b = 47 pF ceramic capacitor (500 V)
C4 = 120 pF ceramic capacitor
C5 = 100 nF polyester capacitor
C6a = C6b = 8,2 pF ceramic capacitor (500 V)
C7 = 5 to 60 pF film dielectric trimmer (cat. no. 2222 809 07011)
L1 = 1 turn Cu wire (1,6 mm); int. dia. 9,0 mm; leads 2 5 mm
L2 = 100 nH; 7 turns closely wound enamelled Cu wire (0,5 mm); int. dia. 3 mm; leads 2 5 mm
L3 = L8 = Ferroxcube wide-band h.f. choke, grade 3B (cat. no. 4312 020 36640)
L4 = L5 = strip (12 mm 6 mm); taps for C3a and C3b at 5 mm from transistor
L6 = 2 turns enamelled Cu wire (1,6 mm); int. dia. 5,0 mm; length 6,0 mm; leads 2 5 mm
L7 = 2 turns enamelled Cu wire (1,6 mm); int. dia. 4,5 mm; length 6,0 mm; leads 2 5 mm
L4 and L5 are strips on a double Cu-clad printed-circuit board with epoxy fibre-glass dielectric, thickness 1/16".
R1 = 10  (10%) carbon resistor
R2 = 4,7  (5%) carbon resistor
Component layout and printed-circuit board for 175 MHz test circuit: Fig.8.

March 1993                                                              6
Philips Semiconductors                                                                                                                                   Product specification

  VHF power transistor                                                                                                                                       BLW60C

                                                                                                       150                                                           72

handbook, full pagewidth

                            1888MJK

                             L3                                                                                            L8

                             R1                                                                             C4                    +VCC
                                                                                                                        C5     R2

                                           C3a                                                              L6  C6a
                                 L2

                     C1  C2  L1       L4                                                                    L5
                                                                                                                                         C7
            1888MJK
                                                                                                                                                     C8
                                                                                                                L7

                                 C3b                                                                            C6b

                                                rivet

                                                                                                                                                         MGP485

The circuit and the components are situated on one side of the epoxy fibre-glass board, the other side being fully metallized to serve
as earth. Earth connections are made by means of hollow rivets, whilst under the emitter leads Cu straps are used for a direct contact
between upper and lower sheets.

                    Fig.8 Component layout and printed-circuit board for 175 MHz class-B test circuit.

March 1993                                      7
Philips Semiconductors                                                                                                  Product specification

  VHF power transistor                                                                                                      BLW60C

                                                         MGP486                                                                       MGP487

handbook1,0h0alfpatygepical values       VCC = 12.5 V                                       10       typical values                          100
         PL f = 175 MHz                  VCC = 13.5 V                                                f = 175 MHz        VCC = 12.5 V
         (W)                                                                     handbook, halfpage  Th = 25 C         VCC = 13.5 V
           75
                                                                                          Gp                                                   
           50                                                                            (dB)                                                 (%)

           25                            Th = 25 C                                           5

                                                                                                         Gp
                                                                                                                                           50

                                         Th = 70 C

0                                                                                0                                                  0

   0                                10           20 PS (W) 30                       10               30                 PL (W)  50

                                         Fig.9                                                       Fig.10

handbook,5h0alfpage                                                   MGP488     Conditions for R.F. SOAR
   PLnom
      (W)                                            VSWR =                      f = 175 MHz
                                                     5                           Th = 70 C
VSWR = 1                                                                        Rth mb-h = 0,45 K/W
           40                                        10                          VCCnom = 12,5 V or 13,5 V
                                                                                 PS = PSnom at VCCnom and VSWR = 1
           30                                        20                          measured in circuit of Fig.7.
               1
                                                     50                          The transistor has been developed for use with
                                                                                 unstabilized supply voltages. As the output power and
                                                           PS                    drive power increase with the supply voltage, the nominal
                                                         PSnom                   output power must be derated in accordance with the
                                                                                 graph for safe operation at supply voltages other than the
                                    1.1          1.2     VCC 1.3                 nominal. The graph shows the permissible output power
                                                                                 under nominal conditions (VSWR = 1), as a function of the
                                                         VCCnom                  expected supply over-voltage ratio with VSWR as
                                                                                 parameter.

                                                                                 The graph applies to the situation in which the drive
                                                                                 (PS/PSnom) increases linearly with supply over-voltage
                                                                                 ratio.

                                         Fig.11

March 1993                                                                    8
Philips Semiconductors                                                                                   Product specification

  VHF power transistor                                                                                       BLW60C

                                                   MGP489                                                       MGP490

2                                                                          4      RL
handbook, halfpage
                    ri                                        handbook, halfpage

ri, xi                                                            RL, XL
                                                                     ()
()
                                                                           2
                    xi

0

-2                                                            0
                                                                                                     XL

-4      0               100                        200        -2                  100                             200
                                                                  0
                                          f (MHz)                                                        f (MHz)

Typical values; VCE = 12,5 V; PL = 45 W;                      Typical values; VCE = 12,5 V; PL = 45 W;
class-B operation; Th = 25 C.                                class-B operation; Th = 25 C.

   Fig.12 Input impedance (series components).                   Fig.13 Load impedance (series components).

                                                   MGP491

           20

handbook, halfpage

         Gp
        (dB)

           10

0

        0               100               f (MHz)  200

Typical values; VCE = 12,5 V; PL = 45 W;
class-B operation; Th = 25 C.

                             Fig.14

March 1993                                                 9
Philips Semiconductors                                                                                                          Product specification

  VHF power transistor                                                                                                              BLW60C

R.F. performance in s.s.b. class-AB operation
VCE = 12,5 V; Th up to 25 C; Rth mb-h  0,45 K/W
f1 = 28,000 MHz; f2 = 28,001 MHz

OUTPUT POWER                                   Gp                    dt                              d3                   d5             IC(ZS)
          W                                    dB                    %                             dB (1)               dB (1)            mA

  3 to 30 (P.E.P.)                          typ 19,5               typ 35                         typ -33              typ -36            25

Note

1. Stated intermodulation distortion figures are referred to the according level of either of the equal amplified tones.
     Relative to the according peak envelope powers these figures should be increased by 6 dB.

handbook, full pagewidth                                       L1                T.U.T.                            L4  C10               RL =
                                                 C3 C4                   L2 R1                                                           50
                                        C1                                                                  C6         C11
                                                                                                                   L3  C12      C13 C14
              RS =
              50

                                        C2

                                                                                          C5            C7
                                                            +VB = 12.5 V                                C8
                                                                                                  C9 R2
            R3                                   R5

                                                       TR2                                                                  L5
                                            C16                                                                                           +VB = 12.5 V

            TR1                                                    bias                                                                                   MGP492

                                                 R6

            R4                              C15

                                                            Fig.15 S.S.B. class-AB test circuit.

March 1993                                                                                    10
Philips Semiconductors                                                                           Product specification

  VHF power transistor                                                                               BLW60C

List of components:

TR1 = TR2 = BD137
C1 = 100 pF air dielectric trimmer (single insulated rotor type)
C2 = 27 pF ceramic capacitor
C3 = 180 pF ceramic capacitor
C4 = 100 pF air dielectric trimmer (single non-insulated rotor type)
C5 = C7 = 3,9 nF polyester capacitor
C6 = 2 270 pF polystyrene capacitors in parallel
C8 = C15 = C16 = 100 nF polyester capacitor
C9 = 2,2 F moulded metallized polyester capacitor
C10 = 2 385 pF film dielectric trimmer
C11 = 68 pF ceramic capacitor
C12 = 2 x 82 pF ceramic capacitors in parallel
C13 = 47 pF ceramic capacitor
C14 = 385 pF film dielectric trimmer
L1 = 88 nH; 3 turns Cu wire (1,0 mm); int. dia. 9 mm; length 6,1 mm; leads 2 5 mm
L2 = L5 = Ferroxcube choke coil (cat. no. 4312 020 36640)
L3 = 68 nH; 3 turns enamelled Cu wire (1,6 mm); int. dia. 8 mm; length 8,3 mm; leads 2 5 mm
L4 = 96 nH; 3 turns enamelled Cu wire (1,6 mm); int. dia. 10 mm; length 7,6 mm; leads 2 5 mm
R1 = 27  ( 5%) carbon resistor
R2 = 4,7  (5%) carbon resistor
R3 = 1,5 k (5%) carbon resistor
R4 = 10  wirewound potentiometer (3 W)
R5 = 47  wirewound resistor (5,5 W)
R6 = 150  (5%) carbon resistor

Measuring conditions for Figs 16 and 17:      Measuring conditions for Figs 18 and 19:

VCC = 12,5 V                                  VCC = 13,5 V
f1 = 28,000 MHz                               f1 = 28,000 MHz
f2 = 28,001 MHz                               f2 = 28,001 MHz
Th = 25 C                                    Th = 25 C
Rth mb-h  0,45 K/W                          Rth mb-h  0,45 K/W
IC(ZS) = 25 mA                                IC(ZS) = 25 mA
typical values                                typical values

March 1993                                11
Philips Semiconductors                                                                                                         Product specification

  VHF power transistor                                                                                                             BLW60C

handbook-,2h0alfpaginetermodulation distortion versus        MGP493                                                                        MGP494
                   output power *
                                                       d3                    handbook,4h0alfpadgoeuble-tone efficiency versus
      d3, d5                                                                                   output power
       (dB)
                                                                             dt      typ

                                                                             (%)

                                                             d5              20
-40

-60                                                                          0
     0
            20          P.E.P. (W)                               40               0       20                                   P.E.P. (W)  40

            Fig.16                                                                   Fig.17

handbook-,2h0alfpaignetermodulation distortion versus            MGP495                                                                    MGP496
                   output power *
                                                                  d3                    40
      d3, d5                                                      d5         handbook, halfpadgoeuble-tone efficiency versus
       (dB)
                                                                                               output power
         -40
                                                                             dt

                                                                             (%)     typ

                                                                             20

-60                                                                          0
     0
            20          P.E.P. (W)                               40               0       20                                   P.E.P. (W)  40

            Fig.18                                                                   Fig.19

* Stated intermodulation distortion figures are referred to the according level of either of the equal amplified tones.
Relative to the according peak envelope powers these figures should be increased by 6 dB.

March 1993                                                               12
Philips Semiconductors                                                                       Product specification

  VHF power transistor                                                                           BLW60C

handbook,3h0alfpage                      MGP497      handbook,1h0alfpage                                                         MGP498
         Gp                                                     ri
        (dB)                                                  ()                                                                5
                                                                           input impedance (series components)
           20                                                  7.5
                                                                           versus frequency                                              xi
           10
               1                                                                                      ()

                                                                                                      2.5

                                                                   5                                                 0
                                                                                             xi
                                                                 2.5
                                                                                                                     -2.5
                                                                   0                         ri
                                                                     1
                                         102                                                          -5
                                                                                                      102
                     10         f (MHz)                                    10                f (MHz)

                     Fig.20                                                Fig.21

S.S.B. class-AB operation
Conditions for Figs 20 and 21:

VCC = 12,5 V                                     VCC = 13,5 V

PL = 30 W (P.E.P.)                               PL = 35 W (P.E.P.)

Th = 25 C                                       Th = 25 C

Rth mb-h  0,45 K/W                               Rth mb-h  0,45 K/W

IC(ZS) = 25 mA                                   IC(ZS) = 25 mA

ZL = 1,9                                         ZL = 1,9

The typical curves (both conditions) hold for an unneutralized amplifier.

March 1993                                       13
Philips Semiconductors                                                                                                                                     Product specification

  VHF power transistor                                                                                                                                         BLW60C

PACKAGE OUTLINE                                                                                                                                                         SOT120A
Studded ceramic package; 4 leads

                                                                                    D

                      A                                                                                              c
                           Q                                                                      A

                         N1                           D1                                              w1 M A
                                                                                              X
                      N                               D2                                                                          M                               W
                                                                                                           3
                         N3

                                                             H                                                                    M1
                                                             b                                                                                   detail X

                                                    4
                                        L

                         H
                                     1

                                                                                          2

                                                                                       0      5          10 mm

                                                                                              scale

DIMENSIONS (millimetre dimensions are derived from the original inch dimensions)

UNIT A         b      c           D     D1 D2         H                                   L   M      M1                 N  N1 N3         Q      W          w1

mm      5.97   5.90   0.18    9.73      8.39   9.66   27.44                            9.00   3.41   1.66   12.83          1.60   3.31   4.35   8-32       0.38
        4.74   5.48   0.14    9.47      8.12   9.39   25.78                            8.00   2.92   1.39   11.17          0.00   2.54   3.98   UNC        0.015

inches  0.283  0.232  0.007   0.383     0.330  0.380  1.080                            0.354  0.134  0.065  0.505          0.063  0.130  0.171
        0.248  0.216  0.004   0.373     0.320  0.370  1.015                            0.315  0.115  0.055  0.440          0.000  0.100  0.157

OUTLINE                                               REFERENCES                                                                          EUROPEAN                ISSUE DATE
                                                                                                                                         PROJECTION                 97-06-28
VERSION                      IEC               JEDEC                                          EIAJ

    SOT120A

March 1993                                                                                    14
Philips Semiconductors                                                                               Product specification

  VHF power transistor                                                                                   BLW60C

DEFINITIONS

Data Sheet Status

Objective specification    This data sheet contains target or goal specifications for product development.
Preliminary specification  This data sheet contains preliminary data; supplementary data may be published later.
Product specification      This data sheet contains final product specifications.

Limiting values

Limiting values given are in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Stress above one or
more of the limiting values may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and operation
of the device at these or at any other conditions above those given in the Characteristics sections of the specification
is not implied. Exposure to limiting values for extended periods may affect device reliability.

Application information

Where application information is given, it is advisory and does not form part of the specification.

LIFE SUPPORT APPLICATIONS
These products are not designed for use in life support appliances, devices, or systems where malfunction of these
products can reasonably be expected to result in personal injury. Philips customers using or selling these products for
use in such applications do so at their own risk and agree to fully indemnify Philips for any damages resulting from such
improper use or sale.

March 1993                 15
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