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BFG94_2015

器件型号:BFG94_2015
厂商名称:Jinmei
厂商官网:http://www.jmnic.com/
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器件描述

NPN 6 GHz wideband transistor

BFG94_2015器件文档内容

                         DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

BFG94
NPN 6 GHz wideband transistor

Product specification                             September 1995
File under Discrete Semiconductors, SC14
Philips Semiconductors                                                                       Product specification

  NPN 6 GHz wideband transistor                                                                      BFG94

FEATURES                             PINNING

High power gain                    PIN      DESCRIPTION              page                     4
Low noise figure
Low intermodulation distortion       1 emitter
Gold metallization ensures           2 base
                                       3 emitter
   excellent reliability.              4 collector

DESCRIPTION                                                                               1  2     3

NPN transistor mounted in a plastic                                               Top view       MSB002 - 1
SOT223 envelope. It is primarily
intended for use in communication                                                 Fig.1 SOT223.
and instrumentation systems.

QUICK REFERENCE DATA

SYMBOL          PARAMETER                           CONDITIONS                    MIN. TYP. MAX. UNIT

VCBO    collector-base voltage                open emitter                        - - 15 V
VCEO    collector-emitter voltage             open base
IC      DC collector current                                                      - - 12 V
Ptot    total power dissipation               up to Ts = 140 C (note 1)
Cre     feedback capacitance                  IC = 0; VCE = 10 V; f = 1 MHz       - - 60 mA
fT      transition frequency                  IC = 45 mA; VCE = 10 V; f = 1 GHz;
                                              Tamb = 25 C                        - - 700 mW
GUM     maximum unilateral power gain         IC = 45 mA; VCE = 10 V; f = 1 GHz;
                                              Tamb = 25 C                        - - 0.8 pF
VO      output voltage                        IC = 45 mA; VCE = 10 V;
                                              dim = -60 dB; RL = 75 ;             46-              GHz
                                              f = 800 MHz; Tamb = 25 C
                                              IC = 45 mA; VCE = 10 V; f = 1 GHz;  11.5 13.5 -      dB
                                              Tamb = 25 C
                                                                                  - 500 -          mV

PL1     output power at 1 dB gain                                                 - 21.5 -         dBm

        compression

Note

1. Ts is the temperature at the soldering point of the collector tab.

September 1995                                2
Philips Semiconductors                                                             Product specification

  NPN 6 GHz wideband transistor                                                          BFG94

LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).

SYMBOL              PARAMETER                                          CONDITIONS  MIN. MAX. UNIT

VCBO     collector-base voltage               open emitter                         -  15  V
VCEO     collector-emitter voltage            open base
VEBO     emitter-base voltage                 open collector                       -  12  V
IC       DC collector current
Ptot     total power dissipation              up to Ts = 140 C (note 1)           -  2   V
Tstg     storage temperature
Tj       junction temperature                                                      -  60  mA

                                                                                   -  700 mW

                                                                                   -65 150 C

                                                                                   -  175 C

THERMAL RESISTANCE

SYMBOL          PARAMETER                              CONDITIONS                      THERMAL RESISTANCE
                                              up to Ts = 140 C (note 1)           50 K/W
Rth j-s  thermal resistance from junction to
         soldering point

Note
1. Ts is the temperature at the soldering point of the collector tab.

September 1995                                3
Philips Semiconductors                                                                                   Product specification

  NPN 6 GHz wideband transistor                                                                                BFG94

CHARACTERISTICS
Tj = 25 C unless otherwise specified.

SYMBOL              PARAMETER                          CONDITIONS                                     MIN. TYP. MAX. UNIT

ICBO    collector cut-off current       IE = 0; VCB = 10 V                                            - - 100 nA
                                        IC = 30 mA; VCE = 5 V
hFE     DC current gain                 IC = 45 mA; VCE = 10 V                                        45 90 -
                                        IE = ie = 0; VCB = 10 V; f = 1 MHz                            - 100 -
                                        IC = ie = 0; VEB = 0.5 V; f = 1 MHz
Cc      collector capacitance           IC = ic = 0; VCE = 10 V; f = 1 MHz                            - 0.9 2      pF
                                        IC = 45 mA; VCE = 10 V; f = 1 GHz;
Ce      emitter capacitance             Tamb = 25 C                                                  - 2.9 4.5 pF
                                        IC = 30 mA; VCE = 5 V; f = 1 GHz;
Cre     feedback capacitance            Tamb = 25 C                                                  - 0.5 0.8 pF
                                        IC = 45 mA; VCE = 10 V; f = 1 GHz;
fT      transition frequency            Tamb = 25 C                                                  4--          GHz
                                        s = opt; IC = 45 mA; VCE = 10 V;
                                        f = 500 MHz                                                   46-          GHz

GUM     maximum unilateral power gain   s = opt; IC = 45 mA; VCE = 10 V;                              11.5 13.5 -  dB
                                        f = 1 GHz
        (note1)
                                        note 2
F       minimum noise figure                                                                          - 2.7 -      dB
                                        note 3
                                                                                                      -3-          dB

VO      output voltage                                                                                - 500 -      mV

d2      second order intermodulation                                                                  - -51 -      dB

        distortion

PL1     output power at 1 dB gain       IC = 45 mA; VCE = 10 V; RL = 50 ; -                              21.5 -    dBm
                                        Tamb = 25 C; measured at f = 1 GHz                              34 -      dBm
        compression

ITO     third order intercept point     note 4                                                        -

Notes

1. GUM is the maximum unilateral power gain, assuming S12 is zero and
     GUM = 10 log ----1-----------S----1---1----2S----2---1---1-2----------S----2--2-----2---- dB.

2. dim = -60 dB (DIN 45004B, par 6.3: 3-tone); IC = 45 mA; VCE = 10 V; RL = 75 ; Tamb = 25 C;
     Vp = VO at dim = -60 dB; fp = 795.25 MHz;
     Vq = VO -6 dB; Vr = VO -6 dB;
     fq = 803.25 MHz; fr = 805.25 MHz;
     measured at f(p+q-r) = 793.25 MHz.

3. IC = 45 mA; VCE = 10 V; RL = 75 ; Tamb = 25 C;
     Vq = VO = 280 mV;
     fp = 250 MHz; fq = 560 MHz;
     measured at f(p+q) = 810 MHz.

4. IC = 45 mA; VCE = 10 V; RL = 50 ; Tamb = 25 C;
     fp = 1000 MHz; fq = 1001 MHz;
     measured at f(2p-q) and f(2q-p).

September 1995                                  4
Philips Semiconductors                                                                                          Product specification

  NPN 6 GHz wideband transistor                                                                                       BFG94

+VBB                       10 k  L2       L3                +VCC
                                       1 nF
  input                                                     output
  75                                          1 nF           75                                                                BIAS   input
                                                                                             INPUT SLUG TUNER TEE
                                                                                                                                      output
                       L1        247
               1 nF                                                                                                                  MBB789

                                              DUT                         DUT
                                                                         TEST
                                                                       FIXTURE

                           2 pF

                                 33           33                                             OUTPUT SLUG TUNER  BIAS
                                                                                                                TEE

                                                       MBB780

L1 = L3 = 5 H micro-choke.                                            Fig.3 Measurement set-up for third order
L2 = 1 turn copper wire (0.4 mm), internal diameter 4 mm.                        intercept point and 1 dB gain compression.

Fig.2 Test circuit for second and third order
          intermodulation distortion.

                                              MBB790                                                                                 MCD087

handboo8k,0h0alfpage                                                   handbook1,2h0alfpage
      P tot                                                                   h FE
      (mW)                                                                        80

         600

400

                                                                       40

200

         0                                                             0

            0              50    100   150             200                 0                   10               20 IC (mA) 30

                                              Ts (C)

                                                                       VCE = 10 V; Tj = 25 C

                      Fig.4 Power derating curve.                      Fig.5 DC current gain as a function of collector
                                                                                 current.

September 1995                                                      5
Philips Semiconductors                                                              Product specification

  NPN 6 GHz wideband transistor                                                           BFG94

handbook, h1alfpage                    MBB791                  8                        MCD089
     C re
     (pF)                                         handbook, halfpage

          0.8                                            fT
                                                      (GHz)

                                                               6

0.6                                               4
0.4

                                                  2

0.2

0                                                 0

     0               4   8    12          16          0                10       20  30           40

                                  V CE (V)                                              IC (mA)

IC = ic = 0; f = 1 MHz.                           VCE = 10 V; f = 1 GHz.

Fig.6 Feedback capacitance as a function of       Fig.7 Transition frequency as a function of
          collector-emitter voltage.                        collector current.

                                       MBB792                                           MBB793

handbook,6h0alfpage                               handbook,4h0alfpage
      G UM                                              G UM
       (dB)                                              (dB)

           40                                                30

20                                                20
                                                  10

0                                                 0                        102      103 f (MHz) 104

40                       400  f (MHz)  4000           10

Ic = 45 mA; VCE = 10 V.                           Ic = 20 mA; VCE = 8 V.

Fig.8 Maximum unilateral power gain as a          Fig.9 Maximum unilateral power gain as a
          function of frequency.                            function of frequency.

September 1995                                 6
Philips Semiconductors                                                                                Product specification

  NPN 6 GHz wideband transistor                                                                             BFG94

                                           MBB794                         30                                               MBB795

handbook,2h0alfpage                                            handbook, halfpage                              G max
    G max                                                                                                      G UM
     (dB)                                                           gain
                                                                    (dB)
           15
                                                                          20
10
5                                                                        10

0                    102                   103 f (MHz) 104     0

    10                                                             0                10      20  30             40  50

                                                                                                               IC (mA)

Ic = 20 mA; VCE = 8 V.                                         VCE = 8 V; f = 1 GHz.
                                                               Gmax = maximum available stable gain.
Fig.10 Maximum available stable gain as a                      GUM = maximum unilateral power gain.
          function of frequency.
                                                               Fig.11 Gain as a function of collector current.

handbook,2h0alfpage                        MBB782              handbook,2h0alfpage                                 MBB781
       d2                                                             d3
      (dB)                                                           (dB)

           40                                                             40

60                                                             60

80  10               30                    50 I C (mA) 70      80  10                   30            50 I C (mA) 70

Ic = 45 mA; VCE = 10 V; f(p+q) = 810 MHz.                      Ic = 45 mA; VCE = 10 V; f(p+q-r) = 793.25 MHz.
See test circuit, Fig.2                                        See test circuit, Fig.2

Fig.12 Second order intermodulation distortion as              Fig.13 Third order intermodulation distortion as a
          a function of collector current.                               function of collector current.

September 1995                                              7
Philips Semiconductors                           Product specification

  NPN 6 GHz wideband transistor                        BFG94

             4                   MCD094

handbook, halfpage      f = 2 GHz

         F              1 GHz
       (dB)             500 MHz

             3

             2

1

0                                 10 2

   1                10  I C (mA)

VCE = 8 V.

Fig.14 Minimum noise figure as a function of
          collector current.

September 1995                                8
Philips Semiconductors                                                                                                          Product specification

  NPN 6 GHz wideband transistor                                                                                                       BFG94

handbook, full pagewidth                                     stability
                                                              circle

                                                                              1

                                                        0.5                                                2

                          unstable region
                                                   0.2                                                           5
                                           +j
                                                                         =  1.80 dB                                 10
                                                  0                            OPT
                                           -j           0.2  0.5  F min                         2          5 10

                                                   0.2                      1                                       

Ic = 15 mA; VCE = 10 V; f = 500 MHz.                                                      2 dB                      10

                                                                                          2.5 dB                 5
                                                                                            3 dB

                                                                                                4 dB
                                                                                                  5 dB

                                                        0.5                                                2

                                                                            1                                 MBB788

                                                             Fig.15 Noise circle.

handbook, full pagewidth                                                    1

                                                        0.5                                                2

                                         0.2                                                                     5

                                                                  = 2.25 dB                                         10

                          +j                            0.2  F min OPT 1                        2          5 10     
                                0
                                                             0.5             2.5 dB
                          -j

                                                                                          4 d3.B53ddBB              10
                                                                                                       dB
                                         0.2                                                                     5

                                                                                                   5

                                                        0.5                                                2
                                                                                       1
                                                                                                                        MBB787

      Ic = 15 mA; VCE = 10 V; f =1 GHz.                      Fig.16 Noise circle.

September 1995                                                              9
Philips Semiconductors                                                                                        Product specification

  NPN 6 GHz wideband transistor                                                                                     BFG94

handbook, full pagewidth                                                 50
                                           25
                                                                                          100
                                                                3 GHz                                    250

                                  10       10    25  50                      100          250         

                          +j                                                 40 MHz            250
                                0

                          j

                                  10

                                           25                                             100

                                                     50                                        MBB784

IC = 45 mA; VCE = 10 V.
ZO = 50 .

                          Fig.17 Common emitter input reflection coefficient (S11).

handbook, full pagewidth                             90

                                           120                                      60

                          150                                                                 30

                                                                             3 GHz                      +

                                  0.5 0.4  0.3 0.2   0.1                                              0
                          180                            40 MHz
                                                                                                        -

                          150                                                                 30

                                           120                                      60

                                                     90                                       MBB786

IC = 45 mA; VCE = 10 V.

                          Fig.18 Common emitter forward transmission coefficient (S21).

September 1995                                       10
Philips Semiconductors                                                                                                     Product specification

  NPN 6 GHz wideband transistor                                                                                                  BFG94

handbook, full pagewidth                                                            90
                                                          120
                                                                                              60
                                        150
                                             40 MHz                                                             30

                                       50 40      30 20 10                                                             +
                               180                                        3 GHz
                                                                                                                       0

                                                                                                                       -

                                        150                                                               30

                                                  120                                        60

                                                                   90                                  MBB785

IC = 45 mA; VCE = 10 V.

                               Fig.19 Common emitter reverse transmission coefficient (S12).

handbook, full pagewidth                                           50

                                              25                                                   100

                               10                                                                          250

                               +j             10        25  3 GHz  50                    100  250
                                     0
                                                                                                               
                               j

                                                                                                   40 MHz

                               10                                                                          250

                                              25                                                   100

                                                                   50                                   MBB783

      IC = 45 mA; VCE = 10 V.  Fig.20 Common emitter output reflection coefficient (S22).
      ZO = 50 .
                                                                   11
September 1995
Philips Semiconductors                                                                                                                        Product specification

  NPN 6 GHz wideband transistor                                                                                                                     BFG94

PACKAGE OUTLINE                                                                                                                                               SOT223
Plastic surface mounted package; collector pad for good heat transfer; 4 leads

                          D                                 B                            E                                               A    X

                                                                                       c                                                         vM A
                   y

                                                                                                                           HE

                                       b1

                                                   4

                                                                            A1                                        Q
                                                                                                                                     A
                1            2                      3
                                                                                                                 Lp
                   e1           bp                        wM B                              detail X

                          e

                                                    0               2       4 mm

                                                               scale

DIMENSIONS (mm are the original dimensions)

UNIT A          A1 bp b1  c     D            E         e       e1 HE Lp           Q   v                                        w    y

mm  1.8 0.10 0.80 3.1 0.32 6.7               3.7       4.6     2.3     7.3  1.1 0.95  0.2                                      0.1  0.1
    1.5 0.01 0.60 2.9 0.22 6.3               3.3                       6.7  0.7 0.85

OUTLINE                                      REFERENCES                                                                            EUROPEAN      ISSUE DATE
                                                                                                                                  PROJECTION
VERSION            IEC                       JEDEC             EIAJ                                                                                96-11-11
                                                                                                                                                   97-02-28
    SOT223

September 1995                                                 12
Philips Semiconductors                                                                               Product specification

  NPN 6 GHz wideband transistor                                                                            BFG94

DEFINITIONS

Data Sheet Status

Objective specification    This data sheet contains target or goal specifications for product development.
Preliminary specification  This data sheet contains preliminary data; supplementary data may be published later.
Product specification      This data sheet contains final product specifications.

Limiting values

Limiting values given are in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Stress above one or
more of the limiting values may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and operation
of the device at these or at any other conditions above those given in the Characteristics sections of the specification
is not implied. Exposure to limiting values for extended periods may affect device reliability.

Application information

Where application information is given, it is advisory and does not form part of the specification.

LIFE SUPPORT APPLICATIONS
These products are not designed for use in life support appliances, devices, or systems where malfunction of these
products can reasonably be expected to result in personal injury. Philips customers using or selling these products for
use in such applications do so at their own risk and agree to fully indemnify Philips for any damages resulting from such
improper use or sale.

September 1995                   13
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             www.EEworld.com.cn

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