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BF1203

器件型号:BF1203
厂商名称:Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
厂商官网:https://www.nxp.com/
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器件描述

Dual N-channel dual gate MOS-FET

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BF1203器件文档内容

                         DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

andbook, halfpage

                                                                                  MBD128

BF1203                                                                                   2001 Apr 25
Dual N-channel dual gate
MOS-FET

Product specification
Supersedes data of 2000 Dec 04
Philips Semiconductors                                                                         Product specification

  Dual N-channel dual gate MOS-FET                                                                    BF1203

FEATURES                                                          PINNING - SOT363

Two low noise gain controlled amplifiers in a single            PIN                  DESCRIPTION
   package
                                                                  1        gate 1 (a)
Superior cross-modulation performance during AGC
High forward transfer admittance                                2        gate 2
High forward transfer admittance to input capacitance
                                                                  3        drain (a)
   ratio.
                                                                  4        drain (b)
APPLICATIONS
                                                                  5        source
Gain controlled low noise amplifiers for VHF and UHF
   applications with 3 to 9 V supply voltage, such as digital     6        gate 1 (b)
   and analog television tuners and professional
   communications equipment.                                      handbook, halfpage      g1 (b)     s  d (b)
                                                                              654
DESCRIPTION
                                                                                          AMP           AMP
The BF1203 is a combination of two different dual gate                                      a             b
MOS-FET amplifiers with shared source and gate 2 leads.
The source and substrate are interconnected.                         123                  g1 (a) g2     d (a) MBL254
Internal bias circuits enable DC stabilization and a very         Top view
good cross-modulation performance during AGC.
Integrated diodes between the gates and source protect            Marking code: L2-
against excessive input voltage surges. The transistor is
encapsulated in a SOT363 micro-miniature plastic                           Fig.1 Simplified outline and symbol.
package.

QUICK REFERENCE DATA

SYMBOL       PARAMETER                                         CONDITIONS              MIN. TYP. MAX. UNIT

Per MOS-FET unless otherwise specified

VDS          drain-source voltage                                                      -          -     10       V
ID                                                                                                               mA
yfs          drain current (DC)                                                        -          -     30       mS
                                                                                                                 mS
Cig1-s       forward transfer admittance amp. a: ID = 15 mA                            23 28 35                  pF
                                                                                                                 pF
Crss                                      amp. b: ID = 12 mA                           25 30 40                  fF
NF                                        amp. a: ID = 15 mA; f = 1 MHz                                          dB
             input capacitance at gate 1  amp. b: ID = 12 mA; f = 1 MHz                -          2.6 3.1        dB
Xmod                                                                                                             dBV
                                                                                       -          1.7 2.2        dBV

             reverse transfer capacitance f = 1 MHz                                    -          15 -

             noise figure                 amp. a: f = 400 MHz; ID = 15 mA              -          1     1.8
                                          amp. b: f = 800 MHz; ID = 12 mA
                                                                                       -          1.1 1.8

             cross-modulation             amp. a: input level for k = 1% at 40 dB AGC 105 -             -

                                          amp. b: input level for k = 1% at 40 dB AGC 100 105 -

                                                                       CAUTION

This product is supplied in anti-static packing to prevent damage caused by electrostatic discharge during transport
and handling. For further information, refer to Philips specs.: SNW-EQ-608, SNW-FQ-302A and SNW-FQ-302B.

2001 Apr 25                                                    2
Philips Semiconductors                                                                 Product specification

  Dual N-channel dual gate MOS-FET                                                          BF1203

LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

SYMBOL                      PARAMETER                        CONDITIONS       MIN.     MAX.     UNIT

Per MOS-FET unless otherwise specified

VDS             drain-source voltage                                       -        10       V

ID              drain current (DC)                                         -        30       mA

IG1             gate 1 current                                             -        10      mA

IG2             gate 2 current                                             -        10      mA

Ptot            total power dissipation                Ts  102 C; note 1  -        200      mW

Tstg            storage temperature                                        -65      +150     C

Tj              operating junction temperature                             -        150      C

Note
1. Ts is the temperature at the soldering point of the source lead.

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL                                        PARAMETER                         VALUE        UNIT
                                                                                  240        K/W
Rth j-s         thermal resistance from junction to soldering point

         250                                         MGS359
handboPotko, thalfpage

      (mW)

         200

      150

      100

         50

         0

             0          50      100      150  Ts (C)  200

                        Fig.2 Power derating curve.

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Philips Semiconductors                                                                  Product specification

  Dual N-channel dual gate MOS-FET                                                           BF1203

STATIC CHARACTERISTICS
Tj = 25 C unless otherwise specified.

SYMBOL       PARAMETER                              CONDITIONS                      MIN. MAX. UNIT

Per MOS-FET unless otherwise specified

V(BR)DSS drain-source breakdown voltage VG1-S = VG2-S = 0; ID = 10 A               10  -   V

V(BR)G1-SS gate-source breakdown voltage VGS = VDS = 0; IG1-S = 10 mA               6   10  V

V(BR)G2-SS gate-source breakdown voltage VGS = VDS = 0; IG2-S = 10 mA               6   10  V

V(F)S-G1 forward source-gate voltage    VG2-S = VDS = 0; IS-G1 = 10 mA              0.5 1.5 V

V(F)S-G2 forward source-gate voltage    VG1-S = VDS = 0; IS-G2 = 10 mA              0.5 1.5 V

VG1-S(th) gate-source threshold voltage VDS = 5 V; VG2-S = 4 V; ID = 100 A         0.3 1   V

VG2-S(th) gate-source threshold voltage VDS = 5 V; VG1-S = 4 V; ID = 100 A         0.3 1.2 V

IDSX         drain-source current       amp. a:                                     11  19  mA

                                        VG2-S = 4 V; VDS = 5 V; RG = 62 k; note 1

                                        amp. b:                                     8   16  mA

                                        VG2-S = 4 V; VDS = 5 V; RG = 120 k; note 1

IG1-S        gate cut-off current       VG1-S = 5 V; VG2-S = VDS = 0                -   50  nA

IG2-S        gate cut-off current       VG2-S = 5 V; VG1-S = VDS = 0                -   20  nA

Note
1. RG1 connects gate 1 to VGG = 5 V.

2001 Apr 25                                      4
Philips Semiconductors                                                                        Product specification

  Dual N-channel dual gate MOS-FET                                                                 BF1203

DYNAMIC CHARACTERISTICS AMPLIFIER a
Common source; Tamb = 25 C; VG2-S = 4 V; VDS = 5 V; ID = 15 mA; unless otherwise specified.

SYMBOL       PARAMETER                               CONDITIONS        MIN. TYP. MAX. UNIT

yfs          forward transfer admittance pulsed; Tj = 25 C            23   28                35   mS
Cig1-ss                                                                                            pF
Cig2-ss      input capacitance at gate 1 f = 1 MHz                     -    2.6 3.1                pF
Coss                                                                                               pF
Crss         input capacitance at gate 2 f = 1 MHz                     -    3                 -    fF
F                                                                                                  dB
             output capacitance  f = 1 MHz                             -    0.9 -                  dB
Gtr                                                                                                dB
             reverse transfer capacitance f = 1 MHz                    -    15                30   dB
Xmod
             noise figure        f = 10.7 MHz; GS = 20 mS; BS = 0      -    5                 7    dB

                                 f = 400 MHz; YS = YS opt              -    1                 1.8  dB

                                 f = 800 MHz; YS = YS opt              -    1.9 2.5                dBV
                                                                                                   dBV
             power gain          f = 200 MHz; GS = 2 mS; BS = BS opt;  -    32.5 -                 dBV

                                 GL = 0.5 mS; BL = BL opt; note 1

                                 f = 400 MHz; GS = 2 mS; BS = BS opt;  -    27                -

                                 GL = 1 mS; BL = BL opt; note 1

                                 f = 800 MHz; GS = 3.3 mS; BS = BS opt; -   21                -
                                 GL = 1 mS; BL = BL opt; note 1

             cross-modulation    input level for k = 1%; fw = 50 MHz;
                                 funw = 60 MHz; note 2

                                           at 0 dB AGC                 90   -                 -

                                           at 10 dB AGC                -    95                -

                                           at 40 dB AGC                105  -                 -

Notes
1. Calculated from measured s-parameters.
2. Measured in Fig.35 test circuit.

2001 Apr 25                                             5
Philips Semiconductors                                                                                      Product specification

  Dual N-channel dual gate MOS-FET                                                                               BF1203

           25               VG2-S = 4 V        MCD935                                  24                                  MCD936

handbook, halfpage                          3.5 V                           handbook, halfpage              VG1-S = 1.8 V
                                            3V                                                                          1.7 V
         ID                                                                          ID                                 1.6 V
       (mA)                                                                        (mA)                                 1.5 V
                                                                                                                        1.4 V
           20                                                                          16                               1.3 V
                                                                                                                        1.2 V
                                            2.5 V                                        8

15                                          2V
10

                                            1.5 V

5

                                            1V

0                                                                           0

    0               0.5  1  1.5          2                          2.5         0                2  4   6   8                               10

                                         VG1-S (V)                                                             VDS (V)

Amplifier a                                                                 Amplifier a
VDS = 5 V.                                                                  VG2-S = 4 V.
Tj = 25 C.                                                                 Tj = 25 C.

   Fig.3 Transfer characteristics; typical values.                              Fig.4 Output characteristics; typical values.

         100                VG2-S = 4 V        MCD937                       handbook,4h0alfpage                           MCD938
                                                                                     yfs
handbook, halfpage                          3.5 V                                  (mS)                     VG2-S = 4 V
                                                                                                                     3.5 V
        IG1                                                                            30
        (A)

           80

                                            3V

60                                                                          20                                  3V
                                                             2.5 V

40

                                            2V                                                                                       2.5 V
                                                                            10
20
                                                                                                                    2V

                                            1.5 V

0                                                                           0

    0               0.5  1  1.5          2                          2.5         0                5  10  15  20                              25

                                         VG1-S (V)                                                             ID (mA)

Amplifier a                                                                 Amplifier a
VDS = 5 V.                                                                  VDS = 5 V.
Tj = 25 C.                                                                 Tj = 25 C.

Fig.5 Gate 1 current as a function of gate 1                                Fig.6 Forward transfer admittance as a function
          voltage; typical values.                                                    of drain current; typical values.

2001 Apr 25                                                              6
Philips Semiconductors                                                                         Product specification

  Dual N-channel dual gate MOS-FET                                                                  BF1203

handbook,1h6alfpage                          MCD939        handbook,2h0alfpage                            MCD940
         ID                                                         ID

       (mA)                                                       (mA)

           12                                                         16

8                                                          12
                                                            8

4

                                                           4

0                                                          0

   0                 10  20          30  40  50                0                1     2  3             4           5

                                            IG1 (A)                                                      VGG (V)

Amplifier a                                                Amplifier a
VDS = 5 V; VG2-S = 4 V.                                    VDS = 5 V; VG2-S = 4 V; Tj = 25 C.
Tj = 25 C.                                                RG1 = 62 k (connected to VGG); see Fig.35.

Fig.7 Drain current as a function of gate 1 current;       Fig.8 Drain current as a function of gate 1 supply
          typical values.                                            voltage (= VGG); typical values.

           25            RG1 = 39 k            MCD941      handbook,2h0alfpage                                       MCD942
                             47 k                                   ID
handbook, halfpage                           68 k                                                      VGG = 5 V
                           56 k                82 k               (mA)                                          4.5 V
         ID              62 k                                         16                                        4V
       (mA)                                  100 k                                                              3.5 V
                                                                      12                                        3V
           20
                                                                        8
           15

           10

5                                                          4

0                                                          0

   0                 2   4           6   8   10                0                   2        4          VG2-S (V)  6

                                         VGG = VDS (V)

Amplifier a                                                Amplifier a
VG2-S = 4 V; Tj = 25 C.                                   VDS = 5 V; Tj = 25 C.
RG1 connected to VGG; see Fig.35.                          RG1 = 62 k (connected to VGG); see Fig.35.

Fig.9 Drain current as a function of gate 1 (= VGG)        Fig.10 Drain current as a function of gate 2
          and drain supply voltage; typical values.                  voltage; typical values.

2001 Apr 25                                             7
Philips Semiconductors                                                                                        Product specification

  Dual N-channel dual gate MOS-FET                                                                                 BF1203

handbook,6h0alfpage                                      MCD943                  0                                   MCD944
        IG1                                                         handgbaoionk, halfpage
        (A)                                VGG = 5 V                reduction
           40
                                                     4.5 V              (dB)
           20                                        4V                      -10
                                                     3.5 V
                                                     3V             -20
                                                                    -30

                                                                    -40

0                                                                   -50

     0                    2          4      VG2-S (V)  6                 0                      1      2      3  VAGC (V)  4

Amplifier a                                                         Amplifier a
VDS = 5 V; Tj = 25 C.
RG1 = 62 k (connected to VGG); see Fig.35.                          VDS = 5 V; VGG = 5 V; RG1 = 62 k;
                                                                    f = 50 MHz; Tamb = 25 C.

Fig.11 Gate 1 current as a function of gate 2                       Fig.12 Typical gain reduction as a function of the
          voltage; typical values.                                            AGC voltage; see Fig.35.

handboo1k,2h0alfpage                            MCD945                         20                                    MCD946
      Vunw
     (dBV)                                                         handbook, halfpage

         110                                                                 ID
                                                                           (mA)

                                                                               16

100                                                                 12
                                                                     8

90

                                                                    4

80                                                                  0

     0                10     20  30         40         50                0                  10     20     30     40        50

                                 gain reduction (dB)                                                      gain reduction (dB)

Amplifier a                                                         Amplifier a
VDS = 5 V; VGG = 5 V; RG1 = 62 k; f = 50 MHz;
funw = 60 MHz; Tamb = 25 C.                                        VDS = 5 V; VGG = 5 V; RG1 = 62 k;
                                                                    f = 50 MHz; Tamb = 25 C.
Fig.13 Unwanted voltage for 1% cross-modulation
          as a function of gain reduction; typical                  Fig.14 Drain current as a function of gain
          values; see Fig.35.                                                 reduction; typical values; see Fig.35.

2001 Apr 25                                                      8
Philips Semiconductors                                                                                        Product specification

  Dual N-channel dual gate MOS-FET                                                                                 BF1203

handbook1, 0h2alfpage                                      MGT588         handbook1, 0h3alfpage                        MGT589 -103
         yis
       (mS)                     bis                                              |yrs|                                                           rs
           10                                gis                                                                                               (deg)
                                                                                  (S)
             1                                                                      102                   rs                                   -102

                                                                                     10              |yrs|                                     -10

10-1                       102             103                            1                                                                    -1
     10
                                  f (MHz)                                 10                         102      f (MHz)  103

Amplifier a                                                               Amplifier a
VDS = 5 V; VG2 = 4 V.                                                     VDS = 5 V; VG2 = 4 V.
ID = 15 mA; Tamb = 25 C.                                                 ID = 15 mA; Tamb = 25 C.

Fig.15 Input admittance as a function of frequency;                       Fig.16 Reverse transfer admittance and phase as
          typical values.                                                           a function of frequency; typical values.

handbook1, 0ha2lfpage      |yfs|           MGT590 -102                    handbook,1h0alfpage                                          MGT591
                                                                                  yos
       |yfs|                 fs                         fs                       (mS)                     bos
                                                     (deg)                             1                  gos
        (mS)
                                                     -10                          10-1
           10

1                          102                                     -1     10-2                       102               103
                                           103                                 10
10                                f (MHz)                                                                     f (MHz)

Amplifier a                                                               Amplifier a
VDS = 5 V; VG2 = 4 V.                                                     VDS = 5 V; VG2 = 4 V.
ID = 15 mA; Tamb = 25 C.                                                 ID = 15 mA; Tamb = 25 C.

Fig.17 Forward transfer admittance and phase as                           Fig.18 Output admittance as a function of
          a function of frequency; typical values.                                  frequency; typical values.

2001 Apr 25                                                            9
Philips Semiconductors                                                               Product specification

  Dual N-channel dual gate MOS-FET                                                        BF1203

Amplifier a scattering parameters
VDS = 5 V; VG2-S = 4 V; ID = 15 mA; Tamb = 25 C

   f                s11  ANGLE                s21  ANGLE                s12  ANGLE                s22  ANGLE
(MHz)                     (deg)                     (deg)                     (deg)                     (deg)
       MAGNITUDE                 MAGNITUDE                 MAGNITUDE                 MAGNITUDE
           (ratio)                   (ratio)       174.07      (ratio)        85.79      (ratio)        -1.72
                                                   168.16      0.0006         83.27       0.997         -3.42
50           0.987       -5.12   2.67              156.64      0.0012         78.22       0.996         -6.77
                                                   145.05      0.0023         73.26       0.992        -10.12
100          0.983       -10.24  2.66              134.13      0.0030         71.40       0.986        -13.33
                                                   132.32      0.0032         74.34       0.980        -16.56
200          0.976       -20.37  2.61              113.25      0.0029         90.33       0.972        -19.74
                                                   103.20      0.0024        129.94       0.965        -22.90
300          0.946       -30.36  2.54               93.78      0.0023        172.18       0.960        -26.05
                                                    84.84      0.0035        171.55       0.950        -29.10
400          0.919       -40.15  2.47               75.92      0.0070        172.88       0.951        -32.25
                                                               0.0104                     0.947
500          0.885       -49.55  2.37

600          0.851       -58.50  2.26

700          0.815       -67.28  2.15

800          0.778       -75.03  2.02

900          0.747       -83.30  1.95

1 000        0.710       -90.47  1.83

2001 Apr 25                                        10
Philips Semiconductors                                                                        Product specification

  Dual N-channel dual gate MOS-FET                                                                 BF1203

DYNAMIC CHARACTERISTICS AMPLIFIER b
Common source; Tamb = 25 C; VG2-S = 4 V; VDS = 5 V; ID = 12 mA; unless otherwise specified.

SYMBOL       PARAMETER                               CONDITIONS        MIN. TYP. MAX. UNIT

yfs          forward transfer admittance pulsed; Tj = 25 C            25   30                40  mS
Cig1-ss                                                                                           pF
Cig2-ss      input capacitance at gate 1 f = 1 MHz                     -    1.7 2.2               pF
Coss                                                                                              pF
Crss         input capacitance at gate 2 f = 1 MHz                     -    4                 -   fF
F                                                                                                 dB
             output capacitance  f = 1 MHz                             -    0.85 -                dB
Gtr                                                                                               dB
             reverse transfer capacitance f = 1 MHz                    -    15                30  dB
Xmod
             noise figure        f = 10.7 MHz; GS = 20 mS; BS = 0      -    9                 11  dB

                                 f = 400 MHz; YS = YS opt              -    0.9 1.5               dB

                                 f = 800 MHz; YS = YS opt              -    1.1 1.8               dBV
                                                                                                  dBV
             power gain          f = 200 MHz; GS = 2 mS; BS = BS opt;  -    34                -   dBV

                                 GL = 0.5 mS; BL = BL opt; note 1

                                 f = 400 MHz; GS = 2 mS; BS = BS opt;  -    30                -

                                 GL = 1 mS; BL = BL opt; note 1

                                 f = 800 MHz; GS = 3.3 mS; BS = BS opt; -   25                -
                                 GL = 1 mS; BL = BL opt; note 1

             cross-modulation    input level for k = 1%; fw = 50 MHz;
                                 funw = 60 MHz; note 2

                                           at 0 dB AGC                 90   -                 -

                                           at 10 dB AGC                -    92                -

                                           at 40 dB AGC                100  105 -

Notes
1. Calculated from measured s-parameters.
2. Measured in Fig.35 test circuit.

2001 Apr 25                                             11
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  Dual N-channel dual gate MOS-FET                                                                               BF1203

           20                 VG2-S = 4 V         MCD952                                24                                 MCD953
                              3.5 V
handbook, halfpage            3V               2.5 V                         handbook, halfpage             VG1-S = 1.5 V

         ID                                   2V                                      ID                                1.4 V
       (mA)                                                                         (mA)                                1.3 V
                                              1.5 V                                                                     1.2 V
           16                                                                           16                              1.1 V
                                                                                                                        1V
           12                                                                             8                             0.9 V

             8

4
                                                           1V

0                                                                            0

    0               0.4  0.8  1.2          1.6                      2           0                 2  4  6   8                                    10

                                           VG1-S (V)                                                           VDS (V)

Amplifier b                                                                  Amplifier b
VDS = 5 V.                                                                   VG2-S = 4 V.
Tj = 25 C.                                                                  Tj = 25 C.

  Fig.19 Transfer characteristics; typical values.                               Fig.20 Output characteristics; typical values.

         100                VG2-S = 4 V             MCD954                   handbook,4h0alfpage                                       MCD955
                                                                                      yfs
handbook, halfpage                         3.5 V                                    (mS)                                     3.5 V
                                               3V                                                       VG2-S = 4 V
        IG1                                                                             30
        (A)                                                                                                                3V

           80

60
                                                             2.5 V

                                                                             20
                                                                                                                                          2.5 V

40
                                                             2V

20                                                                           10
                                                                                                                                          2V
                                              1.5 V

0                                             1V                             0

    0               0.5  1    1.5          2                        2.5         0                 4  8  12  16                                   20

                                           VG1-S (V)                                                           ID (mA)

Amplifier b                                                                  Amplifier b
                                                                             VDS = 5 V.
VDDSS = 5 V.                                                                 Tj = 25 C.
Tjj = 25 C.

Fig.21 Gate 1 current as a function of gate 1                                Fig.22 Forward transfer admittance as a function
          voltage; typical values.                                                     of drain current; typical values.

2001 Apr 25                                                              12
Philips Semiconductors                                                                                 Product specification

  Dual N-channel dual gate MOS-FET                                                                          BF1203

handbook,2h0alfpage                           MCD956                                                               MCD957
         ID
                                                                   handbook,1h6alfpage
       (mA)                                                                 ID

           16                                                             (mA)

                                                                              12

12                                                                 8
8

                                                                   4

4

0                                                                  0

    0                10     20     30     40  50                      0                 1     2  3              4          5

                                          IG1 (A)                                                              VGG (V)

Amplifier b                                                        Amplifier b
VDS = 5 V; VG2-S = 4 V.                                            VDS = 5 V; VG2-S = 4 V; Tj = 25 C.
Tj = 25 C.                                                        RG1 = 120 k (connected to VGG); see Fig.35.

Fig.23 Drain current as a function of gate 1 current;              Fig.24 Drain current as a function of gate 1 supply
          typical values.                                                    voltage (= VGG); typical values.

handbook,2h0alfpage                                    MCD958                 16                                     MCD959
         ID
                                          RG1 = 68 k               handbook, halfpage                  VGG = 5 V
       (mA)                                                                                                     4.5 V
           16                                      82 k                     ID                                  4V
                                                   100 k                   (mA)                                 3.5 V
           12                                      120 k                                                        3V
                                                   150 k                      12
             8                                     180 k
                                                   220 k                        8
             4
                                                                   4

0                                                                  0

    0                    2             4      6                       0                    2        4           VG2-S (V)  6

                                          VGG = VDS (V)

Amplifier b                                                        Amplifier b
VG2-S = 4 V; Tj = 25 C.                                           VDS = 5 V; Tj = 25 C.
RG1 connected to VGG; see Fig.35.                                  RG1 = 120 k (connected to VGG); see Fig.35.

Fig.25 Drain current as a function of gate 1 (= VGG)               Fig.26 Drain current as a function of gate 2
          and drain supply voltage; typical values.                          voltage; typical values.

2001 Apr 25                                                    13
Philips Semiconductors                                                                                     Product specification

  Dual N-channel dual gate MOS-FET                                                                              BF1203

handbook,4h0alfpage                                  MCD960                   0                                   MCD961
        IG1                                                      handgbaoionk, halfpage
        (A)                            VGG = 5 V                 reduction
           30                                    4.5 V
                                                 4V                  (dB)
           20                                    3.5 V                    -10
                                                 3V
           10                                                    -20
                                                                 -30

                                                                 -40

0                                                                -50

     0                    2          4       VG2-S (V)  6             0                      1      2      3  VAGC (V)  4

Amplifier b                                                      Amplifier b
VDS = 5 V; Tj = 25 C.
RG1 = 120 k (connected to VGG); see Fig.35.                      VDS = 5 V; VGG = 5 V; RG1 = 120 k;
                                                                 f = 50 MHz; Tamb = 25 C.

Fig.27 Gate 1 current as a function of gate 2                    Fig.28 Typical gain reduction as a function of the
          voltage; typical values.                                         AGC voltage; see Fig.35.

handboo1k,2h0alfpage                             MCD962          handbook,1h6alfpage                              MCD963
      Vunw                                                                ID
     (dBV)
                                                                         (mA)
         110
                                                                            12

100                                                              8

90                                                               4

80                                                               0

     0                10     20  30          40         50            0                  10     20     30     40  50

                                 gain reduction (dB)                                                   gain reduction (dB)

Amplifier b                                                      Amplifier b
VDS = 5 V; VGG = 5 V; RG1 = 120 k;
f= 50 MHz; funw = 60 MHz; Tamb = 25 C.                          VDS = 5 V; VGG = 5 V; RG1 = 120 k;
                                                                 f = 50 MHz; Tamb = 25 C.
Fig.29 Unwanted voltage for 1% cross-modulation
          as a function of gain reduction; typical               Fig.30 Drain current as a function of gain
          values; see Fig.35.                                              reduction; typical values; see Fig.35.

2001 Apr 25                                                  14
Philips Semiconductors                                                                                         Product specification

  Dual N-channel dual gate MOS-FET                                                                                  BF1203

handbook1, 0h2alfpage                                      MGT592          handbook1, 0h3alfpage                        MGT593 -103
         yis
        (mS)                    bis                                               |yrs|                                                          rs
           10                                                                                                                                  (deg)
                                                                                   (S)
             1                                                                                             rs                                  -102
                                                                                     102

                                                                           10                         |yrs|                                    -10

                                g is

10-1                       102                 103                         1                                                                   -1
     10
                                      f (MHz)                              10                         102      f (MHz)  103

Amplifier b                                                                Amplifier b
VDS = 5 V; VG2 = 4 V.                                                      VDS = 5 V; VG2 = 4 V.
ID = 12 mA; Tamb = 25 C.                                                  ID = 12 mA; Tamb = 25 C.

Fig.31 Input admittance as a function of frequency;                        Fig.32 Reverse transfer admittance and phase as
          typical values.                                                            a function of frequency; typical values.

          102              |yfs|               MGT594 -102                 handbook,1h0alfpage                                         MGT595
                                                                                   yos
handbook, halfpage          fs                              fs                    (mS)                     bos
                                                         (deg)                          1                  gos
       |yfs|
                                                         -10                       10-1
        (mS)

           10

1                          102                                     -1      10-2                       102               103
                                               103                              10
10                                    f (MHz)                                                                  f (MHz)

Amplifier b                                                                Amplifier b
VDS = 5 V; VG2 = 4 V.                                                      VDS = 5 V; VG2 = 4 V.
ID = 12 mA; Tamb = 25 C.                                                  ID = 12 mA; Tamb = 25 C.

Fig.33 Forward transfer admittance and phase as                            Fig.34 Output admittance as a function of
          a function of frequency; typical values.                                   frequency; typical values.

2001 Apr 25                                                            15
Philips Semiconductors                                                                              Product specification

  Dual N-channel dual gate MOS-FET                                                                       BF1203

handbook, full pagewidth                               VAGC

                                                      R1                    C3
                                                  10 k

                                                                 C1

                                                               4.7 nF

                                                                            4.7 nF

                                        C2                             DUT  L1              RL
                                                                                            50
                                                                             2.2 H
                          RGEN      R2  4.7 nF
                            50    50                 RG1                        C4

                              VI               VGG                                  4.7 nF  MGS315
                                                                            VDS

                          Fig.35 Cross-modulation test set-up (for one MOS-FET).

Amplifier b scattering parameters
VDS = 5 V; VG2-S = 4 V; ID = 12 mA; Tamb = 25 C

   f                s11   ANGLE                s21  ANGLE                           s12     ANGLE                s22  ANGLE
(MHz)                      (deg)                     (deg)                                   (deg)                     (deg)
       MAGNITUDE                  MAGNITUDE                            MAGNITUDE                    MAGNITUDE
           (ratio)                    (ratio)       166.05                 (ratio)           87.62      (ratio)        -1.45
                                                    172.11                 0.0006            86.02       0.994         -2.92
50           0.988        -3.30         2.93        164.49                 0.0013            82.03       0.993         -5.72
                                                    156.59                 0.0025            76.76       0.990         -8.57
100          0.987        -6.60         2.92        149.17                 0.0036            73.59       0.986        -11.32
                                                    141.47                 0.0045            71.13       0.981        -14.22
200          0.981        -13.19        2.90        134.25                 0.0051            69.07       0.975        -17.04
                                                    126.81                 0.0054            68.03       0.971        -19.92
300          0.969        -19.81        2.87        119.56                 0.0055            68.55       0.966        -22.77
                                                    112.70                 0.0055            69.87       0.958        -25.54
400          0.957        -26.42        2.84        105.72                 0.0048            78.19       0.957        -28.41
                                                                           0.0042                        0.954
500          0.941        -33.04        2.79

600          0.925        -39.44        2.73

700          0.907        -45.89        2.67

800          0.889        -51.93        2.60

900          0.827        -57.82        2.54

1 000        0.853        -63.24        2.46

2001 Apr 25                                               16
Philips Semiconductors                                                                                                  Product specification

  Dual N-channel dual gate MOS-FET                                                                                           BF1203

PACKAGE OUTLINE                                                                                                                         SOT363
Plastic surface mounted package; 6 leads

                                    D                      B                             E         A                    X

                       y                                                                 HE                             vM A

                  6                    5        4

                          pin 1                                          A                               Q
                          index                                                A1
                                                                                                                     c
                  1                    2        3                                                      Lp
                                                                                            detail X
                          e1           bp               wM B

                                    e

                                                   0                1              2 mm

                                                                  scale

DIMENSIONS (mm are the original dimensions)

UNIT  A       A1     bp          c     D     E        e       e1         HE Lp     Q     v    w    y
             max

mm    1.1    0.1     0.30 0.25         2.2   1.35     1.3     0.65       2.2 0.45 0.25   0.2  0.2  0.1
      0.8            0.20 0.10         1.8   1.15                        2.0 0.15 0.15

OUTLINE                                            REFERENCES                                  EUROPEAN                 ISSUE DATE
                                                                                              PROJECTION                   97-02-28
VERSION                   IEC                JEDEC                EIAJ

    SOT363                                                    SC-88

2001 Apr 25                                                         17
Philips Semiconductors                                             Product specification

  Dual N-channel dual gate MOS-FET                                      BF1203

DATA SHEET STATUS

DATA SHEET STATUS(1)  PRODUCT                                               DEFINITIONS
                      STATUS(2)
                                     This data sheet contains data from the objective specification for product
Objective data        Development    development. Philips Semiconductors reserves the right to change the
                                     specification in any manner without notice.
Preliminary data      Qualification
                                     This data sheet contains data from the preliminary specification.
Product data          Production     Supplementary data will be published at a later date. Philips
                                     Semiconductors reserves the right to change the specification without
                                     notice, in order to improve the design and supply the best possible
                                     product.

                                     This data sheet contains data from the product specification. Philips
                                     Semiconductors reserves the right to make changes at any time in order
                                     to improve the design, manufacturing and supply. Changes will be
                                     communicated according to the Customer Product/Process Change
                                     Notification (CPCN) procedure SNW-SQ-650A.

Notes
1. Please consult the most recently issued data sheet before initiating or completing a design.
2. The product status of the device(s) described in this data sheet may have changed since this data sheet was

     published. The latest information is available on the Internet at URL http://www.semiconductors.philips.com.

DEFINITIONS                                                        DISCLAIMERS

Short-form specification  The data in a short-form                 Life support applications  These products are not
specification is extracted from a full data sheet with the         designed for use in life support appliances, devices, or
same type number and title. For detailed information see           systems where malfunction of these products can
the relevant data sheet or data handbook.                          reasonably be expected to result in personal injury. Philips
                                                                   Semiconductors customers using or selling these products
Limiting values definition  Limiting values given are in           for use in such applications do so at their own risk and
accordance with the Absolute Maximum Rating System                 agree to fully indemnify Philips Semiconductors for any
(IEC 60134). Stress above one or more of the limiting              damages resulting from such application.
values may cause permanent damage to the device.
These are stress ratings only and operation of the device          Right to make changes  Philips Semiconductors
at these or at any other conditions above those given in the       reserves the right to make changes, without notice, in the
Characteristics sections of the specification is not implied.      products, including circuits, standard cells, and/or
Exposure to limiting values for extended periods may               software, described or contained herein in order to
affect device reliability.                                         improve design and/or performance. Philips
                                                                   Semiconductors assumes no responsibility or liability for
Application information  Applications that are                     the use of any of these products, conveys no licence or title
described herein for any of these products are for                 under any patent, copyright, or mask work right to these
illustrative purposes only. Philips Semiconductors make            products, and makes no representations or warranties that
no representation or warranty that such applications will be       these products are free from patent, copyright, or mask
suitable for the specified use without further testing or          work right infringement, unless otherwise specified.
modification.

2001 Apr 25                                                    18
Philips Semiconductors                                                           Product specification

  Dual N-channel dual gate MOS-FET                                                    BF1203

                                                                          NOTES

2001 Apr 25  19
Philips Semiconductors a worldwide company

Argentina: see South America                                               Netherlands: Postbus 90050, 5600 PB EINDHOVEN, Bldg. VB,
                                                                           Tel. +31 40 27 82785, Fax. +31 40 27 88399
Australia: 3 Figtree Drive, HOMEBUSH, NSW 2140,
Tel. +61 2 9704 8141, Fax. +61 2 9704 8139                                 New Zealand: 2 Wagener Place, C.P.O. Box 1041, AUCKLAND,
                                                                           Tel. +64 9 849 4160, Fax. +64 9 849 7811
Austria: Computerstr. 6, A-1101 WIEN, P.O. Box 213,
Tel. +43 1 60 101 1248, Fax. +43 1 60 101 1210                             Norway: Box 1, Manglerud 0612, OSLO,
                                                                           Tel. +47 22 74 8000, Fax. +47 22 74 8341
Belarus: Hotel Minsk Business Center, Bld. 3, r. 1211, Volodarski Str. 6,
220050 MINSK, Tel. +375 172 20 0733, Fax. +375 172 20 0773                 Pakistan: see Singapore

Belgium: see The Netherlands                                               Philippines: Philips Semiconductors Philippines Inc.,
                                                                           106 Valero St. Salcedo Village, P.O. Box 2108 MCC, MAKATI,
Brazil: see South America                                                  Metro MANILA, Tel. +63 2 816 6380, Fax. +63 2 817 3474

Bulgaria: Philips Bulgaria Ltd., Energoproject, 15th floor,                Poland: Al.Jerozolimskie 195 B, 02-222 WARSAW,
51 James Bourchier Blvd., 1407 SOFIA,                                      Tel. +48 22 5710 000, Fax. +48 22 5710 001
Tel. +359 2 68 9211, Fax. +359 2 68 9102
                                                                           Portugal: see Spain
Canada: PHILIPS SEMICONDUCTORS/COMPONENTS,
Tel. +1 800 234 7381, Fax. +1 800 943 0087                                 Romania: see Italy

China/Hong Kong: 501 Hong Kong Industrial Technology Centre,               Russia: Philips Russia, Ul. Usatcheva 35A, 119048 MOSCOW,
72 Tat Chee Avenue, Kowloon Tong, HONG KONG,                               Tel. +7 095 755 6918, Fax. +7 095 755 6919
Tel. +852 2319 7888, Fax. +852 2319 7700
                                                                           Singapore: Lorong 1, Toa Payoh, SINGAPORE 319762,
Colombia: see South America                                                Tel. +65 350 2538, Fax. +65 251 6500

Czech Republic: see Austria                                                Slovakia: see Austria

Denmark: Sydhavnsgade 23, 1780 COPENHAGEN V,                               Slovenia: see Italy
Tel. +45 33 29 3333, Fax. +45 33 29 3905
                                                                           South Africa: S.A. PHILIPS Pty Ltd., 195-215 Main Road Martindale,
Finland: Sinikalliontie 3, FIN-02630 ESPOO,                                2092 JOHANNESBURG, P.O. Box 58088 Newville 2114,
Tel. +358 9 615 800, Fax. +358 9 6158 0920                                 Tel. +27 11 471 5401, Fax. +27 11 471 5398

France: 7 - 9 Rue du Mont Valrien, BP317, 92156 SURESNES Cedex,           South America: Al. Vicente Pinzon, 173, 6th floor,
Tel. +33 1 4728 6600, Fax. +33 1 4728 6638                                 04547-130 SO PAULO, SP, Brazil,
                                                                           Tel. +55 11 821 2333, Fax. +55 11 821 2382
Germany: Hammerbrookstrae 69, D-20097 HAMBURG,
Tel. +49 40 2353 60, Fax. +49 40 2353 6300                                 Spain: Balmes 22, 08007 BARCELONA,
                                                                           Tel. +34 93 301 6312, Fax. +34 93 301 4107
Hungary: Philips Hungary Ltd., H-1119 Budapest, Fehervari ut 84/A,
Tel: +36 1 382 1700, Fax: +36 1 382 1800                                   Sweden: Kottbygatan 7, Akalla, S-16485 STOCKHOLM,
                                                                           Tel. +46 8 5985 2000, Fax. +46 8 5985 2745
India: Philips INDIA Ltd, Band Box Building, 2nd floor,
254-D, Dr. Annie Besant Road, Worli, MUMBAI 400 025,                       Switzerland: Allmendstrasse 140, CH-8027 ZRICH,
Tel. +91 22 493 8541, Fax. +91 22 493 0966                                 Tel. +41 1 488 2741 Fax. +41 1 488 3263

Indonesia: PT Philips Development Corporation, Semiconductors Division,    Taiwan: Philips Semiconductors, 5F, No. 96, Chien Kuo N. Rd., Sec. 1,
Gedung Philips, Jl. Buncit Raya Kav.99-100, JAKARTA 12510,                 TAIPEI, Taiwan Tel. +886 2 2134 2451, Fax. +886 2 2134 2874
Tel. +62 21 794 0040 ext. 2501, Fax. +62 21 794 0080
                                                                           Thailand: PHILIPS ELECTRONICS (THAILAND) Ltd.,
Ireland: Newstead, Clonskeagh, DUBLIN 14,                                  60/14 MOO 11, Bangna Trad Road KM. 3, Bagna, BANGKOK 10260,
Tel. +353 1 7640 000, Fax. +353 1 7640 200                                 Tel. +66 2 361 7910, Fax. +66 2 398 3447

Israel: RAPAC Electronics, 7 Kehilat Saloniki St, PO Box 18053,            Turkey: Yukari Dudullu, Org. San. Blg., 2.Cad. Nr. 28 81260 Umraniye,
TEL AVIV 61180, Tel. +972 3 645 0444, Fax. +972 3 649 1007                 ISTANBUL, Tel. +90 216 522 1500, Fax. +90 216 522 1813

Italy: PHILIPS SEMICONDUCTORS, Via Casati, 23 - 20052 MONZA (MI),          Ukraine: PHILIPS UKRAINE, 4 Patrice Lumumba str., Building B, Floor 7,
Tel. +39 039 203 6838, Fax +39 039 203 6800                                252042 KIEV, Tel. +380 44 264 2776, Fax. +380 44 268 0461

Japan: Philips Bldg 13-37, Kohnan 2-chome, Minato-ku,                      United Kingdom: Philips Semiconductors Ltd., 276 Bath Road, Hayes,
TOKYO 108-8507, Tel. +81 3 3740 5130, Fax. +81 3 3740 5057                 MIDDLESEX UB3 5BX, Tel. +44 208 730 5000, Fax. +44 208 754 8421

Korea: Philips House, 260-199 Itaewon-dong, Yongsan-ku, SEOUL,             United States: 811 East Arques Avenue, SUNNYVALE, CA 94088-3409,
Tel. +82 2 709 1412, Fax. +82 2 709 1415                                   Tel. +1 800 234 7381, Fax. +1 800 943 0087

Malaysia: No. 76 Jalan Universiti, 46200 PETALING JAYA, SELANGOR,          Uruguay: see South America
Tel. +60 3 750 5214, Fax. +60 3 757 4880
                                                                           Vietnam: see Singapore
Mexico: 5900 Gateway East, Suite 200, EL PASO, TEXAS 79905,
Tel. +9-5 800 234 7381, Fax +9-5 800 943 0087                              Yugoslavia: PHILIPS, Trg N. Pasica 5/v, 11000 BEOGRAD,
                                                                           Tel. +381 11 3341 299, Fax.+381 11 3342 553
Middle East: see Italy

For all other countries apply to: Philips Semiconductors,                                                Internet: http://www.semiconductors.philips.com
Marketing Communications, Building BE-p, P.O. Box 218, 5600 MD EINDHOVEN,
The Netherlands, Fax. +31 40 27 24825

Philips Electronics N.V. 2001                                                                          SCA 72

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Printed in The Netherlands       613512/03/pp20                            Date of release: 2001 Apr 25  Document order number: 9397 750 08296
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