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BDY54

器件型号:BDY54
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厂商名称:ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
厂商官网:http://www.iscsemi.cn/
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BDY54器件文档内容

INCHANGE Semiconductor                                                                 isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor                                                                         BDY53

DESCRIPTION
Collector-Emitter Sustaining Voltage-

   : VCEO(SUS)=60V(Min.)
Collector-Emitter Saturation Voltage-

   : VCE(sat)= 1.1 V(Max)@ IC = 4A
High Switching Speed

APPLICATIONS
Designed for general-purpose switching and amplifier

   applications

www.iscsemi.cn ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOLPARAMETERVALUE               UNIT

VCBO    Collector-Base Voltage             100                                   V

VCEO    Collector-Emitter Voltage          60                                    V

VEBO    Emitter-Base Voltage                                                  7  V

IC      Collector Current-Continuous       12                                    A

IBB     Base Current                                                          5  A

PC      Collector Power Dissipation@TC=25  60                                    W

TJ      Junction Temperature               200                                   

Tstg    Storage Temperature                -65~200

isc Websitewww.iscsemi.cn

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INCHANGE Semiconductor                                                                    isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistors                                                                          BDY53

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25 unless otherwise specified

SYMBOL           PARAMETER                                                    CONDITIONS  MIN TYP. MAX UNIT

VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 100mA; IB= 0                           60                   V

VCE(sat)-1 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB=B 0.4A                                         1.1  V

VCE(sat)-2 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 7A; IB=B 1.4A                                         2.2  V

VBE(sat)-1 Base-Emitter Saturation Voltage  IC= 4A; IB=B 0.4A                                             2.0  V

VBE(sat)-2 Base-Emitter Saturation Voltage  IC= 7A; IB=B 1.4A                                             2.5  V

ICEX    Collector Cutoff Current            VCE= 100V;VBE=-1.5V,TC=150                                    15   mA

www.iscsemi.cn IEBOEmitter Cutoff Current   VEB= 7V; IC= 0                                                3.0 mA
                                            IC= 2A; VCE= 1.5V
hFE     DC Current Gain                     IC= 0.5A; VCE= 4V; f=10MHz                    20
                                                                                          20
fT      Current Gain-Bandwidth Product      IC= 5A; IB=B 1A                                                    MHz
                                                                                                     0.3
Switching Times

ton     Turn-On Time                                                                                           s
                                                                                                               s
toff    Turn-Off Time                       IC= 5A; IB1= 1A; IB2= -0.5A                       1.8

isc Websitewww.iscsemi.cn

                                                                           2
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