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BDY28

器件型号:BDY28
厂商名称:ETC
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NPN SILICON TRANSISTORS DIFFUSED MESA

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BDY28器件文档内容

BDY26, 183 T2
BDY27, 184 T2
BDY28, 185 T2

           NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA

                                                  LF Large Signal Power Amplification
                                                       High Current Fast Switching

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

   Symbol                               Ratings  BDY26, 183T2     Value                Unit
VCEO                                             BDY27, 184T2       180                  V
           Collector-Emitter Voltage             BDY28, 185T2       200                  V
VCBO                                             BDY26, 183T2       250                  V
VEBO       Collector-Base Voltage  @ TC = 25    BDY27, 184T2       300                  A
IC         Emitter-Base Voltage                  BDY28, 185T2       400                  A
IB         Collector Current                     BDY26, 183T2       500
PTOT       Base Current                          BDY27, 184T2       10                 Watts
TJ         Power Dissipation                     BDY28, 185T2
TStg       Junction Temperature                  BDY26, 183T2         6                  C
           Storage Temperature                   BDY27, 184T2
                                                 BDY28, 185T2         3
                                                 BDY26, 183T2
                                                 BDY27, 184T2      87.5
                                                 BDY28, 185T2
                                                 BDY26, 183T2       200
                                                 BDY27, 184T2  -65 to +200
                                                 BDY28, 185T2

                                                 BDY26, 183T2
                                                 BDY27, 184T2
                                                 BDY28, 185T2

           COMSET SEMICONDUCTORS                                                       1/4
BDY26, 183 T2
BDY27, 184 T2
BDY28, 185 T2

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol                              Ratings                        Value     Unit
                                                                      2      C/W
RthJ-C    Thermal Resistance, Junction to Case      BDY26, 183T2
                                                    BDY27, 184T2
                                                    BDY28, 185T2

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25C unless otherwise noted

Symbol             Ratings                      Test Condition(s)  Min Typ Mx Unit

                                                    BDY26, 183T2   180 -  -

          Collector-Emitter                         BDY27, 184T2   200 -  -
          Breakdown Voltage (*)
VCEO(BR)                            IC=50 mA, IB=0  BDY28A, 185T2A 250 -  -    V
V(BR)CBO
ICEO                                                BDY28B, 185T2B 250 -  -
IEBO
                                                    BDY28C, 185T2C 220 -  -

                                                    BDY26, 183T2 300 -    -

          Collector-Base Breakdown  IC=3 mA         BDY27, 184T2 400 -    -    V
          Voltage (*)

                                                    BDY28, 185T2 500 -    -

          Collector-Emitter Cutoff  VCE=180 V       BDY26          --     1.0 mA
          Current                   VCE=200 V       BDY27          --
                                    VCE=250 V
                                                    BDY28          --

          Emitter-Base Cutoff Current VEB=10 V      BDY26, 183T2   --     1.0 mA
                                                    BDY27, 184T2
                                                    BDY28, 185T2

                                    VCE=250 V       BDY26, 183T2   --
                                    VBE=0 V

          Collector-Emitter Cutoff  VCE=300 V
                                    VBE=0 V
ICES      Current                                   BDY27, 184T2   - - 1.0 mA

                                    VCE=400 V       BDY28, 185T2   --
                                    VBE=0 V

                            COMSET SEMICONDUCTORS                         2/4
BDY26, 183 T2
BDY27, 184 T2
BDY28, 185 T2

Symbol    Ratings                                      Test Condition(s)      Min Typ Mx Unit

          Collector-Emitter saturation                          BDY26, 183T2 -         -
                                                                                       - 0.6 V
VCE(SAT)  Voltage (*)                      IC=2.0 A, IB=0.25 A BDY27, 184T2 -
VBE(SAT)
h21E                                                            BDY28, 185T2 - -
fT
                                                                BDY26, 183T2 - -

          Base-Emitter Voltage (*)         IC=2.0 A, IB=0.25 A BDY27, 184T2 -          - 1.2 V
                                                                       BDY28, 185T2 -  -

                                                                          A   - 55 -

                                           VCE=4 V, IC=1 A                B   - 65 -
                                           VCE=4 V, IC=2 A
          Static Forward Current                                          C    - 90 -          -
          transfer ratio (*)                                              A   15 20 45

                                                                          B   30 45 90

                                                                          C   75 82 100

                                           VCE=15 V, IC=0.5 A,  BDY26, 183T2
                                           f=10 MHz
          Transition Frequency                                  BDY27, 184T2  10       -  - MHz
                                                                BDY28, 185T2

td + tr   Turn-on time                     IC=5 A,              BDY26, 183T2
                                           IB=1 A
                                                                BDY27, 184T2 - 0.3 0.5 s
                                                                BDY28, 185T2

ts + tf   Turn-off time                    IC=5 A,              BDY26, 183T2
                                           IB1=1 A,
                                           IB2=-0.5 A           BDY27, 184T2 - 1.5 2.0 s
                                                                BDY28, 185T2

(*) Pulse Width  300 s, Duty Cycle  2.0%

                         COMSET SEMICONDUCTORS                                            3/4
BDY26, 183 T2
BDY27, 184 T2
BDY28, 185 T2

MECHANICAL DATA CASE TO-3

DIMENSIONS

         mm     inches
                       1
A        25,45
                  1,52
B        38,8     1,18
                  0,67
C        30,09    0,39
                  0,45
D        17,11    0,34
                  0,06
E        9,78     0,79
                  0,04
G        11,09    0,16

H        8,33

L        1,62

M        19,43

N        1

P        4,08

Pin 1 :              Base
Pin 2 :         Collector
Case :
                  Emitter

                           COMSET SEMICONDUCTORS  4/4
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