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BDX66

器件型号:BDX66
厂商名称:COMSET
厂商官网:http://comset.halfin.com/
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器件描述

PNP SILICON DARLINGTONS

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BDX66器件文档内容

BDX 66, A, B, C

                 PNP SILICON DARLINGTONS

           High current power darlingtons designed for power amplification and
                                         switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

   Symbol                               Ratings  BDX66   Value                  Unit
                                                 BDX66A
-VCEO      Collector-Emitter Voltage             BDX66B    60                     V
-VCBO                                                      80                     V
-VEBO      Collector-Base Voltage                BDX66C   100                     V
                                                          120
-IC        Emitter-Base Voltage                  BDX66     60
           Collector Current                     BDX66A    80
-IB        Base Current                          BDX66B   100
PT                                                        120
TJ                                               BDX66C
TS                                                         5.0
                                                 BDX66
                                   -IC(RMS)      BDX66A  16
                                   -ICM          BDX66B                   A
                                                 BDX66C
                                                 BDX66   20
                                                 BDX66A
                                                 BDX66B  0.25                        A
                                                 BDX66C
           Power Dissipation       @ TC = 25    BDX66   150                    Watts
                                                 BDX66A                         W/C
           Junction Temperature                  BDX66B
           Storage Temperature                   BDX66C  -55 to +200 C

                                                 BDX66
                                                 BDX66A
                                                 BDX66B
                                                 BDX66C

                                                 BDX66
                                                 BDX66A
                                                 BDX66B
                                                 BDX66C

                                                 BDX66
                                                 BDX66A
                                                 BDX66B
                                                 BDX66C

                 COMSET SEMICONDUCTORS                                          1/4
BDX 66, A, B, C

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol                                Ratings                       Value  Unit

RthJ-C      Thermal Resistance, Junction to Case  BDX66              1.17  C/W
                                                  BDX66A
                                                  BDX66B
                                                  BDX66C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25C unless otherwise noted

Symbol      Ratings                              Test Condition(s)  Min Typ Mx Unit

                                                          BDX66 60 - -

-VCEO(SUS)  Collector-Emitter         -IC=0.1 A, L=25mH   BDX66A 80 - -
            Breakdown Voltage (*)                                                                     V

                                                          BDX66B 100 - -

                                                          BDX66C 120 - -

                                      -VCE=30 V           BDX66     --

-ICEO       Collector Cutoff Current  -VCE=40 V           BDX66A - -
                                      -VCE=50 V                                             3 mA

                                                          BDX66B - -

                                      -VCE=60 V           BDX66C - -

                     COMSET SEMICONDUCTORS                                 2/4
BDX 66, A, B, C

Symbol     Ratings                                 Test Condition(s)       Min  Typ  M    Unit
                                                                                     x

                                                                   BDX66

-IEBO      Emitter Cutoff Current        -VBE=5 V                  BDX66A  -    - 5.0 mA
                                                                   BDX66B

                                                                   BDX66C

                                         TCASE=25C, -VCB=60 V             -    -1
                                                                                -5
                                                                   BDX66

                                         TCASE=200C, -VCB=40 V            -

                                         TCASE=25C, -VCB=50 V             -    -1

                                                                   BDX66A       -5
                                                                                               mA
                                         TCASE=200C,-VCB=80 V             -
                                                                                -1
-ICBO      Collector-Base Cutoff
           Current                                                              -5

                                         TCASE=25C, -VCB=100 V            -

                                                                   BDX66B

                                         TCASE=200C, -VCB=60 V            -

                                         TCASE=25C, -VCB=120 V            -    -1

                                                                   BDX66C

                                         TCASE=200C, -VCB=70 V            -    -    5

hFE        DC Current Gain               -VCE=3 V,- IC=1 A                 - 2000 -
hFE        DC Current Gain               -VCE=3 V,- IC=10 A
hFE        DC Current Gain               -VCE=3 V,- IC=16 A                1000 - - -

-VCE(SAT)                                                                  - 1000 -

-VBE       Collector-Emitter saturation                            BDX66
VF
           Voltage (*)                   -IC=10 A, -IB=40 mA       BDX66A  -    - 2V
C22b                                                               BDX66B

ton                                                                BDX66C

           Base-Emitter Voltage(1&2) -VCE=3 V, -IC=10 A                    -    - 2,5 V

           Diode forward voltage         IF=10 A                           -    2-V

                                                                   BDX66

                                         IE=0 A, -VCB=-10V, f=1    BDX66A  -    300 - pF
                                         MHz                       BDX66B

                                                                   BDX66C

           Switching characteristics     VCC=12V, -IC=10 A, -IB1=  BDX66   -    1 - s
                                         IB2=40 mA                 BDX66A

                                  COMSET SEMICONDUCTORS                              3/4
toff                                                                             BDX66B       3.5 -
                                                                                  BDX66C -
BDX 66, A, B, C

   Symbol               Ratings  Test Condition(s)                                        Min Typ Mx Unit

                                                                                  BDX66

fhfe                             -VCE=3 V,-IC=5 A                                 BDX66A    -  60  -    kHz
                                                                                  BDX66B

                                                                                  BDX66C

(*) Pulse Width  300 s, Duty Cycle  2.0%
(1) collector-Emitter voltage limited et VCEci = V rated by an auxiliary circuit

MECHANICAL DATA CASE TO-3

   DIMENSIONS

         mm     inches

A        25,51 1,004

B        38,93  1,53

C        30,12  1,18

D        17,25  0,68

E        10,89  0,43

G        11,62  0,46

H        8,54   0,34

L        1,55   0,6

M        19,47  0,77

N            1  0,04

P        4,06   0,16

Pin 1 :              Base
Pin 2 :           Emitter
Case :          Collector

                                 COMSET SEMICONDUCTORS                                             4/4
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