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BDT65

器件型号:BDT65
厂商名称:COMSET
厂商官网:http://comset.halfin.com/
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器件描述

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

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BDT65器件文档内容

                 SEMICONDUCTORS

    BDT65-A-B-C

             SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

    NPN epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220
    enveloppe. They are intended for output stages in audio equipment, general amplifiers, and
    analogue switching application.
    PNP complements are BDT64-A-B-C
    Compliance to RoHS.

    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol                             Ratings           Value  Unit

VCBO    Collector-Base Voltage              BDT65      60     V
                                            BDT65A     80     V
VCEO    Collector-Emitter Voltage           BDT65B    100     V
                                            BDT65C    120     A
VEBO    Emitter-Base Voltage                BDT65      60     A
                                            BDT65A     80
IC      Collector Current                   BDT65B    100
                                            BDT65C    120
ICM     Collector Peak Current              BDT65
                                            BDT65A      5
                                            BDT65B
                                            BDT65C     12
                                            BDT65
                                            BDT65A     20
                                            BDT65B
                                            BDT65C
                                            BDT65
                                            BDT65A
                                            BDT65B
                                            BDT65C

    26/09/2012                COMSET SEMICONDUCTORS         1|5
                 SEMICONDUCTORS

    BDT65-A-B-C

    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol                        Ratings                                         Value        Unit

                                              BDT65                                         mA
                                                                                           Watts
IB      Base Current                          BDT65A                          500
                                              BDT65B                                         C

                                              BDT65C

                                              BDT65

PT      Power Dissipation     @ Tmb < 25     BDT65A                          125
                                              BDT65B

                                              BDT65C

                                              BDT65

TJ      Junction Temperature                  BDT65A

                                              BDT65B                          150

                                              BDT65C

                                              BDT65

Ts      Storage Temperature range             BDT65A                          -65 to +150
                                              BDT65B

                                              BDT65C

    Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

    THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol                        Ratings                                         Value        Unit

Rthj-c  Thermal Resistance, Junction to Case                                     1         C/W

    26/09/2012                COMSET SEMICONDUCTORS                                        2|5
             SEMICONDUCTORS

BDT65-A-B-C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25C unless otherwise noted

Symbol      Ratings                 Test Condition(s)          Min Typ Max Unit

                                    IE= 0              BDT65   -  - 0.4 mA
                                    VCB = VCBOmax      BDT65A
ICBO      Collector Cutoff Current                     BDT65B
                                    IE= 0              BDT65C
                                    VCB = 1/2 VCBOmax  BDT65   -  -   2 mA
                                    TJ= 150 C         BDT65A
ICEO      Collector Cutoff Current                     BDT65B  -  - 0.2 mA
                                    IE= 0              BDT65C
IEBO      Emitter Cutoff Current    VCE = 1/2 VCEOmax  BDT65   -  -   5 mA
                                                       BDT65A
                                    VEB= 5 V           BDT65B  60 -   -
                                    IC= 0              BDT65C  80 -
VCEO      Collector-Emitter                            BDT65   100 -  -       V
          Breakdown Voltage         IC= 30 mA          BDT65A  120 -  -
                                    IB= 0              BDT65B
                                                       BDT65C         -
                                    IC= 5 A            BDT65
                                    IB= 20 mA          BDT65A  -  -   2
                                                       BDT65B                  V
VCE(SAT)  Collector-Emitter         IC= 10 A           BDT65C
          saturation Voltage (*)    IB= 100 mA         BDT65          3
                                                       BDT65A
                                                       BDT65B  -  -
                                                       BDT65C
                                                       BDT65
                                                       BDT65A
                                                       BDT65B
                                                       BDT65C

26/09/2012                        COMSET SEMICONDUCTORS                  3|5
             SEMICONDUCTORS

BDT65-A-B-C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25C unless otherwise noted

Symbol                        Ratings                               Min Typ Max Unit

VBE(on)  Base-Emitter Voltage (*) IC= 5 A, VCE= 4 V  BDT65          -  - 2.5 V
                                                     BDT65A
                              IF= 5 A                BDT65B            -    2
                              IF= 12 A               BDT65C
VECF     C-E Diode Forward                           BDT65                          V
         Voltage                                     BDT65A
                                                     BDT65B
                                                     BDT65C         -  2    -
                                                     BDT65
                              VCE= 4 V, IC= 1 A      BDT65A         - 1500 -
                                                     BDT65B
hFE      DC Current Gain (*)  VCE= 4 V, IC= 5 A      BDT65C         1000 -  -       -
                                                     BDT65
                              VCE= 4 V, IC= 12 A     BDT65A         - 1000 -
                                                     BDT65B
COB      Output Capacitance   IE= 0, VCB = 10 V      BDT65C         - 200 - pF
                              ftest= 1MHz            BDT65
                                                     BDT65A
                                                     BDT65B
                                                     BDT65C
                                                     BDT65
                                                     BDT65A
                                                     BDT65B
                                                     BDT65C
                                                     BDT65
                                                     BDT65A
                                                     BDT65B
                                                     BDT65C

SWITCHING TIMES

Symbol      Ratings                              Test Condition(s)  Min Typ Max Unit

ton      turn-on time         IC= 5 A , VCC= 30 V                   -  1    2.5     s
                              IB1 = -IB2 = 20 mA                    -  6    10
toff     turn-off time

      (*) Pulse Width  300 s, Duty Cycle  2.0%

26/09/2012                    COMSET SEMICONDUCTORS                            4|5
                  SEMICONDUCTORS

BDT65-A-B-C

MECHANICAL DATA CASE TO-220

   DIMENSIONS (mm)

         Min.     Max.

A           9,90 10,30

B        15,65 15,90

C        13,20 13,40

D           6,45  6,65

E           4,30  4,50

F           2,70  3,15

G           2,60  3,00

H        15,75 17.15

L           1,15  1,40

M           3,50  3,70

N        -        1,37

P           0,46  0,55

R           2,50  2,70

S           4,98  5,08

T           2.49  2.54

U           0,70  0,90

Pin 1 :                Base
Pin 2 :           Collector
Pin 3 :
Package             Emitter
                  Collector

       Revised August 2012

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and all liability, including without limitation consequential or incidental damages. Comset Semiconductors' products are not authorized for use as
critical components in life support devices or systems.

www.comsetsemi.com                                  info@comsetsemi.com

26/09/2012                   COMSET SEMICONDUCTORS                       5|5
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