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BDT31A

器件型号:BDT31A
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厂商名称:ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
厂商官网:http://www.iscsemi.cn/
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BDT31A器件文档内容

INCHANGE Semiconductor                                          isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistors                                        BDT31/A/B/C

DESCRIPTION
DC Current Gain -hFE = 25(Min)@ IC= 1.0A
Collector-Emitter Sustaining Voltage-

   : VCEO(SUS) = 40V(Min)- BDT31; 60V(Min)- BDT31A
                   80V(Min)- BDT31B; 100V(Min)- BDT31C

Complement to Type BDT32/A/B/C

APPLICATIONS
Designed for use in audio output stages and general amplifier

   and switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

SYMBOL   PARAMETER                               VALUE UNIT

                                      BDT31      80

                                      BDT 31A    100

VCBO Collector-Base Voltage                             V

                                      BDT 31B    120

                                      BDT 31C    140

                                      BDT31      40

                                      BDT 31A    60

VCEO Collector-Emitter Voltage                          V

                                      BDT 31B    80

                                      BDT 31C    100

VEBO Emitter-Base Voltage                        5      V

IC       Collector Current-Continuous            3      A

ICM      Collector Current-Peak                  5      A

IBB      Base Current                            1      A

PC       Collector Power Dissipation             40     W
         TC=25

Tj       Junction Temperature                    150   

Tstg     Storage Ttemperature Range              -65~150

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL                 PARAMETER                 MAX    UNIT
                                                 3.12   /W
Rth j-c  Thermal Resistance,Junction to Case      70    /W
Rth j-a  Thermal Resistance,Junction to Ambient

isc Websitewww.iscsemi.cn
INCHANGE Semiconductor                                                    isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistors                                                  BDT31/A/B/C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25 unless otherwise specified

SYMBOL           PARAMETER                     CONDITIONS                 MIN TYP. MAX UNIT

                                     BDT31                                40

VCEO(SUS)  Collector-Emitter         BDT 31A   IC= 30mA; IB= 0            60
           Sustaining Voltage        BDT 31B                                                               V

                                                                          80

                                     BDT 31C                              100

VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage  IC= 3A; IB=B 0.375A                  1.2  V
                                               IC= 3A ; VCE= 4V
VBE(on) Base-Emitter On Voltage                VCE= VCEOmax; VBE= 0                 1.8  V

ICES       Collector Cutoff Current                                                 0.2 mA

                                     BDT31/A   VCE= 30V; IB=B 0

ICEO       Collector Cutoff Current                                                 0.1 mA

                                     BDT31B/C VCE= 60V; IB=B 0

IEBO       Emitter Cutoff Current              VEB= 5V; IC= 0                       0.2 mA

hFE-1      DC Current Gain                     IC= 1A ; VCE= 4V           25

hFE-2      DC Current Gain                     IC= 3A ; VCE= 4V           10        50

fT         Current-Gain--Bandwidth Product     IC= 0.5A ; VCE= 10V        3              MHz

Switching Times

ton        Turn-On Time                                                        0.3       s

                                               IC= 1.0A; IB1= -IB2= 0.1A

toff       Turn-Off Time                                                       1.0       s

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