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BD9275F

器件型号:BD9275F
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厂商名称:ROHM [Rohm]
厂商官网:http://www.rohm.com/
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BD9275F器件文档内容

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STRUCTURE        Silicon Monolithic Integrated Circuit

NAME OF PRODUCT  DC-AC Inverter Control IC

TYPE              
FUNCTION
                 Using 20V process / 1ch control with Push-Pull
                 Accuracy of drive output frequency3.5%IC Only/Built-in CT Capacitor
                 High accuracy timer latch current(15%)
                 Built-in FAIL function
                 Adjustable latch timing
                 Adjustable slow start time
                 Lamp current and voltage sense feedback control
                 Mode-selectable the operating or stand-by mode by STB pin (Typ.=0uA )

Absolute Maximum RatingsTa = 25

                 Parameter              Symbol          Limits    Unit

          Supply Voltage                VCC             20        V

          OUTPUT PIN Voltage            N1, N2          20        V

          Operating Temperature Range   Topr            -40+85   

          Storage Temperature Range     Tstg         -55+150      

          Maximum Junction Temperature  Tjmax           +150      

          Power Dissipation             Pd           SOP18:562*   mW

*1Pd derate at -4.5mW/ for temperature above Ta = 25 (When mounted on a PCB 70.0mm70.0mm1.6mm)



                                                                  

          Supply voltage                VCC          8.0  18.0       V

          Input Frequency Ratio PWM_IN PIN F_PWM_IN     0.0600.5  kHz

          DRIVER frequency              F_OUT           20  90    kHz

                                        REV. B
                                                                                                      2/4

Electric CharacteristicsTa=25VCC=12VSTB=3.0V

                Item             SYMBOL    MIN.          LIMIT   MAX.   UNIT               CONDITION
(WHOLE DEVICE)                                           TYP.
                                                                  4.0
Operating current                Icc1                     2.0      20   mA RT=100k, FB=GND, IS=1.5V
                                                            0           A VSTB=0V
Stand-by current                 Icc2                             VCC
                                                            -     0.8
((STAND BY CONTROL                                          -     750
                                                          375
Stand-by voltage H               VSTBH     2                      7.8   V     System
                                                          7.5     0.7
Stand-by voltage L               VSTBL     -0.3           0.5           V     System
                                                                 1.700
STB PIN pull down resistor       RSTB      180           1.500    150   k VSTB=2V
                                                           75
VCC UVLO BLOCK                                                      5
                                                            -     0.8
Operating voltage                VCC_UVLO  7.2              -    4000   V     VCC=6V8V sweep
Hesteresis width                                         2000
                                 UVLO_HYS  0.3                   1.275  V     VCC=8V6V sweep
OSC BLOCK                                                1.250   1.300
                                                         1.250
RT pin Voltage                      VRT    1.300                   24   V     RT=100k
                                    RSRT                   20    0.685
SRT ON resistance                                        0.625           VSRT=0.1V
                                 VPWMIN_H   2.4                  2.600
((PWM Dimming Block))            VPWMIN_L  -0.3          2.500    2.3   V     VPWM_IN=0V3.0V
                                 R_PWMIN   1000           2.0
PWM_IN PIN voltage H                                             2.100  V     VPWM_IN=3.0V0V
PWM_IN PIN voltage L                                     2.000   0.300
PWM_IN PIN pull down resistor                            0.200   4000   k VPWM_I=5V
                                                         2000
FEED BACK BLOCK                                                   150
                                                           75
IS threshold voltage             VIS       1.225                  6.0   V
                                           1.200          3.0      18
VS threshold voltage             VVS                        9    49.5   V
                                             16                  51.75
IS source current                IIS       0.565         47.0           A IS=1.0V
                                                           50    3.100
IS COMP detect voltage           VISCOMP   2.400                  2.3   V     IS=1.3V0.5V
                                            1.7          3.000
SLOW START BLOCK                                          2.0
                                           1.900
SS term END Voltage              VSS       0.100                        V     VSS=0V3V
                                           1000
Soft start current               ISS                                    A VSS=1.0V IS=1.5V
                                             
COMP BLOCK
                                            1.5
COMP over voltage                VCOMPH     4.5                         V     VSS2.5V VCOMP=1.5V2.5V
                 detect voltage              45
                                           48.25
Hysterisis width (COMP)          VCOMPH                                 V     VSS2.0V VCOMP=2.5V1.5V

COMP PIN pull down resistor      RCOMP                                  k COMP=5V

FAIL ON resistance               RFAIL                                   VFAIL=0.1V

OUTPUT BLOCK

N1,N2 PIN output                  RsinkN                                 IIN=100mA
    sink resistance              RsourceN
                                                                         IIN=-100mA
N1,N2 PIN output
    source resistance

MAX DUTY                         MAX DUTY                               %     FOUT=50kHz

Drive output frequency           FOUT                                   kHz RT=100k

TIMER BLOCK

Timer Latch setting voltage      VCP       2.900                        V     VCP=0V3.2V

Timer Latch setting current      ICP       1.7                          A CP=1.0V IS=1.5V COMP=3.0V

This product is not designed to be radiation-resistant.

                                                         REV. B
                                                                                                        3/4

Package Dimensions                                                               Device Name

                                 MMAAXX1111..5555 ((iinncclluuddee.. BBUURRRR))

                                 BD9275F

                                                                                 Lot No.

                                                         SOP-16 (Unit:mm)

PIN No.PIN NAMEFUNCTION

No. PIN                Function                            BD9275F                            Function

1 VCC Supply voltage input                               No. PIN

2 STB Stand-by switch                                     16 N1 NMOS FET driver
                                                          15 N2 NMOS FET driver

         External resistor from SRT to RT for adjusting

3 SRT the triangle oscillator                            14 PGND Ground for FET drivers

         External resistor from SRT to RT for adjusting

4 RT the triangle oscillator                             13 PWM_IN Dimming pulse signal input pin
                                                         12 SS External capacitor from SS to GND for Soft Start Control
5 GND GROUND                                             11 CP External capacitor from CP to GND for Timer Latch
                                                         10 FAIL Error signal output pin
6 FB Error amplifier output                              9 COMP Over voltage detect pin

7 IS Error amplifier input

8 VS Error amplifier input

                                                         REV. B
                                                                                                       4/4

NOTE FOR USE

1. This product is produced with strict quality control, but might be destroyed if used beyond its absolute maximum ratings.

Once IC is destroyed, failure mode will be difficult to determine, like short mode or open mode. Therefore, physical

protection countermeasure, like fuse is recommended in case operating conditions go beyond the expected absolute maximum

ratings.

2. The circuit functionality is guaranteed within of ambient temperature operation range as long as it is within recommended

operating range. The standard electrical characteristic values cannot be guaranteed at other voltages in the operating

ranges, however the variation will be small.

3. Mounting failures, such as misdirection or miscounts, may harm the device.

4. A strong electromagnetic field may cause the IC to malfunction.

5. The GND pin should be the location within 0.3V compared with the PGND pin. ALL voltage should be under VCC voltage

+0.3V

6. BD9275F incorporate a built-in thermal shutdown circuit (TSD circuit). The thermal shutdown circuit (TSD circuit) is

designed only to shut the IC off to prevent runaway thermal operation. It is not designed to protect the IC or guarantee

its operation of the thermal shutdown circuit is assumed.

7. When modifying the external circuit components, make sure to leave an adequate margin for external components actual

value and tolerance as well as dispersion of the IC.

8. About the external FET, the parasitic Capacitor may cause the gate voltage to change, when the drain voltage is switching.

Make sure to leave adequate margin for this IC variation.

9. Under operating CP charge (under error mode) analog dimming and burst dimming are not operate.

10. Under operating Slow Start Control (SS is less than 2.5V), It does not operate Timer Latch.

11. By STB voltage is changed to 2 states. Therefore, do not input STB pin voltage between one state and the other state

(0.82.0V).

12. The pin connected a connector need to connect to the resistor for electrical surge destruction.

13. This IC is a monolithic IC which (as shown is Fig-1) has P+ substrate and between the various pins. A P-N junction is

formed from this P layer of each pin. For example, the relation between each potential is as follows,

(When GND > PinB and GND > PinA, the P-N junction operates as a parasitic diode.)

(When PinB > GND > PinA, the P-N junction operates as a parasitic transistor.)

Parasitic diodes can occur inevitably in the structure of the IC. The operation of parasitic diodes can result in mutual

interference among circuits as well as operation faults and physical damage. Accordingly you must not use methods by

which parasitic diodes operate, such as applying a voltage that is lower than the GND (P substrate) voltage to an input

pin.                  Resistance                             Transistor (NPN)

              (PinA)                                 (PinB)         B             E
                                                                                                GND
                                                             C

                         P                                           N

                P                      P

                      N                                              N            N

                      P substrate                                    P substrate

                         GND                                            GND

                      Parasitic diode                Parasitic diode

                                                             (PinB)

                      (PinA)                                         B     C  
                                    Parasitic diode
                                                                        
                           GND
                                                                        E

                                                                        GND

                                                                                Parasitic diode
                                                             Other adjacent components

                      Fig-1 Simplified structure of a Bipolar IC

                                                     REV. B
                                                                                                            Notice

                                      Notes

No copying or reproduction of this document, in part or in whole, is permitted without the
consent of ROHM Co.,Ltd.

The content specified herein is subject to change for improvement without notice.

The content specified herein is for the purpose of introducing ROHM's products (hereinafter
"Products"). If you wish to use any such Product, please be sure to refer to the specifications,
which can be obtained from ROHM upon request.

Examples of application circuits, circuit constants and any other information contained herein
illustrate the standard usage and operations of the Products. The peripheral conditions must
be taken into account when designing circuits for mass production.

Great care was taken in ensuring the accuracy of the information specified in this document.
However, should you incur any damage arising from any inaccuracy or misprint of such
information, ROHM shall bear no responsibility for such damage.

The technical information specified herein is intended only to show the typical functions of and
examples of application circuits for the Products. ROHM does not grant you, explicitly or
implicitly, any license to use or exercise intellectual property or other rights held by ROHM and
other parties. ROHM shall bear no responsibility whatsoever for any dispute arising from the
use of such technical information.

The Products specified in this document are intended to be used with general-use electronic
equipment or devices (such as audio visual equipment, office-automation equipment, commu-
nication devices, electronic appliances and amusement devices).

The Products specified in this document are not designed to be radiation tolerant.

While ROHM always makes efforts to enhance the quality and reliability of its Products, a
Product may fail or malfunction for a variety of reasons.

Please be sure to implement in your equipment using the Products safety measures to guard
against the possibility of physical injury, fire or any other damage caused in the event of the
failure of any Product, such as derating, redundancy, fire control and fail-safe designs. ROHM
shall bear no responsibility whatsoever for your use of any Product outside of the prescribed
scope or not in accordance with the instruction manual.

The Products are not designed or manufactured to be used with any equipment, device or
system which requires an extremely high level of reliability the failure or malfunction of which
may result in a direct threat to human life or create a risk of human injury (such as a medical
instrument, transportation equipment, aerospace machinery, nuclear-reactor controller, fuel-
controller or other safety device). ROHM shall bear no responsibility in any way for use of any
of the Products for the above special purposes. If a Product is intended to be used for any
such special purpose, please contact a ROHM sales representative before purchasing.

If you intend to export or ship overseas any Product or technology specified herein that may
be controlled under the Foreign Exchange and the Foreign Trade Law, you will be required to
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