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BD236

器件型号:BD236
器件类别:晶体管
文件大小:122.59KB,共0页
厂商名称:ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
厂商官网:http://www.iscsemi.cn/
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器件描述

POWER

参数

BD236状态 ACTIVE
BD236晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER

文档预览

BD236器件文档内容

Inchange Semiconductor                                                 Product Specification

Silicon PNP Power Transistors                                BD234 BD236 BD238

DESCRIPTION
   With TO-126 package
   Complement to type BD233/235 /237

APPLICATIONS
   For medium power linear and
   switching applications

PINNING        DESCRIPTION
    PIN

1        Emitter

2        Collector;connected to
         mounting base

3        Base

Absolute maximum ratings (Ta=25 )
      INCHANGE SEMICONDUCTOR BD234
SYMBOL            PARAMETER                               CONDITIONS  VALUE    UNIT
                                                                        -45      V
VCBO     Collector-base voltage       BD236 Open emitter                -60      V
                                                                        -100
                                      BD238                             -45
                                                                        -60
                                      BD234

VCEO     Collector-emitter voltage BD236 Open base

                                      BD238                           -80

VEBO     Emitter -base voltage               Open collector           -5       V

IC       Collector current (DC)                                       -2       A

ICM      Collector current-Peak                                       -6       A

PC       Collector power dissipation         TC=25                    25       W

Tj       Junction temperature                                         150

Tstg     Storage temperature                                          -65~150
Inchange Semiconductor                                                    Product Specification

Silicon PNP Power Transistors                                   BD234 BD236 BD238

CHARACTERISTICS

Tj=25 unless otherwise specified

SYMBOL     PARAMETER                       CONDITIONS           MIN TYP. MAX UNIT

VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-1A; IB=-0.1A         -0.6  V

VBE        Base-emitter on voltage         IC=-1A ; VCE=-2V          -1.3  V

                                    BD234                       -45

VCEO(SUS)  Collector-emitter        BD236 IC=-0.1A; IB=0        -60        V
           sustaining voltage

                                    BD238                       -80

                                    BD234 VCB=-45V; IE=0

ICBO       Collector cut-off current BD236 VCB=-60V; IE=0            -100  A
           BD238 VCB=-100V; IE=0
INCHANGE SEMICONDUCTOR IEBO
           Emitter cut-off current         VEB=-5V; IC=0             -1    mA

hFE-1      DC current gain                 IC=-150mA ; VCE=-2V  40

hFE-2      DC current gain                 IC=-1A ; VCE=-2V     25

fT         Transition frequency            IC=-250mA; VCE=-10V  3          MHz

                                           2
Inchange Semiconductor                      Product Specification

Silicon PNP Power Transistors     BD234 BD236 BD238

PACKAGE OUTLINE

                               SEMICONDUCTOR
  INCHANGE

Fig.2 Outline dimensions

                               3
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