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BD140

器件型号:BD140
器件类别:晶体管
文件大小:44.51KB,共0页
厂商名称:STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
厂商官网:http://www.st.com/
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器件描述

1.5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-

1.5 A, 80 V, PNP, , 功率晶体管, TO-

参数

BD140端子数量 3
BD140晶体管极性 PNP
BD140最大集电极电流 1.5 A
BD140最大集电极发射极电压 80 V
BD140加工封装描述 PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN
BD140状态 ACTIVE
BD140包装形状 RECTANGULAR
BD140包装尺寸 FLANGE MOUNT
BD140端子形式 THROUGH-HOLE
BD140端子涂层 TIN LEAD
BD140端子位置 SINGLE
BD140包装材料 PLASTIC/EPOXY
BD140结构 SINGLE
BD140元件数量 1
BD140晶体管应用 AMPLIFIER
BD140晶体管元件材料 SILICON
BD140最大环境功耗 1.25 W
BD140晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER
BD140最小直流放大倍数 25

文档预览

BD140器件文档内容

                                                                   BD136
                                                         BD138/BD140

                                                  PNP SILICON TRANSISTORS

s SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES                                            1
s PNP TRANSISTOR                                                            2
                                                                        3
DESCRIPTION
The BD136, BD138 and BD140 are silicon                   SOT-32
epitaxial planar PNP transistors in Jedec SOT-32
plastic package, designed for audio amplifiers
and drivers utilizing complementary or quasi
compementary circuits.
The complementary NPN types are the BD135
BD137 and BD139.

                                                  INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

S ym b o l  Parameter                                       Value                Uni t
                                                           BD 138
V CBO       Collector-Base Voltage (IE = 0)       BD136              BD140         V
V CEO       Collector-Emitter Voltage (IB = 0)      -45       - 60     -80         V
V EBO       Emitter-Base Voltage (IC = 0)           -45       - 60     -80         V
            Collector Current                                  -5                  A
  IC        Collector Peak Current                           -1.5                  A
ICM        Base Current                                       -3                  A
  IB        Total Dissipation at Tc  25 oC                   -0.5                 W
Ptot       Total Dissipation at Tamb  25 oC                 12. 5                W
Ptot       Storage Temperature                              1. 25                oC
Tstg       Max. O perating Junction Temperature         -65 to 150               oC
  Tj                                                         150

June 1997                                                                        1/4
BD136/BD138/BD140

THERMAL DATA                                                         Max  10                 oC/W

   Rthj-ca se Thermal Resistance Junction-case

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25 oC unless otherwise specified)

Symb ol    P a ram et er                            Test Conditions       Min. Typ.  M a x.  Unit
                                                                                     -0.1     A
     ICBO  Collector Cut-off        VCB = -30 V                            -45        -10     A
           Current (IE = 0)         VCB = -30 V TC = 125 oC                -60        -10     A
                                                                           -80
    IEBO Emitt er Cut-off Current   VEB = -5 V                                       -0.5      V
                (IC = 0)                                                   25          -1      V
                                    IC = -30 mA                            25                  V
VCEO(sus ) Collect or-Emitter       for BD136                              40        250       V
                Sustaining Voltage  for BD138                              63        160
                                    for BD140                                                  V

VCE(sat) Collect or-Emitter         IC = -0.5 A     IB = -0.05 A
               Saturation Voltage

     VBE Base-Emitt er Voltage IC = -0.5 A          VCE = -2 V

     hFE DC Current G ain           IC = -5 mA      VCE = -2 V
                                    IC = -0.5 A     VCE = -2 V
                                    IC = -150 mA    VCE = -2 V

     hFE   hFE G roups              IC = -150 mA VCE = -2 V
                                    for BD140 group 10

Pulsed: Pulse duration = 300 s, duty cycle 1.5 %

Safe Operating Areas

2/4
                                             BD136/BD138/BD140

            SOT-32 (TO-126) MECHANICAL DATA

DIM.  MIN.  mm    MAX.      MIN.             inch   MAX.
       7.4  TYP.   7.8      0.291            TYP.   0.307
  A   10.5        10.8      0.413                   0.445
  B    0.7   2.2   0.9      0.028            0.087  0.035
  b   0.49   3.8  0.75      0.019            0.150  0.030
b1    2.4  2.15   2.7      0.040            0.084  0.106
  C    1.0         1.3      0.039                   0.050
c1   15.4        16.0      0.606                   0.629
  D
  e   4.15        4.65      0.163                   0.183
e3
  F     3          3.2      0.118                   0.126
  G               2.54                              0.100
  H
H2

                        H2

                                                    0016114

                                                                 3/4
BD136/BD138/BD140

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      written approval of SGS-THOMSON Microelectonics.

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                                                          SGS-THOMSON Microelectronics GROUP OF COMPANIES

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                                         Singapore - Spain - Sweden - Switzerland - Taiwan - Thailand - United Kingdom - U.S.A
                                                                                                 . ..

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