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BD139

器件型号:BD139
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
厂商官网:https://www.nxp.com/
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器件描述

1.5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126

参数

BD139端子数量 3
BD139晶体管极性 NPN
BD139最大集电极电流 1.5 A
BD139最大集电极发射极电压 80 V
BD139加工封装描述 TO-126, 3 PIN
BD139状态 ACTIVE
BD139包装形状 矩形的
BD139包装尺寸 凸缘安装
BD139端子形式 THROUGH-孔
BD139端子涂层 锡 铅
BD139端子位置 单一的
BD139包装材料 塑料/环氧树脂
BD139结构 单一的
BD139壳体连接 COLLECTOR
BD139元件数量 1
BD139晶体管应用 开关
BD139晶体管元件材料
BD139最大环境功耗 1.25 W
BD139晶体管类型 通用电源
BD139最小直流放大倍数 25
BD139额定交叉频率 190 MHz

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BD139器件文档内容

                         DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

book, halfpage
                                                               M3D100

  BD135; BD137; BD139                                                  1999 Apr 12
  NPN power transistors

Product specification
Supersedes data of 1997 Mar 04
Philips Semiconductors                                                                                   Product specification

  NPN power transistors                                                              BD135; BD137; BD139

FEATURES                                                         PINNING                           DESCRIPTION
High current (max. 1.5 A)                                               PIN        emitter
Low voltage (max. 80 V).                                                  1        collector, connected to metal part of
                                                                            2        mounting surface
APPLICATIONS                                                                         base
Driver stages in hi-fi amplifiers and television circuits.                3
                                                                                                                    2
DESCRIPTION                                                      handbook, halfpage                     3

NPN power transistor in a TO-126; SOT32 plastic                                                                     1
package. PNP complements: BD136, BD138 and BD140.

                                                                               1 2 3 Top view      MAM254

                                                                 Fig.1 Simplified outline (TO-126; SOT32) and
                                                                           symbol.

LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).

SYMBOL       PARAMETER                                           CONDITIONS             MIN.      MAX.        UNIT

VCBO         collector-base voltage         open emitter                             -         45          V
                BD135                       open base
VCEO            BD137                       open collector                           -         60          V
                BD139                       Tmb  70 C
VEBO                                                                                 -         100         V
IC           collector-emitter voltage
ICM             BD135                                                                -         45          V
IBM             BD137
Ptot            BD139                                                                -         60          V
Tstg
Tj           emitter-base voltage                                                    -         80          V
Tamb         collector current (DC)
             peak collector current                                                  -         5           V
             peak base current
             total power dissipation                                                 -         1.5         A
             storage temperature
             junction temperature                                                    -         2           A
             operating ambient temperature
                                                                                     -         1           A

                                                                                     -         8           W

                                                                                     -65       +150        C

                                                                                     -         150         C

                                                                                     -65       +150        C

1999 Apr 12                                                   2
Philips Semiconductors                                                                                    Product specification

  NPN power transistors                                                             BD135; BD137; BD139

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL               PARAMETER                                             CONDITIONS          VALUE       UNIT
                                                                        note 1                   100       K/W
Rth j-a              thermal resistance from junction to ambient                                  10       K/W
Rth j-mb             thermal resistance from junction to mounting base

Note

1. Refer to TO-126; SOT32 standard mounting conditions.

CHARACTERISTICS
Tj = 25 C unless otherwise specified.

SYMBOL               PARAMETER                                CONDITIONS                    MIN. TYP. MAX. UNIT

ICBO                 collector cut-off current             IE = 0; VCB = 30 V               -  -      100 nA
IEBO                 emitter cut-off current               IE = 0; VCB = 30 V; Tj = 125 C
hFE                  DC current gain                       IC = 0; VEB = 5 V                -  -      10 A
                                                           VCE = 2 V; (see Fig.2)
VCEsat               DC current gain                                                        -  -      100 nA
VBE                     BD135-10; BD137-10; BD139-10          IC = 5 mA
fT                                                            IC = 150 mA                   40 -      -
hh----FF---EE---12-                                           IC = 500 mA
                                                           IC = 150 mA; VCE = 2 V;          63 -      250
                                                           (see Fig.2)
                                                                                            25 -      -

                                                                                            63 -      160

                     BD135-16; BD137-16; BD139-16                                           100 -     250

                     collector-emitter saturation voltage  IC = 500 mA; IB = 50 mA          -  -      0.5 V
                     base-emitter voltage
                     transition frequency                  IC = 500 mA; VCE = 2 V           -  -      1    V

                                                           IC = 50 mA; VCE = 5 V;           -  190 -       MHz
                                                           f = 100 MHz

                     DC current gain ratio of the          IC = 150 mA; VCE = 2 V           -  1.3 1.6
                     complementary pairs

1999 Apr 12                                                3
Philips Semiconductors                                                                     Product specification

  NPN power transistors                                              BD135; BD137; BD139

          160                                                                      MBH729

handbook, full pagewidth         VCE = 2 V

       hFE                1  10                                      102  IC (mA)  103
          120

           80

           40

             0
             10-1

                             Fig.2 DC current gain; typical values.

1999 Apr 12                  4
Philips Semiconductors                                                                                                     Product specification

  NPN power transistors                                                                              BD135; BD137; BD139

PACKAGE OUTLINE
Plastic single-ended leaded (through hole) package; mountable to heatsink, 1 mounting hole; 3 leads SOT32

                       E                                                      A

                                      P1

             P                               D

             L1
                                                               L

                    1       2   3

                bp          wM                                                       c                                  e1
                                                                           Q                                        e

                                                                        0        2.5 5 mm

                                                                              scale

DIMENSIONS (mm are the original dimensions)

UNIT A          bp  c       D      E         e                    e1       L        L1(1)  Q    P    P1             w
                                                                                    max

mm  2.7         0.88 0.60 11.1  7.8          4.58                 2.29     16.5     2.54   1.5  3.2  3.9            0.254
    2.3         0.65 0.45 10.5  7.2                                        15.3            0.9  3.0  3.6

Note
1. Terminal dimensions within this zone are uncontrolled to allow for flow of plastic and terminal irregularities.

OUTLINE                                                           REFERENCES                                         EUROPEAN   ISSUE DATE
                                                                                                                    PROJECTION    97-03-04
VERSION                IEC                   JEDEC                            EIAJ

    SOT32                             TO-126

1999 Apr 12                                                                      5
Philips Semiconductors                              Product specification

  NPN power transistors       BD135; BD137; BD139

DEFINITIONS

Data Sheet Status

Objective specification    This data sheet contains target or goal specifications for product development.
Preliminary specification  This data sheet contains preliminary data; supplementary data may be published later.
Product specification      This data sheet contains final product specifications.

Limiting values

Limiting values given are in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Stress above one or
more of the limiting values may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and operation
of the device at these or at any other conditions above those given in the Characteristics sections of the specification
is not implied. Exposure to limiting values for extended periods may affect device reliability.

Application information

Where application information is given, it is advisory and does not form part of the specification.

LIFE SUPPORT APPLICATIONS

These products are not designed for use in life support appliances, devices, or systems where malfunction of these
products can reasonably be expected to result in personal injury. Philips customers using or selling these products for
use in such applications do so at their own risk and agree to fully indemnify Philips for any damages resulting from such
improper use or sale.

1999 Apr 12                6
Philips Semiconductors                                Product specification

  NPN power transistors         BD135; BD137; BD139

                         NOTES

1999 Apr 12              7
Philips Semiconductors a worldwide company

Argentina: see South America                                               Netherlands: Postbus 90050, 5600 PB EINDHOVEN, Bldg. VB,
                                                                           Tel. +31 40 27 82785, Fax. +31 40 27 88399
Australia: 34 Waterloo Road, NORTH RYDE, NSW 2113,
Tel. +61 2 9805 4455, Fax. +61 2 9805 4466                                 New Zealand: 2 Wagener Place, C.P.O. Box 1041, AUCKLAND,
                                                                           Tel. +64 9 849 4160, Fax. +64 9 849 7811
Austria: Computerstr. 6, A-1101 WIEN, P.O. Box 213,
Tel. +43 1 60 101 1248, Fax. +43 1 60 101 1210                             Norway: Box 1, Manglerud 0612, OSLO,
                                                                           Tel. +47 22 74 8000, Fax. +47 22 74 8341
Belarus: Hotel Minsk Business Center, Bld. 3, r. 1211, Volodarski Str. 6,
220050 MINSK, Tel. +375 172 20 0733, Fax. +375 172 20 0773                 Pakistan: see Singapore

Belgium: see The Netherlands                                               Philippines: Philips Semiconductors Philippines Inc.,
                                                                           106 Valero St. Salcedo Village, P.O. Box 2108 MCC, MAKATI,
Brazil: see South America                                                  Metro MANILA, Tel. +63 2 816 6380, Fax. +63 2 817 3474

Bulgaria: Philips Bulgaria Ltd., Energoproject, 15th floor,                Poland: Ul. Lukiska 10, PL 04-123 WARSZAWA,
51 James Bourchier Blvd., 1407 SOFIA,                                      Tel. +48 22 612 2831, Fax. +48 22 612 2327
Tel. +359 2 68 9211, Fax. +359 2 68 9102
                                                                           Portugal: see Spain
Canada: PHILIPS SEMICONDUCTORS/COMPONENTS,
Tel. +1 800 234 7381, Fax. +1 800 943 0087                                 Romania: see Italy

China/Hong Kong: 501 Hong Kong Industrial Technology Centre,               Russia: Philips Russia, Ul. Usatcheva 35A, 119048 MOSCOW,
72 Tat Chee Avenue, Kowloon Tong, HONG KONG,                               Tel. +7 095 755 6918, Fax. +7 095 755 6919
Tel. +852 2319 7888, Fax. +852 2319 7700
                                                                           Singapore: Lorong 1, Toa Payoh, SINGAPORE 319762,
Colombia: see South America                                                Tel. +65 350 2538, Fax. +65 251 6500

Czech Republic: see Austria                                                Slovakia: see Austria

Denmark: Sydhavnsgade 23, 1780 COPENHAGEN V,                               Slovenia: see Italy
Tel. +45 33 29 3333, Fax. +45 33 29 3905
                                                                           South Africa: S.A. PHILIPS Pty Ltd., 195-215 Main Road Martindale,
Finland: Sinikalliontie 3, FIN-02630 ESPOO,                                2092 JOHANNESBURG, P.O. Box 7430 Johannesburg 2000,
Tel. +358 9 615 800, Fax. +358 9 6158 0920                                 Tel. +27 11 470 5911, Fax. +27 11 470 5494

France: 51 Rue Carnot, BP317, 92156 SURESNES Cedex,                        South America: Al. Vicente Pinzon, 173, 6th floor,
Tel. +33 1 4099 6161, Fax. +33 1 4099 6427                                 04547-130 SO PAULO, SP, Brazil,
                                                                           Tel. +55 11 821 2333, Fax. +55 11 821 2382
Germany: Hammerbrookstrae 69, D-20097 HAMBURG,
Tel. +49 40 2353 60, Fax. +49 40 2353 6300                                 Spain: Balmes 22, 08007 BARCELONA,
                                                                           Tel. +34 93 301 6312, Fax. +34 93 301 4107
Hungary: see Austria
                                                                           Sweden: Kottbygatan 7, Akalla, S-16485 STOCKHOLM,
India: Philips INDIA Ltd, Band Box Building, 2nd floor,                    Tel. +46 8 5985 2000, Fax. +46 8 5985 2745
254-D, Dr. Annie Besant Road, Worli, MUMBAI 400 025,
Tel. +91 22 493 8541, Fax. +91 22 493 0966                                 Switzerland: Allmendstrasse 140, CH-8027 ZRICH,
                                                                           Tel. +41 1 488 2741 Fax. +41 1 488 3263
Indonesia: PT Philips Development Corporation, Semiconductors Division,
Gedung Philips, Jl. Buncit Raya Kav.99-100, JAKARTA 12510,                 Taiwan: Philips Semiconductors, 6F, No. 96, Chien Kuo N. Rd., Sec. 1,
Tel. +62 21 794 0040 ext. 2501, Fax. +62 21 794 0080                       TAIPEI, Taiwan Tel. +886 2 2134 2886, Fax. +886 2 2134 2874

Ireland: Newstead, Clonskeagh, DUBLIN 14,                                  Thailand: PHILIPS ELECTRONICS (THAILAND) Ltd.,
Tel. +353 1 7640 000, Fax. +353 1 7640 200                                 209/2 Sanpavuth-Bangna Road Prakanong, BANGKOK 10260,
                                                                           Tel. +66 2 745 4090, Fax. +66 2 398 0793
Israel: RAPAC Electronics, 7 Kehilat Saloniki St, PO Box 18053,
TEL AVIV 61180, Tel. +972 3 645 0444, Fax. +972 3 649 1007                 Turkey: Talatpasa Cad. No. 5, 80640 GLTEPE/ISTANBUL,
                                                                           Tel. +90 212 279 2770, Fax. +90 212 282 6707
Italy: PHILIPS SEMICONDUCTORS, Piazza IV Novembre 3,
20124 MILANO, Tel. +39 2 6752 2531, Fax. +39 2 6752 2557                   Ukraine: PHILIPS UKRAINE, 4 Patrice Lumumba str., Building B, Floor 7,
                                                                           252042 KIEV, Tel. +380 44 264 2776, Fax. +380 44 268 0461
Japan: Philips Bldg 13-37, Kohnan 2-chome, Minato-ku,
TOKYO 108-8507, Tel. +81 3 3740 5130, Fax. +81 3 3740 5077                 United Kingdom: Philips Semiconductors Ltd., 276 Bath Road, Hayes,
                                                                           MIDDLESEX UB3 5BX, Tel. +44 181 730 5000, Fax. +44 181 754 8421
Korea: Philips House, 260-199 Itaewon-dong, Yongsan-ku, SEOUL,
Tel. +82 2 709 1412, Fax. +82 2 709 1415                                   United States: 811 East Arques Avenue, SUNNYVALE, CA 94088-3409,
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Printed in The Netherlands       115002/00/03/pp8                          Date of release: 1999 Apr 12  Document order number: 9397 750 05576
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