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BD139

器件型号:BD139
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:ON Semiconductor
厂商官网:http://www.onsemi.cn
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器件描述

Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W NPN

参数
产品属性属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商:
Manufacturer:
ON Semiconductor
产品种类:
Product Category:
Bipolar Transistors - BJT
RoHS:N
安装风格:
Mounting Style:
Through Hole
封装 / 箱体:
Package / Case:
TO-225-3
Transistor Polarity:NPN
Configuration:Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:80 V
Collector- Base Voltage VCBO:80 V
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:0.5 V
Maximum DC Collector Current:1.5 A
最小工作温度:
Minimum Operating Temperature:
- 55 C
最大工作温度:
Maximum Operating Temperature:
+ 150 C
高度:
Height:
11.04 mm
长度:
Length:
7.74 mm
封装:
Packaging:
Bulk
宽度:
Width:
2.66 mm
商标:
Brand:
ON Semiconductor
Continuous Collector Current:1.5 A
DC Collector/Base Gain hfe Min:25
Pd-功率耗散:
Pd - Power Dissipation:
1.25 W
产品类型:
Product Type:
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量:
Factory Pack Quantity:
500
子类别:
Subcategory:
Transistors
单位重量:
Unit Weight:
0.068784 oz

BD139器件文档内容

BD135G, BD137G, BD139G

Plastic Medium-Power

Silicon NPN Transistors

   This series of plastic, medium−power silicon NPN transistors are

designed   for     use  as  audio      amplifiers             and     drivers     utilizing

complementary or quasi complementary circuits.

                                                                                                              http://onsemi.com

Features

• High DC Current Gain                                                                         1.5  A POWER TRANSISTORS

• BD 135, 137, 139 are complementary with BD 136, 138, 140                                                    NPN SILICON

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS                                         45, 60, 80 V, 12.5 W

   Compliant*

                                                                                                                    COLLECTOR

                                                                                                                            2, 4

MAXIMUM RATINGS

                   Rating                          Symbol             Value          Unit                     3

Collector−Emitter Voltage                          VCEO                              Vdc                      BASE

   BD135G                                                             45

   BD137G                                                             60                                                    1

   BD139G                                                             80

                                                                                                                    EMITTER

Collector−Base Voltage                             VCBO                              Vdc

   BD135G                                                             45

   BD137G                                                             60

   BD139G                                                             100

Emitter−Base Voltage                               VEBO               5.0            Vdc                                       TO−225

Collector Current                                  IC                 1.5            Adc                                    CASE 77−09

                                                                                                                            STYLE 1

Base Current                                       IB                 0.5            Adc

Total Device Dissipation                           PD                                               1   2  3

   @ TA = 25°C                                                        1.25           Watts

   Derate above 25°C                                                  10          mW/°C

Total Device Dissipation                           PD                                                      MARKING  DIAGRAM

   @ TC = 25°C                                                        12.5           Watts

   Derate above 25°C                                                  100         mW/°C

Operating and Storage Junction                     TJ, Tstg        – 55 to + 150     °C                             YWW

Temperature Range                                                                                                   BD1xxG

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the

device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be                         Y           = Year

assumed, damage may occur and reliability may be affected.                                              WW          = Work Week

THERMAL CHARACTERISTICS                                                                                 BD1xx       = Device Code

                                                                                                                    xx = 35, 37, 39

                Characteristic                                Symbol  Max            Unit               G           = Pb−Free Package

Thermal Resistance, Junction−to−Case                          RqJC        10         °C/W               ORDERING INFORMATION

Thermal Resistance, Junction−to−Ambient                       RqJA    100            °C/W

                                                                                               Device            Package             Shipping

                                                                                               BD135G               TO−225         500 Units / Box

                                                                                                                 (Pb−Free)

                                                                                               BD135TG              TO−225         50 Units / Rail

                                                                                                                 (Pb−Free)

                                                                                               BD137G               TO−225         500 Units / Box

                                                                                                                 (Pb−Free)

*For additional information on our Pb−Free strategy           and   soldering details, please  BD139G               TO−225         500 Units / Box

download   the  ON      Semiconductor              Soldering  and   Mounting      Techniques                     (Pb−Free)

Reference Manual, SOLDERRM/D.

©  Semiconductor Components Industries, LLC, 2013                                 1                                 Publication Order Number:

December, 2013 − Rev. 17                                                                                                                BD135/D
                                                                      BD135G, BD137G, BD139G

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)

                                                      Characteristic                                                                              Symbol            Min          Max        UnIt

Collector−Emitter Sustaining Voltage*                                                                                                             BVCEO*                                    Vdc

                      (IC = 0.03 Adc, IB = 0)

                      BD135G                                                                                                                                        45           −

                      BD137G                                                                                                                                        60           −

                      BD139G                                                                                                                                        80           −

Collector Cutoff Current                                                                                                                          ICBO                                      mAdc

                      (VCB = 30 Vdc, IE = 0)                                                                                                                        −            0.1

                      (VCB = 30 Vdc, IE = 0, TC = 125_C)                                                                                                            −            10

Emitter Cutoff Current                                                                                                                            IEBO              −            10         mAdc

                      (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)

DC Current Gain                                                                                                                                   hFE*                                      −

                      (IC = 0.005 A, VCE = 2 V)                                                                                                                     25           −

                      (IC = 0.15 A, VCE = 2 V)                                                                                                                      40           250

                      (IC = 0.5 A VCE = 2 V)                                                                                                                        25           −

Collector−Emitter Saturation Voltage*                                                                                                             VCE(sat)*                                 Vdc

                      (IC = 0.5 Adc, IB = 0.05 Adc)                                                                                                                 −            0.5

Base−Emitter On Voltage*                                                                                                                          VBE(on)*                                  Vdc

                      (IC = 0.5 Adc, VCE = 2.0 Vdc)                                                                                                                 −            1

Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions,                                                            unless  otherwise  noted. Product

performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.

*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2.0%.

                                                                      TYPICAL CHARACTERISTICS

                      1000                                                                                                                   0.3

                                                                         VCE = 2 V      VCE(sat), COLLECTOR−EMITTER                               IC/IB = 10                        150°C

hFE, DC CURRENT GAIN                           150°C                                                                 SATURATION VOLTAGE (V)  0.2

                                               25°C                                                                                                                                         −55°C

                      100                      −55°C                                                                                                                     25°C

                                                                                                                                             0.1

                      10                                                                                                                     0

                            0.001  0.01               0.1             1             10                                                            0.001       0.01       0.1          1            10

                                   IC, COLLECTOR CURRENT (A)                                                                                                  IC, COLLECTOR CURRENT (A)

                                   Figure 1. DC Current Gain                                                                                      Figure 2. Collector−Emitter Saturation Voltage

                                                                         http://onsemi.com

                                                                                        2
                                                                                                                         BD135G, BD137G, BD139G

                                                                                                                         TYPICAL CHARACTERISTICS

                                                1.2                                                                                              (V)                               1.2

                                                         IC/IB = 10                                                                              VBE(on), BASE−EMITTER ON VOLTAGE           VCE  =2V

VBE(sat), BASE−EMITTER  SATURATION VOLTAGE (V)  1.0                                                                                                                                1.0

                                                                     −55°C                                                                                                                                  −55°C

                                                0.8                        25°C                                                                                                    0.8

                                                                                                                                                                                                            25°C

                                                0.6                  150°C                                                                                                         0.6

                                                                                                                                                                                                            150°C

                                                0.4                                                                                                                                0.4

                                                0.2                                                                                                                                0.2

                                                0                                                                                                                                  0

                                                     0.001           0.01                                   0.1          1               10                                              0.001   0.01              0.1          1              10

                                                                     IC, COLLECTOR CURRENT (A)                                                                                                   IC, COLLECTOR CURRENT (A)

                                                         Figure 3. Base−Emitter Saturation Voltage                                                                                               Figure 4. Base−Emitter On Voltage

                        1000                                                                                                                                                       10

                                                                                                                         f=  1  MHz              (A)                                                                                   0.1 ms

C, CAPACITANCE (pF)                                                           Cib                                                                COLLECTOR CURRENT                                          5 ms        0.5 ms

                        100                                                                                                                                                        1

                                                                                                                                                                                                TJ = 125°C         dc

                                                                              Cob

                                                10                                                                                                                                 0.1

                                                                                                                                                                                                                                BD135

                                                                                                                                                 IC ,                                                                           BD137

                                                1                                                                                                                                  0.01                                         BD139

                                                    0.1                    1                                         10                  100                                             1                         10                          80

                                                                     VR, REVERSE VOLTAGE (V)                                                                                                    VCE, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (V)

                                                                     Figure 5. Capacitance                                                                                                  Figure 6. Active−Region Safe Operating Area

                                                                                                            1.50

                                                                                 PD, POWER DISSIPATION (W)  1.25

                                                                                                            1.00

                                                                                                            0.75

                                                                                                            0.50

                                                                                                            0.25

                                                                                                            0

                                                                                                                  0  20      40      60  80                                        100      120  140        160

                                                                                                                         TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)

                                                                                                                             Figure 7. Power Derating

                                                                                                                                 http://onsemi.com

                                                                                                                                              3
                                                           BD135G, BD137G, BD139G

                                                                  PACKAGE DIMENSIONS

                                                                                  TO−225

                                                                                  CASE 77−09

                                     4                                            ISSUE AC

1  23                     32   1

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                                               E                                                                         NOTES:

                                                                                                                         1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER

                                                                              A1                                         ASME Y14.5M, 1994.

                                                                                                                         2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.

                          Q                                                                      A                       3. NUMBER AND SHAPE OF LUGS OPTIONAL.

                                                                                               PIN 4                                     MILLIMETERS

                                                                                            BACKSIDE   TAB               DIM             MIN   MAX

                                                                                                                         A               2.40  3.00

                                                                                                                         A1              1.00  1.50

                                                               D                                                         b               0.60  0.90

                                                                                                                         b2              0.51  0.88

                       P                                                                                                 c               0.39  0.63

                                                                                                                         D       10.60         11.10

                                  1            2     3                                                                   E               7.40  7.80

                                                                                                                         e               2.04  2.54

                                                                                                                         L       14.50         16.63

                                                                                                                         L1              1.27  2.54

                                                                                                                         P               2.90  3.30

                                                           L1                                                            Q               3.80  4.20

                                                                                                                         STYLE 1:

                                                                                                    L                    PIN 1.          EMITTER

                                                                                                                                 2., 4.  COLLECTOR

                                                                                                                                 3.      BASE

                 2X    b2

                           2X  e

                                                        b                     c

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