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BD139

器件型号:BD139
器件类别:晶体管   
厂商名称:ISC
厂商官网:http://www.iscsemi.cn/
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器件描述

1.5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126

1.5 A, 80 V, NPN, , 功率晶体管, TO-126

参数

BD139端子数量 3
BD139晶体管极性 NPN
BD139最大集电极电流 1.5 A
BD139最大集电极发射极电压 80 V
BD139加工封装描述 TO-126, 3 PIN
BD139状态 ACTIVE
BD139包装形状 矩形的
BD139包装尺寸 凸缘安装
BD139端子形式 THROUGH-孔
BD139端子涂层 锡 铅
BD139端子位置 单一的
BD139包装材料 塑料/环氧树脂
BD139结构 单一的
BD139壳体连接 COLLECTOR
BD139元件数量 1
BD139晶体管应用 开关
BD139晶体管元件材料
BD139最大环境功耗 1.25 W
BD139晶体管类型 通用电源
BD139最小直流放大倍数 25
BD139额定交叉频率 190 MHz

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BD139器件文档内容

Inchange Semiconductor                                                 Product Specification

Silicon NPN Power Transistors                                BD135 BD137 BD139

DESCRIPTION
   With TO-126 package
   High current
   Complement to type BD136/138/140

APPLICATIONS
   Driver stages in high-fidelity amplifiers
   and television circuits

PINNING            DESCRIPTION
    PIN

1         Emitter

2         Collector;connected to
          mounting base

3         Base

Absolute maximum ratings (Ta=25 )
SYMBOL
                        PARAMETER                                    CONDITIONS  VALUE    UNIT
INCHANGE SEMICONDUCTOR VCBO                  BD135  Open emitter                   45      V
                                                                                    60
   VCEO   Collector-base voltage BD137               Open base                     100      V
   VEBO                                       BD139  Open collector                 45      V
                                              BD135                                 60
                                                                                   100
          Collector-emitter voltage BD137                                            5
                                              BD139

          Emitter -base voltage

IC        Collector current (DC)                                                 1.5      A

ICM       Collector current-Peak                                                 2        A

IBM       Base current-Peak                                                      1        A

Pt        Total power dissipation                    Tmb 70                      8        W

Tj        Junction temperature                                                   150

Tstg      Storage temperature                                                    -65~150

Tamb      Operating ambient temperature                                          -65~150

THERMAL CHARACTERISTICS                  PARAMETER                               VALUE    UNIT
                                                                                   100    K/W
SYMBOL                                                                             10    K/W

Rth j-a   Thermal resistance from junction to ambient

Rth j-mb  Thermal resistance from junction to mounting base
Inchange Semiconductor                                                  Product Specification

Silicon NPN Power Transistors                                 BD135 BD137 BD139

CHARACTERISTICS

Tj=25 unless otherwise specified

SYMBOL  PARAMETER                   CONDITIONS                 MIN TYP. MAX UNIT

VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=0.5A; IB=50mA             0.5  V

VBE     Base-emitter voltage        IC=500mA ; VCE=2V                    1.0  V

                                    VCB=30V; IE=0                        100  nA
                                    VCB=30V; IE=0 Tj=125
ICBO    Collector cut-off current

                                                                         10   A

IEBO    Emitter cut-off current     VEB=5V; IC=0                         100  nA

hFE-1   DC current gain             IC=5mA ; VCE=2V            40

        DC current gain                                        63        250

hFE-2   BD135-10;BD137-10;BD139-10  IC=150mA ; VCE=2V          63        160

        BD135-16;BD137-16;BD139-16                             100       250
hFE-3
INCHANGE SEMICONDUCTOR fTDC current gainIC=500mA ; VCE=2V      25

        Transition frequency        IC=50mA; VCE=5V ;f=100MHz       190       MHz

                                    2
Inchange Semiconductor                      Product Specification

Silicon NPN Power Transistors     BD135 BD137 BD139

PACKAGE OUTLINE

                               SEMICONDUCTOR
  INCHANGE

Fig.2 Outline dimensions

                               3
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