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BD139

器件型号:BD139
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:Fairchild
厂商官网:http://www.fairchildsemi.com/
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器件描述

1.5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126

参数
BD139端子数量 3
BD139晶体管极性 NPN
BD139最大集电极电流 1.5 A
BD139最大集电极发射极电压 80 V
BD139加工封装描述 TO-126, 3 PIN
BD139状态 ACTIVE
BD139包装形状 矩形的
BD139包装尺寸 凸缘安装
BD139端子形式 THROUGH-孔
BD139端子涂层 锡 铅
BD139端子位置 单一的
BD139包装材料 塑料/环氧树脂
BD139结构 单一的
BD139壳体连接 COLLECTOR
BD139元件数量 1
BD139晶体管应用 开关
BD139晶体管元件材料
BD139最大环境功耗 1.25 W
BD139晶体管类型 通用电源
BD139最小直流放大倍数 25
BD139额定交叉频率 190 MHz

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BD139器件文档内容

                              BD135/137/139                                                                                    BD135/137/139

Medium Power Linear and Switching
Applications

Complement to BD136, BD138 and BD140 respectively

                                                                                      1                 TO-126

                                                                                      1. Emitter 2.Collector 3.Base

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted

Symbol                                                  Parameter                             Value                Units
                                                                                                  45                 V
VCBO       Collector-Base Voltage                                  : BD135                        60                 V
                                                                  : BD137                         80                 V
                                                                  : BD139                         45                 V
                                                                                                  60                 V
VCEO       Collector-Emitter Voltage                               : BD135                        80                 V
                                                                  : BD137                          5                 V
                                                                  : BD139                        1.5                 A
                                                                                                 3.0                 A
VEBO       Emitter-Base Voltage                                                                  0.5                 A
IC         Collector Current (DC)                                                                                    W
ICP        Collector Current (Pulse)                                                           12.5                  W
IB         Base Current                                                                        1.25                  C
PC         Collector Dissipation (TC=25C)                                                      150                  C
PC         Collector Dissipation (Ta=25C)                                                  - 55 ~ 150
TJ         Junction Temperature
TSTG       Storage Temperature

Electrical Characteristics TC=25C unless otherwise noted

Symbol                                       Parameter                      Test Condition  Min. Typ. Max. Units

VCEO(sus)  Collector-Emitter Sustaining Voltage
                                            : BD135
                                            : BD137                IC = 30mA, IB = 0        45                       V
                                            : BD139
                                                                                            60                       V

                                                                                            80                       V

ICBO       Collector Cut-off Current                               VCB = 30V, IE = 0                    0.1 A

IEBO       Emitter Cut-off Current                                 VEB = 5V, IC = 0                     10 A

hFE1       DC Current Gain                     : ALL DEVICE        VCE = 2V, IC = 5mA       25
hFE2                                         : ALL DEVICE          VCE = 2V, IC = 0.5A
hFE3                                         : BD135               VCE = 2V, IC = 150mA     25
                                             : BD137, BD139
                                                                                            40          250

                                                                                            40          160

VCE(sat)   Collector-Emitter Saturation Voltage                    IC = 500mA, IB = 50mA                0.5          V
VBE(on)    Base-Emitter ON Voltage                                 VCE = 2V, IC = 0.5A
                                                                                                        1            V

hFE Classification                                           6                  10                           16
                                                        40 ~ 100            63 ~ 160                    100 ~ 250
                Classification
                     hFE3

2000 Fairchild Semiconductor International                                                             Rev. A, February 2000
Typical Characteristics                                                                                                                                                                                                                           BD135/137/139

                      100                                                                                    VCE = 2V                                     500
                       90
                       80                                                                                               VCE(sat)[mV], SATURATION VOLTAGE  450
                       70
hFE, DC CURRENT GAIN   60                                                                                                                                 400                                           IC = 20 IB
                       50                                                                                                                                                                                      IC = 10 IB
                       40                                                                                                                                 350
                       30
                       20                                                                                                                                 300
                       10
                         0                                                                                                                                250
                           10
                                                                                                                                                          200

                                                                                                                                                          150

                                                                                                                                                          100

                                                                                                                                                          50

                                                                                                                                                          0

                                                                            100                              1000                                         1E-3      0.01                 0.1            1                  10

                                                              IC[mA], COLLECTOR CURRENT                                                                             IC[A], COLLECTOR CURRENT

                                                              Figure 1. DC current Gain                                 Figure 2. Collector-Emitter Saturation Voltage

                                                    1.1                                                                                                   10

                      VBE[V], BASE-EMITTER VOLTAGE  1.0                                                                                                        IC MAX. (Pulsed)
                                                                                                                                                               IC MAX. (Continuous)
                                                    0.9                               VIBCE(=sa1t0) IB                  IC[A], COLLECTOR CURRENT                                                           10us
                                                                                                                                                           1                                            100us
                                                    0.8                                    VVBEC(oEn=) 5V                                                                                          1ms
                                                                                                                                                                                         DC
                                                    0.7

                                                    0.6

                                                    0.5

                                                                                                                                                          0.1

                                                    0.4

                                                    0.3                                                                                                                                                        BD139
                                                                                                                                                                                                           BD137
                                                    0.2                                                                                                                                                 BD135

                                                    0.1                                                                                                   0.01                       10                               100
                                                                                                                                                                 1
                                                    1E-3          0.01           0.1                    1          10

                                                                  IC[A], COLLECTOR CURRENT                                                                          VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE

                                                              Figure 3. Base-Emitter Voltage                                                                        Figure 4. Safe Operating Area

                      PC[W], POWER DISSIPATION      20.0
                                                    17.5
                                                    15.0      25        50  75        100               125  150   175
                                                    12.5
                                                    10.0

                                                     7.5
                                                     5.0
                                                     2.5
                                                     0.0

                                                           0

                                                                  TC[oC], CASE TEMPERATURE

                                                              Figure 5. Power Derating

2000 Fairchild Semiconductor International                                                                                                                                                                                Rev. A, February 2000
Package Demensions                                                                                                                                                    BD135/137/139

                               TO-126        3.90 0.10                                                    3.25 0.20

                                                   8.00 0.30

3.20 0.10                                               14.20MAX
                                                                                      11.00 0.20

                                                                                                   (1.00)  (0.50)
                                                                                                           1.75 0.20
                                             0.75 0.10
                                              1.60 0.10  13.06 0.30
                                              0.75 0.10                              16.10 0.20

                 #1                                        2.28TYP                                         0.50  +0.10
2.28TYP                                                  [2.280.20]                                            0.05

[2.280.20]

2000 Fairchild Semiconductor International                                                                      Dimensions in Millimeters

                                                                                                                                               Rev. A, February 2000
TRADEMARKS

The following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is
not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.

ACExTM                                       HiSeCTM             SuperSOTTM-8
                                             ISOPLANARTM         SyncFETTM
BottomlessTM                                 MICROWIRETM         TinyLogicTM
                                             POPTM               UHCTM
CoolFETTM                                    PowerTrench        VCXTM
                                             QFETTM
CROSSVOLTTM                                  QSTM
E2CMOSTM                                     Quiet SeriesTM
                                             SuperSOTTM-3
FACTTM                                       SuperSOTTM-6

FACT Quiet SeriesTM
FAST

FASTrTM

GTOTM

DISCLAIMER

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY
PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY
LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN;
NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.

LIFE SUPPORT POLICY

FAIRCHILD'S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT
DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
INTERNATIONAL.
As used herein:

1. Life support devices or systems are devices or systems        2. A critical component is any component of a life support
which, (a) are intended for surgical implant into the body,      device or system whose failure to perform can be
or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to perform  reasonably expected to cause the failure of the life support
when properly used in accordance with instructions for use       device or system, or to affect its safety or effectiveness.
provided in the labeling, can be reasonably expected to
result in significant injury to the user.

PRODUCT STATUS DEFINITIONS
Definition of Terms

     Datasheet Identification                 Product Status                                    Definition
Advance Information
                                             Formative or In     This datasheet contains the design specifications for
                                             Design              product development. Specifications may change in
                                                                 any manner without notice.
Preliminary                                  First Production
                                                                 This datasheet contains preliminary data, and
No Identification Needed                     Full Production     supplementary data will be published at a later date.
                                                                 Fairchild Semiconductor reserves the right to make
                                                                 changes at any time without notice in order to improve
                                                                 design.

                                                                 This datasheet contains final specifications. Fairchild
                                                                 Semiconductor reserves the right to make changes at
                                                                 any time without notice in order to improve design.

Obsolete                                     Not In Production   This datasheet contains specifications on a product
                                                                 that has been discontinued by Fairchild semiconductor.
                                                                 The datasheet is printed for reference information only.

2000 Fairchild Semiconductor International                                                                                Rev. E
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