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BCY78

器件型号:BCY78
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厂商名称:COMSET
厂商官网:http://comset.halfin.com/
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器件描述

silicon planar epitaxial transistors

BCY78器件文档内容

PNP BCY78 – BCY79

            SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

    The BCY78 and BCY79 are PNP  transistors mounted in TO-18 metal package with the collector

                                     connected to the case .

            They are designed for use in audio drive and low-noise input stages.

                                     Compliance to RoHS.

ABSOLUTE    MAXIMUM RATINGS

    Symbol                           Ratings                                      Value         Unit

VCEO        Collector-Emitter Voltage (IB =0)                 BCY79               -45                V

                                                              BCY78               -32

VCES        Collector-Emitter Voltage (VBE =0)                BCY79               -45                V

                                                              BCY78               -32

VEBO        Emitter-Base Voltage (IC =0)                      BCY79               -5                 V

                                                              BCY78               -5

IC          Collector Current                                 BCY79               -200          mA

                                                              BCY78

IB          Base Current                                      BCY79               -20           mA

                                                              BCY78

PD          Total Power Dissipation            @ Tamb = 25°   BCY79               390           mW

                                                              BCY78

PD          Total Power Dissipation            @ Tcase= 45°   BCY79               1             Watts

                                                              BCY78

TJ          Junction Temperature                              BCY79               200                °C

                                                              BCY78

TStg        Storage Temperature range                         BCY79  -65 to +150                     °C

                                                              BCY78

THERMAL CHARACTERISTICS

    Symbol                           Ratings                                      Value         Unit

RthJ-a      Thermal Resistance, Junction to mounting          BCY79               450           °C/W

            base                                              BCY78

RthJ-c      Thermal Resistance, Junction to ambient in        BCY79               150           °C/W

            free air                                          BCY78

                                 COMSET   SEMICONDUCTORS                                        1/4
PNP BCY78 – BCY79

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Tj=25°C unless otherwise specified

Symbol             Ratings                                Test Condition(s)         Min     Typ      Mx     Unit

ICES      Collector Cutoff Current             VCB =-35 V, VBE =0V           BCY79      -   -        -20    nA

                                               VCB =-25 V, VB =0V            BCY78

                                               VCB =-35 V                    BCY79

ICES      Collector Cutoff Current             VBE =0V,Tj =150°C                        -   -        -10    µA

                                               VCB =-25 V                    BCY78

                                               VBE =0V,Tj =150°C

IEBO      Emitter Cutoff Current               VBE =-4.0 V, IC =0            BCY79      -   -        -20    nA

                                                                             BCY78

VCEO      Collector Emitter Breakdown          IC =-2 mA, IB =0              BCY79    -45   -        -      V

          Voltage                                                            BCY78    -32   -        -

VEBO      Emitter Base Breakdown               IE =-1µA, IC =0               BCY79      -5  -        -      V

          Voltage                                                            BCY78

                                               IC =-10 mA, IB =-0.25 mA      BCY79      -   -0.12    -0.25

VCE(SAT)  Collector-Emitter saturation                                       BCY78

          Voltage                              IC =-100 mA, IB =-2.5 mA      BCY79      -   -04      -08

                                                                             BCY78                          V

                                               IC =-10 mA, I B=-0.25 mA      BCY79  -0.6    -0.7     -0.85

VBE(SAT)  Base-Emitter Saturation                                            BCY78

          Voltage                              IC =-100 mA, IB =-2.5 mA      BCY79  -0.7    -0.85    -1.2

                                                                             BCY78

                                               IC =-10 µA, VCE =-5 V         BCY79      -   -0.55    -

                                                                             BCY78

                                               IC =-2 mA, VCE =-5 V          BCY79  -0.6    -0.65    -0.75

VBE       Base-Emitter Voltage                                               BCY78                          V

                                               IC =-10 mA, VCE =-1 V         BCY79      -   -0.68    -

                                                                             BCY78

                                               IC =-100 mA, VCE =-1 V        BCY79      -   -0.75    -

                                                                             BCY78

                                                                   BCY79VII  BCY79VIII      BCY79IX     BCY79X

                                                                   BCY78VII  BCY78VIII      BCY78IX     BCY78X

                                                                       -     >30            >40             >100

                                    IC =-10 µA, VCE =-5 V          Typ.140   Typ.200        Typ.270       Typ.390

hFE                                                                  >120    >180           >250            >380

          DC Current Gain           IC =-2 mA, VCE =-5 V             <220    <310           <460            <630

                                                                      >80    >120           >160            >240

                                    IC =-10 mA, VCE =-1 V              -     <400           <630            <1000

                                    IC =-100 mA, VCE =-1 V            >40    >45            >60             >60

hfe       Small-Signal              IC =2 mA, VC E=5 V               >125    >175           >250            >350

          Current Gain              f  = 1kHz                        <250    <350           <500            <700

                                       COMSET  SEMICONDUCTORS                                        2/4
PNP BCY78 – BCY79

    Symbol              Ratings                      Test Condition(s)         Min  Typ  Mx   Unit

fT          Transition frequency           IC =-10 mA, VCE =-5 V        BCY79  -    180  -    MHz

                                           f = 100MHz                   BCY78

F           Noise figure , RS=2kΩ          IC =-200 µA, VCE =-5 V       BCY79  -    2    6    db

                                           f = 1kHz, B =200Hz           BCY78

td          Delay time                                                  BCY79  -    35   -

                                                                        BCY78

tr          Rise time                                                   BCY79  -    50   -

                                           ICon =-10 mA                 BCY78

ton         Turn on time                   IBon = -IBoff = -1mA         BCY79  -    85   150

                                           VBB =3.6 V                   BCY78                 ns

ts          Storage time                   R1= R2 = 5kΩ                 BCY79  -    400  -

                                           RL = 990 Ω                   BCY78

tf          Fall time                                                   BCY79  -    80   -

                                                                        BCY78

toff        Turn off time                                               BCY79  -    480  800

                                                                        BCY78

td          Delay time                                                  BCY79  -    5    -

                                                                        BCY78

tr          Rise time                                                   BCY79  -    50   -

                                           ICon =-100 mA                BCY78

ton         Turn on time                   IBon = -IBoff = -10mA        BCY79  -    55   150

                                           VBB =5 V                     BCY78                 ns

ts          Storage time                   R1= 500Ω                     BCY79  -    250  -

                                           R2 = 700Ω                    BCY78

tf          Fall time                      RL = 98 Ω                    BCY79  -    200  -

                                                                        BCY78

toff        Turn off time                                               BCY79  -    450  800

                                                                        BCY78

CC          Collector capacitance          IE = Ie = 0 ,VCB =-10 V      BCY79  -    -    5    pF

                                           f = 1MHz                     BCY78

CE          Emitter capacitance            IC = Ic = 0 ,VEB =-0.5 V     BCY79  -    -    15   pF

                                           f = 1MHz                     BCY78

                                   COMSET  SEMICONDUCTORS                                3/4
PNP BCY78 – BCY79

MECHANICAL DATA CASE         TO-18

   DIMENSIONS

         mm       inches

A        12,7     0,5

B        0,49     0,019

D            5,3  0,208

E            4,9  0,193

F            5,8  0,228

G        2,54     0,1

H            1,2  0,047

I        1,16     0,045

L            45°  45°

Pin 1 :           emitter

Pin 2 :           base

Pin 3 :           Collector

         Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, CS assumes no responsability

                  for the consequences of use of such information nor for errors that could appear.

                             Data are subject to change without notice.

                             COMSET  SEMICONDUCTORS                                                            4/4
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