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BCR12PM-12LD_15

器件型号:BCR12PM-12LD_15
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厂商名称:RENESAS [Renesas Technology Corp]
厂商官网:http://www.renesas.com
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BCR12PM-12LD_15器件文档内容

BCR12PM-12LD                                                       Preliminary Datasheet

600V - 12A - Triac                                                                              R07DS0973EJ0100
                                                                                                               Rev.1.00
Medium Power Use
                                                                                                         Dec 20, 2012
Features
                                                       Tj: 150 C
IT (RMS): 12 A                                        Insulated Type
VDRM: 600 V                                           Planar Passivation Type
IFGTI, IRGTI, IRGT: 50 mA                             UL Recognized: File No. E223904
Viso: 2000 V

Outline

                  RENESAS Package code: PRSS0003AA-A
                  (Package name: TO-220F )

                                                         2               1. T1 Terminal
                                                                         2. T2 Terminal
                                                                 3       3. Gate Terminal
                                                         1
                                12 3

Applications

Heater control, motor control

Maximum Ratings                             Symbol                  Voltage class
                                                                                                                  Unit
                      Parameter               VDRM
Repetitive peak off-state voltageNote1        VDSM                         12
Non-repetitive peak off-state voltageNote1
                                                                    600                           V

                                                                    700                           V

              Parameter         Symbol        Ratings    Unit            Conditions
RMS on-state current             IT (RMS)         12
                                                         A          Commercial frequency, sine full wave
Surge on-state current            ITSM            72
                                                                    360 conduction, Tc = 77C
I2t for fusion                      I2t          21.6
                                                         A          60 Hz sinewave 1 full cycle,
Peak gate power dissipation       PGM              5
Average gate power dissipation   PG (AV)         0.5                peak value, non-repetitive
Peak gate voltage                 VGM             10
Peak gate current                                  2     A2s        Value corresponding to 1 cycle of half
Junction Temperature               IGM      40 to +150
Storage temperature                 Tj      40 to +150             wave 60 Hz, surge on-state current
Mass                              Tstg           2.0
Isolation voltage Note5            --           2000     W
                                   Viso
                                                         W

                                                         V

                                                         A

                                                         C

                                                         C

                                                         g          Typical value

                                                         V          Ta = 25C, AC 1 minute,

                                                                    T1  T2  G terminal to case

R07DS0973EJ0100 Rev.1.00                                                                        Page 1 of 7
Dec 20, 2012
BCR12PM-12LD                                                                                       Preliminary

Electrical Characteristics

Parameter                             Symbol          Rated value       Unit                  Test conditions

                                                 Min. Typ. Max.

Repetitive peak off-state current     IDRM        --  --           2.0  mA Tj = 150C, VDRM applied

On-state voltage                      VTM         --  --           1.8  V               Tc = 25C, ITM = 20A,

                                                                                        instantaneous measurement

Gate trigger voltageNote2             VFGT        --  --           1.5  V               Tj = 25C, VD = 6 V, RL = 6 ,

                                      VRGT        --  --           1.5  V               RG = 330

                                     VRGT         --  --           1.5   V

Gate trigger curentNote2              IFGT        --  --           50   mA Tj = 25C, VD = 6 V, RL = 6 ,
                                                                        mA RG = 330
                                      IRGT        --  --           50

                                      IRGT        --  --           50   mA

Gate non-trigger voltage              VGD        0.2  --           --   V               Tj = 125C, VD = 1/2 VDRM
Thermal resistance
                                      Rth (j-c)   --  --           4.3  C/W Junction to caseNote3

Critical-rate of rise of off-state    (dv/dt)c 10     --           --   V/s Tj = 125C

commutation voltageNote4

Notes: 1. Gate open.

2. Measurement using the gate trigger characteristics measurement circuit.

3. The contact thermal resistance Rth (c-f) in case of greasing is 0.5C /W.
4. Test conditions of the critical-rate of rise of off-state commutation voltage is shown in the table below.

5. Make sure that your finished product containing this device meets your safe isolation requirements.
    For safety, it's advisable that heatsink is electrically floating.

                            Test conditions                        Commutating voltage and current waveforms
                                                                                        (inductive load)
1. Junction temperature
    Tj = 125C                                                           Supply Voltage             Time

2. Rate of decay of on-state commutating current                        Main Current               (di/dt)c
    (di/dt)c = 6 A/ms                                                                                     Time
                                                                        Main Voltage
3. Peak off-state voltage                                                           (dv/dt)c               Time
    VD = 400 V                                                                                             VD

R07DS0973EJ0100 Rev.1.00                                                                                         Page 2 of 7
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BCR12PM-12LD                                                                                                                                                  Preliminary

Main Characteristics                                                                                                                 Rated Surge On-State Current

                       Maximum On-State Characteristics                                                                     100
                    102
On-State Current (A)                                                             Surge On-State Current (A)                 80
                           Tj = 25C

                    101

                                                                                                                            60

                                                                                                                            40

                          100

                                                                                                                            20

                          10-1                                                                                              0
                              0    1                 2        3               4                                             100                  101               102

                                   On-State Voltage (V)                                                                         Conduction Time (Cycles at 60Hz)

                                Gate Characteristics (I, II and III)             Gate Trigger Current (Tj = tC) 100 (%)              Gate Trigger Current vs.
                          102                                                        Gate Trigger Current (Tj = 25C)                    Junction Temperature

Gate Voltage (V)                         VGM = 10 V                                                                         103
                          101                                                                                                                                 Typical Example

                                                                                                                                        IRGT III

                                                              PGM = 5 W

                                   VGT = 1.5 V       PG(AV)                                                                 102
                                                     = 0.5 W                                                                        IFGT I

                                                                 IGM = 2 A

                          100         IFGT I

                                      IRGT I                                                                                                     IRGT I

                                      IRGT III

                          10-1101                       VGD = 0.2 V                                                         101
                                                                                                                              40 0
                                      102               103              104                                                                40 80 120 160

                                   Gate Current (mA)                                                                              Junction Temperature (C)

                                      Gate Trigger Voltage vs.                                                              Maximum Transient Thermal Impedance
                                       Junction Temperature
(%)                                                                                                                             Characteristics (Junction to case)
                          103
                                                             Typical Example     Transient Thermal Impedance (C/W)         102             103          104
                                                                                                                            5
100



tC)                                                                                                                        4
    25C)

=                                                                                                                           3
    =

(Tj                       102
    (Tj

Gate Trigger Voltage                                                                                                        2
    Gate Trigger Voltage
                                                                                                                            1

                          101                                                                                               0
                            40 0                                                                                           10-1            100          101       102
                                                40 80 120 160

                                   Junction Temperature (C)                                                                    Conduction Time (Cycles at 60Hz)

R07DS0973EJ0100 Rev.1.00                                                                                                                                      Page 3 of 7
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                  Maximum Transient Thermal ImpedanceTransient Thermal Impedance (C/W)On-State Power Dissipation (W)                               Maximum On-State Power Dissipation
                     Characteristics (Junction to ambient)
                                                                                                                                                  20
                   103
                                                                  No Fins                                                                         16
                                                                                                                                                       360 Conduction
                   102                                                                                                                                 Resistive,

                                    101                                                                                                           12 inductive loads

                                    100                                                                                                            8

                                    10-11 01  102  103      104                   105                                                              4

                                         Conduction Time (Cycles at 60Hz)                                                                          0
                                                                                                                                                     0 2 4 6 8 10 12 14 16

                                                                                                                                                           RMS On-State Current (A)

                                         Allowable Case Temperature vs.                                                                                Allowable Ambient Temperature vs.
                                               RMS On-State Current                                                                                            RMS On-State Current

                                    160                                                                                                           160
                                                              Curves apply regardless                                                                                      All fins are black painted

                                    140            of conduction angle                 Ambient Temperature (C)                                   140      aluminum and greased

Case Temperature (C)               120                                                                                                           120      120 120 t2.3

                                    100                                                                                                           100                       100 100 t2.3

                                    80                                                                                                            80                        60 60 t2.3

                                    60                                                                                                            60 Curves apply

                                    40                      10 12 14 16                                                                                 regardless of       10 12 14 16
                                          360 Conduction
                                                                                                                                                  40 conduction angle
                                    20 Resistive,
                                                                                                                                                        Resistive,
                                          inductive loads
                                     0                                                                                                            20 inductive loads

                                       02468                                                                                                            Natural convection

                                                                                                                                                   0
                                                                                                                                                     02468

                                              RMS On-State Current (A)                                                                                 RMS On-State Current (A)

                                         Allowable Ambient Temperature vs.             Repetitive Peak Off-State Current (Tj = tC)                   Repetitive Peak Off-State Current vs.
                                                 RMS On-State Current                    Repetitive Peak Off-State Current (Tj = 25C) 100 (%)                Junction Temperature

                                    160                                                                                                           106
                                                              Natural convection                                                                           Typical Example

Ambient Temperature (C)            140            No Fins                                                                                        105

                                                   Curves apply regardless

                                    120            of conduction angle

                                                   Resistive, inductive loads

                                    100

                                    80                                                                                                            104

                                    60

                                    40                                                                                                            103

                                    20

                                    0                                                                                                             102      40 80 120 160
                                     0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0                                                                                      40 0

                                              RMS On-State Current (A)                                                                                 Junction Temperature (C)

R07DS0973EJ0100 Rev.1.00                                                                                                                                                          Page 4 of 7
Dec 20, 2012
BCR12PM-12LDHolding Current (Tj = tC)                                                                  Latching Current (mA)                                                       Preliminary
  Holding Current (Tj = 25C) 100 (%)
                                 Holding Current vs.                                                                                                       Latching Current vs.
                               Junction Temperature                                                                                                       Junction Temperature

                    103                                                                                                                     103
                                                       Typical Example                                                                                      Distribution T2+, G
                                                                                                                                                                               Typical Example
                    102
                                                                                                                                            102

                                                                                                                                            101 T2+, G+
                                                                                                                                                    Typical Example T2, G

                                                                                                                                                                            Typical Example

                                              101      40 80 120 160                                                                        100                    40 80 120 160
                                                -40 0                                                                                          40 0

                                                   Junction Temperature (C)                                                                     Junction Temperature (C)

                                                   Breakover Voltage vs.                                 100 (%)                                         Breakover Voltage vs.
                                                   Junction Temperature                                                                     Rate of Rise of Off-State Voltage (Tj = 125C)

(%)                                           160                                                                                           160
                                                                                  Typical Example
100                                                                                                                                                                            Typical Example
                                              140
                                                                                                                                           140                                Tj = 125C

tC)                                          120                                                       (dv/dt = xV/s)                      120
    25C)                                                                                                   (dv/dt = 1V/s)                                                         III Quadrant
                                              100
=                                                                                                                                           100
    =

(Tj                                           80                                                                                            80
    (Tj

Breakover Voltage                             60                                                        Breakover Voltage                   60                                 I Quadrant
    Breakover Voltage                                                                                       Breakover Voltage
                                              40                                                                                            40

                                              20                                                                                            20

                                              0                                                                                             0
                                              -40 0    40 80 120 160                                                                        101               102              103               104

                                                   Junction Temperature (C)                                                                Rate of Rise of Off-State Voltage (V/s)

Breakover Voltage (dv/dt = xV/s)                            Breakover Voltage vs.                                                           Commutation Characteristics (Tj=125C)
  Breakover Voltage (dv/dt = 1V/s) 100 (%)  Rate of Rise of Off-State Voltage (Tj = 150C)

                                              160                                                                                           102
                                                                                                                                                   Typical Example
                                                            Typical Example                             Critical Rate of Rise of Off-State         Tj = 125C
                                                                                                           Commutating Voltage (V/s)               IT = 4A
                                              140           Tj = 150C                                                                              = 500s
                                                                                                                                                   VD = 200V
                                              120                                                                                                  f = 3Hz                        III Quadrant
                                                                                     III Quadrant                                                                              I Quadrant
                                                                                                                                            101 Minimum
                                              100                                                                                                      Value

                                              80

                                              60

                                                            I Quadrant                                                                           Main              Time

                                              40                                                                                                 Voltage (dv/dt)c        VD

                                              20                                                                                                 Main     IT         (di/dt)c
                                                                                                                                                 Current           Time
                                                                                                                                                              

                                              0                                                                                             100
                                              101      102  103                                    104                                      100                     101                          102

                                              Rate of Rise of Off-State Voltage (V/s)                                                              Rate of Decay of On-State
                                                                                                                                                 Commutating Current (A/ms)

R07DS0973EJ0100 Rev.1.00                                                                                                                                                                   Page 5 of 7
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Commutation Characteristics (Tj=150C)                                                                                      Gate Trigger Current vs.
                                                                                                                            Gate Current Pulse Width

102                                                                                                                    103
        Typical Example
Critical Rate of Rise of Off-State                                                                                                     IRGT III       Typical Example
   Commutating Voltage (V/s)
              Tj = 150C
                                                                                Gate Trigger Current (tw)
                                                                                  Gate Trigger Current (DC) 100 (%)IT = 4A           IRGT I

               = 500s                        III Quadrant
              VD = 200V

              f = 3Hz

101                          I Quadrant                                                                                102
                                                                                                                               IFGT I

     Main                    Time

     Voltage (dv/dt)c              VD

     Main              IT      (di/dt)c
     Current                 Time
                           

100                                                                                                                    101
    100                            101                     102                                                         100                       101      102

                Rate of Decay of On-State                                                                                   Gate Current Pulse Width (s)
              Commutating Current (A/ms)

Gate Trigger Characteristics Test Circuits

6                                        6

6V               A                       6V     A

              V              330             V             330

Test Procedure I                         Test Procedure II
6

6V               A

              V              330

Test Procedure III

R07DS0973EJ0100 Rev.1.00                                                                                                                              Page 6 of 7
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Package Dimensions                                                                                                              Unit: mm

Package Name  JEITA Package Code  RENESAS Code         Previous Code             MASS[Typ.]
    TO-220F              SC-67    PRSS0003AA-A              T220F                     2.0g

                                            10.5Max

                                                  5.2                                 2.8

                                  17                               1.2
                                       5.0                              8.5
                                                                            4.5
                                  13.5Min                 3.2 0.2
                                      3.6              1.3Max
                                                       0.8

                                            2.54       2.54                      0.5       2.6

Ordering Information

Orderable Part Number                             Packing                             Quantity                     Remark

BCR12PM-12LD#B00                            Bag                                       100 pcs.      Straight type
                                                                                                    A8 Lead form
BCR12PM-12LDA8#B00                          Tube                                           50 pcs.

Note: Please confirm the specification about the shipping in detail.

R07DS0973EJ0100 Rev.1.00                                                                                                   Page 7 of 7
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                                                        Notice

1. Descriptions of circuits, software and other related information in this document are provided only to illustrate the operation of semiconductor products and application examples. You are fully responsible for
      the incorporation of these circuits, software, and information in the design of your equipment. Renesas Electronics assumes no responsibility for any losses incurred by you or third parties arising from the
      use of these circuits, software, or information.

2. Renesas Electronics has used reasonable care in preparing the information included in this document, but Renesas Electronics does not warrant that such information is error free. Renesas Electronics
      assumes no liability whatsoever for any damages incurred by you resulting from errors in or omissions from the information included herein.

3. Renesas Electronics does not assume any liability for infringement of patents, copyrights, or other intellectual property rights of third parties by or arising from the use of Renesas Electronics products or
      technical information described in this document. No license, express, implied or otherwise, is granted hereby under any patents, copyrights or other intellectual property rights of Renesas Electronics or
      others.

4. You should not alter, modify, copy, or otherwise misappropriate any Renesas Electronics product, whether in whole or in part. Renesas Electronics assumes no responsibility for any losses incurred by you or
      third parties arising from such alteration, modification, copy or otherwise misappropriation of Renesas Electronics product.

5. Renesas Electronics products are classified according to the following two quality grades: "Standard" and "High Quality". The recommended applications for each Renesas Electronics product depends on
      the product's quality grade, as indicated below.
      "Standard": Computers; office equipment; communications equipment; test and measurement equipment; audio and visual equipment; home electronic appliances; machine tools; personal electronic
      equipment; and industrial robots etc.
      "High Quality": Transportation equipment (automobiles, trains, ships, etc.); traffic control systems; anti-disaster systems; anti-crime systems; and safety equipment etc.
      Renesas Electronics products are neither intended nor authorized for use in products or systems that may pose a direct threat to human life or bodily injury (artificial life support devices or systems, surgical
      implantations etc.), or may cause serious property damages (nuclear reactor control systems, military equipment etc.). You must check the quality grade of each Renesas Electronics product before using it
      in a particular application. You may not use any Renesas Electronics product for any application for which it is not intended. Renesas Electronics shall not be in any way liable for any damages or losses
      incurred by you or third parties arising from the use of any Renesas Electronics product for which the product is not intended by Renesas Electronics.

6. You should use the Renesas Electronics products described in this document within the range specified by Renesas Electronics, especially with respect to the maximum rating, operating supply voltage
      range, movement power voltage range, heat radiation characteristics, installation and other product characteristics. Renesas Electronics shall have no liability for malfunctions or damages arising out of the
      use of Renesas Electronics products beyond such specified ranges.

7. Although Renesas Electronics endeavors to improve the quality and reliability of its products, semiconductor products have specific characteristics such as the occurrence of failure at a certain rate and
      malfunctions under certain use conditions. Further, Renesas Electronics products are not subject to radiation resistance design. Please be sure to implement safety measures to guard them against the
      possibility of physical injury, and injury or damage caused by fire in the event of the failure of a Renesas Electronics product, such as safety design for hardware and software including but not limited to
      redundancy, fire control and malfunction prevention, appropriate treatment for aging degradation or any other appropriate measures. Because the evaluation of microcomputer software alone is very difficult,
      please evaluate the safety of the final products or systems manufactured by you.

8. Please contact a Renesas Electronics sales office for details as to environmental matters such as the environmental compatibility of each Renesas Electronics product. Please use Renesas Electronics
      products in compliance with all applicable laws and regulations that regulate the inclusion or use of controlled substances, including without limitation, the EU RoHS Directive. Renesas Electronics assumes
      no liability for damages or losses occurring as a result of your noncompliance with applicable laws and regulations.

9. Renesas Electronics products and technology may not be used for or incorporated into any products or systems whose manufacture, use, or sale is prohibited under any applicable domestic or foreign laws or
      regulations. You should not use Renesas Electronics products or technology described in this document for any purpose relating to military applications or use by the military, including but not limited to the
      development of weapons of mass destruction. When exporting the Renesas Electronics products or technology described in this document, you should comply with the applicable export control laws and
      regulations and follow the procedures required by such laws and regulations.

10. It is the responsibility of the buyer or distributor of Renesas Electronics products, who distributes, disposes of, or otherwise places the product with a third party, to notify such third party in advance of the
      contents and conditions set forth in this document, Renesas Electronics assumes no responsibility for any losses incurred by you or third parties as a result of unauthorized use of Renesas Electronics
      products.

11. This document may not be reproduced or duplicated in any form, in whole or in part, without prior written consent of Renesas Electronics.
12. Please contact a Renesas Electronics sales office if you have any questions regarding the information contained in this document or Renesas Electronics products, or if you have any other inquiries.
(Note 1) "Renesas Electronics" as used in this document means Renesas Electronics Corporation and also includes its majority-owned subsidiaries.
(Note 2) "Renesas Electronics product(s)" means any product developed or manufactured by or for Renesas Electronics.

SALES OFFICES                                                                                                                            http://www.renesas.com

Refer to "http://www.renesas.com/" for the latest and detailed information.

Renesas Electronics America Inc.
2880 Scott Boulevard Santa Clara, CA 95050-2554, U.S.A.
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Renesas Electronics Canada Limited
1101 Nicholson Road, Newmarket, Ontario L3Y 9C3, Canada
Tel: +1-905-898-5441, Fax: +1-905-898-3220

Renesas Electronics Europe Limited
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Tel: +44-1628-651-700, Fax: +44-1628-651-804

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7th Floor, Quantum Plaza, No.27 ZhiChunLu Haidian District, Beijing 100083, P.R.China
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Renesas Electronics (Shanghai) Co., Ltd.
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Renesas Electronics Hong Kong Limited
Unit 1601-1613, 16/F., Tower 2, Grand Century Place, 193 Prince Edward Road West, Mongkok, Kowloon, Hong Kong
Tel: +852-2886-9318, Fax: +852 2886-9022/9044

Renesas Electronics Taiwan Co., Ltd.
13F, No. 363, Fu Shing North Road, Taipei, Taiwan
Tel: +886-2-8175-9600, Fax: +886 2-8175-9670

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80 Bendemeer Road, Unit #06-02 Hyflux Innovation Centre Singapore 339949
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Renesas Electronics Malaysia Sdn.Bhd.
Unit 906, Block B, Menara Amcorp, Amcorp Trade Centre, No. 18, Jln Persiaran Barat, 46050 Petaling Jaya, Selangor Darul Ehsan, Malaysia
Tel: +60-3-7955-9390, Fax: +60-3-7955-9510

Renesas Electronics Korea Co., Ltd.
11F., Samik Lavied' or Bldg., 720-2 Yeoksam-Dong, Kangnam-Ku, Seoul 135-080, Korea
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