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BC640PNP

器件型号:BC640PNP
器件类别:分立半导体   
厂商名称:CDIL
厂商官网:http://www.cdilsemi.com
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器件描述

BC640PNP器件文档内容

Continental Device India Limited                                                     BC635, 637, 639 NPN
                                                                                     BC636, 638, 640 PNP
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
                                                                                     TO-92
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS                                                 Plastic Package

                                                                                     For Lead Free Parts, Device Part #
                                                                                     will be Prefixed with "T"

             ECB

High Current Transistor

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)

DESCRIPTION                          SYMBOL       BC635        BC637           BC639        UNIT
                                                  BC636        BC638           BC640          V
Collector Emitter Voltage             VCEO                                                    V
                                      VCBO           45           60              80          V
Collector Base Voltage                VEBO           45           60              80          A
Emitter Base Voltage
Collector Current Continuous            IC                         5.0                       mW
Total Device Dissipation at Ta=25C    PD                          1.0                     mW/C
Derate Above 25C                                                  800
Total Device Dissipation at Ta=25C   **PD                         6.4                        W
Total Device Dissipation at Tc=25C    PD                          1.0                        W
Derate Above 25C                                                  2.75                    mW/C
Operating And Storage Junction       Tj, Tstg                       22
Temperature Range                                                                              C
                                                              - 55 to +150
                                                                                            C/W
THERMAL RESISTANCE                    Rth (j-c)                            45               C/W
Junction to Case                      Rth (j-a)                           156               C/W
Junction to Ambient in free air      **Rth (j-a)                          125
Junction to Ambient

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25C unless specified otherwise)

DESCRIPTION                          SYMBOL       TEST CONDITION               MIN   MAX   UNIT

Collector Emitter Voltage            VCEO                  IC=1mA, IB=0               0.1    V
                                                                    BC635/BC636 45    10     V
                                                                                      1.0    V
                                                              BC637/BC638 60          0.5
                                                                                             V
                                                              BC639/BC640 80                 V
                                                                                             V
Collector Base Voltage               VCBO                  IC=100A, IE=0                    V
                                                                     BC635/BC636 45         A
                                                                                            A
                                                              BC637/BC638 60                 V

                                                              BC639/BC640 80                 V

Emitter Base Voltage                 VEBO                  IE=10A, IC=0       5.0

Collector Cut Off Current            ICBO                  VCB=30V, IE=0

                                                  VCB=30V, IE=0, Ta=125C

Base Emitter (On) Voltage            *VBE (on)    IC=500mA, VCE=2V

Collector Emitter Saturation Voltage *VCE (sat)   IC=500mA, IB=50mA

*Pulse Test: Pulse Width < 300s, Duty Cycle 2%
**Transistors mounted on printed circuit board, max Lead Length 4mm, mounting pad for collector lead min

  10mm x 10 mm

BC635_BC640Rev_4 030106E

Continental Device India Limited                  Data Sheet                               Page 1 of 5
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS                                         BC635, 637, 639 NPN
                                                                             BC636, 638, 640 PNP
                     ECB
                                                                             TO-92
                                                                             Plastic Package

                                                                             For Lead Free Parts, Device Part #
                                                                             will be Prefixed with "T"

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25C unless specified otherwise)

DESCRIPTION                       SYMBOL         TEST CONDITION         MIN MAX        UNIT
                                                                         25
DC Current Gain                   *hFE           VCE=2V, IC=5mA                        UNIT
                                                                                       MHz
                                                 VCE=2V, IC=150mA                      MHz
                                                                                        pF
                                                             BC635/BC636 40       250   pF
                                                                                        pF
                                                             BC637/BC638 40       160   pF

                                                             BC639/BC640 40       160

                                                             Group-10 63          160

                                                             Group-16 100 250

                                                 VCE=2V, IC=500mA       25

DYNAMIC CHARACTERISTICS           SYMBOL         TEST CONDITION              TYP
DESCRIPTION
Transistors Frequency             fT IC=50mA, VCE=2V, f=100MHz               200
                                                                             150
Output Capacitance                                                 NPN
                                                                   PNP         7
Input Capacitance                                                              9
                                  Cob            IE=0, VCB=10V, f=1MHz
                                                                              50
                                                                   NPN       110

                                                                   PNP

                                  Cib            VBE=0.5V, f=1MHz

                                                                   NPN

                                                                   PNP

*Pulse Test: Pulse Width < 300s, Duty Cycle 2%

BC635_BC640Rev_4 030106E

Continental Device India Limited                 Data Sheet                            Page 2 of 5
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS                                                        BC635, 637, 639 NPN
                                                                                            BC636, 638, 640 PNP
                                                       TO-92 Leaded Plastic Package
                                                                                            TO-92
                                                                                            Plastic Package

                                                                                              For Lead Free Parts, Device Part #
                                                                                               will be Prefixed with "T"

                                                             Pin 1: Cathode
                                                             Pin 3: Anode

DIM                                          Min       Max                           DIM    Min        Max

A                                            4.32      5.33                          G      1.14       1.40

B                                            4.45      5.20                          H      1.20       1.80

C                                            3.18      4.19                          K      12.5

D                                            0.40      0.55                          L      1.982      2.082

E                                            0.30      0.55                          M      1.03       1.53

F                                                  5

All Dimensions are in mm

                                                                                     Pin 1  Base
                                                                                     Pin 2  Collector
                                                                                     Pin 3  Emitter

BC635_BC640Rev_4 030196E                                     Data Sheet              2N5551            Page 3 of 5
           Continental Device India Limited                                                TO-92

                                                                                            Plastic Package
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS                                               BC635, 637, 639 NPN
                                                                                   BC636, 638, 640 PNP
                                                    TO-92 Tape and Ammo Packaging
                                                                                   TO-92
                                                                                   Plastic Package

                                                                                     For Lead Free Parts, Device Part #
                                                                                      will be Prefixed with "T"

All Dimensions are in mm

                                   Tape Specifications

All Dimensions are in mm           Data Sheet                                      Page 4 of 5
BC635_BC640Rev_4 030106E
Continental Device India Limited
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS                                                        BC635, 637, 639 NPN
                                                                                            BC636, 638, 640 PNP
Packaging Information
                                                                                            TO-92
                                                                                             Plastic Package

                                                                                                For Lead Free Parts, Device Part #
                                                                                                will be Prefixed with "T"

T & A: Tape and Ammo Pack; T & R: Tape and Red; Bulk: Loose in Poly bags; Tube: Tube and Ammo Pack; k: 1.000

Package/Case                     Std. Packing            Inner Carton                                  Outer Carton
      Type
              Packaging Type      Qty          Qty       Size L x W x H Gross Weight Qty Size L x W x H Gross Weight

                                                         (cm)                     (Kg)                 (cm)          (Kg)

TO-92                   Bulk      1,000        5K        19x19x8                  1.10      80K 43x40x35             20.0

                        T&A       2,000        2K        32x4.5x20                0.70      40K 43x40x35             15.20

Component Disposal Instructions

1. CDIL Semiconductor Devices are RoHS compliant, customers are requested to please dispose
   as per prevailing Environmental Legislation of their Country.

2. In Europe, please dispose as per EU Directive 2002/96/EC on Waste Electrical and Electronic Equipment (WEEE).

Customer Notes

                                                                     Disclaimer

The product information and the selection guides facilitate selection of the CDIL's Semiconductor Device(s) best suited for application in
your product(s) as per your requirement. It is recommended that you completely review our Data Sheet(s) so as to confirm that the
Device(s) meet functionality parameters for your application. The information furnished in the Data Sheet and on the CDIL Web Site/CD
are believed to be accurate and reliable. CDIL however, does not assume responsibility for inaccuracies or incomplete information.
Furthermore, CDIL does not assume liability whatsoever, arising out of the application or use of any CDIL product; neither does it convey
any license under its patent rights nor rights of others. These products are not designed for use in life saving/support appliances or
systems. CDIL customers selling these products (either as individual Semiconductor Devices or incorporated in their end products), in any
life saving/support appliances or systems or applications do so at their own risk and CDIL will not be responsible for any damages
resulting from such sale(s).CDIL strives for continuous improvement and reserves the right to change the specifications of its products
without prior notice.

                                               CDIL is a registered Trademark of

                                               Continental Device India Limited

                                  C-120 Naraina Industrial Area, New Delhi 110 028, India.

                              Telephone + 91-11-2579 6150, 4141 1112 Fax + 91-11-2579 5290, 4141 1119

BC635_640Rev_4 030106E                   email@cdil.com  www.cdilsemi.com

Continental Device India Limited                    Data Sheet                                                Page 5 of 5
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