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BC548

器件型号:BC548
厂商名称:Fairchild [Fairchild Semiconductor]
厂商官网:http://www.fairchildsemi.com/
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BC548器件文档内容

                                                                   Discrete POWER & Signal                                                            BC548 / BC548A / BC548B / BC548C
                                                                             Technologies

                BC548
                BC548A
                BC548B
                BC548C

          E                                 TO-92
            BC

NPN General Purpose Amplifier

This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from
Process 10. See PN100A for characteristics.

Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise noted

Symbol                                      Parameter              Value                                                              Units

VCEO      Collector-Emitter Voltage                                     30                                                               V
VCES      Collector-Base Voltage                                        30                                                               V
VEBO      Emitter-Base Voltage                                          5.0                                                              V
IC        Collector Current - Continuous                                500                                                             mA
TJ, Tstg  Operating and Storage Junction Temperature Range         -55 to +150                                                           C

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.                        Units

    NOTES:                                                                                                                              mW
    1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.                                                    mW /C
    2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.    C/W
                                                                                                                                        C/W
    Thermal Characteristics TA = 25C unless otherwise noted

Symbol                                      Characteristic               Max

PD        Total Device Dissipation                                 BC548 / A / B / C
                                                                            625
          Derate above 25C                                                 5.0
                                                                           83.3
RJC       Thermal Resistance, Junction to Case
                                                                            200
RJA       Thermal Resistance, Junction to Ambient

1997 Fairchild Semiconductor Corporation                                                                                            548-ABC, Rev B
                                                                    NPN General Purpose Amplifier                                    BC548 / BC548A / BC548B / BC548C

                                                                                                                        (continued)

Electrical Characteristics                  TA = 25C unless otherwise noted

Symbol    Parameter                                   Test Conditions             Min Max Units

OFF CHARACTERISTICS

V(BR)CEO  Collector-Emitter Breakdown Voltage IC = 10 mA, IB = 0                  30          V

V(BR)CBO  Collector-Base Breakdown Voltage      IC = 10 A, IE = 0                30          V

V(BR)CES  Collector-Base Breakdown Voltage      IC = 10 A, IE = 0                30          V

V(BR)EBO  Emitter-Base Breakdown Voltage        IE = 10 A, IC = 0                5.0         V

ICBO      Collector Cutoff Current              VCB = 30 V, IE = 0                      15    nA
                                                VCB = 30 V, IE = 0, TA = +150 C
                                                                                        5.0   A

ON CHARACTERISTICS

hFE       DC Current Gain                       VCE = 5.0 V, IC = 2.0 mA 548      110   800

                                                                           548A 110     220

                                                                           548B 200     450

                                                                           548C 420     800

VCE(sat)  Collector-Emitter Saturation Voltage  IC = 10 mA, IB = 0.5 mA                 0.25  V
                                                IC = 100 mA, IB = 5.0 mA
                                                                                        0.60  V

VBE(on)   Base-Emitter On Voltage               VCE = 5.0 V, IC = 2.0 mA          0.58  0.70  V
                                                VCE = 5.0 V, IC = 10 mA
                                                                                        0.77  V

SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS

hfe       Small-Signal Current Gain             IC = 2.0 mA, VCE = 5.0 V,         125   900
                                                f = 1.0 kHz
NF        Noise Figure                                                                  10    dB
                                                VCE = 5.0 V, IC = 200 A,
                                                RS = 2.0 k, f = 1.0 kHz,
                                                BW = 200 Hz
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