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BAT54S

器件型号:BAT54S
器件类别:二极管   
厂商名称:Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
厂商官网:https://www.nxp.com/
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器件描述

0.2 A, 30 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

参数

BAT54S端子数量 3
BAT54S元件数量 2
BAT54S加工封装描述 SOT-23, 3 PIN
BAT54S无铅 Yes
BAT54S欧盟RoHS规范 Yes
BAT54S状态 DISCONTINUED
BAT54S包装形状 矩形的
BAT54S包装尺寸 SMALL OUTLINE
BAT54S表面贴装 Yes
BAT54S端子形式 GULL WING
BAT54S端子涂层 NOT SPECIFIED
BAT54S端子位置
BAT54S包装材料 塑料/环氧树脂
BAT54S工艺 SCHOTTKY
BAT54S结构 系列 CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
BAT54S二极管元件材料
BAT54S最大功耗极限 0.2000 W
BAT54S二极管类型 信号二极管
BAT54S最大重复峰值反向电压 30 V
BAT54S最大平均正向电流 0.2000 A

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BAT54S器件文档内容

                          DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

ook, halfpage

                                                                                       M3D088

BAT54 series
Schottky barrier (double) diodes

Product specification                                                                          2002 Mar 04
Supersedes data of 2001 Oct 12
Philips Semiconductors                                                                               Product specification

  Schottky barrier (double) diodes                                                                   BAT54 series

FEATURES                                                   PINNING
Low forward voltage
Guard ring protected                                                                   DESCRIPTION
Small plastic SMD package.                               PIN

APPLICATIONS                                                           BAT54 BAT54A BAT54C BAT54S
Ultra high-speed switching
Voltage clamping                                         1a          k1                               a1         a1
Protection circuits                                      2 n.c.      k2                               a2         k2
Blocking diodes.                                         3k          a1, a2                           k1, k2     k1, a2

                                                                    handbook, 2 columns           3

DESCRIPTION                                                                                    1        2

Planar Schottky barrier diodes encapsulated in a SOT23
small plastic SMD package. Single diodes and double
diodes with different pinning are available.

                                                                       Top view                         MGC421

MARKING                                                    Fig.1 Simplified outline (SOT23) and pin
                                                                     configuration.
      TYPE NUMBER              MARKING CODE(1)
BAT54                                                               3                                           3
BAT54A                                   L4
BAT54C                               L42 or V3             1                  2                      1             2
BAT54S                              L43 or W1              (1) BAT54        n.c.
                                     L44 or V4
                                                                       MLC357
Note                                                                                                                             MLC360

1.  = p : Made in Hong Kong.                                                                         (2) BAT54A
      = t : Made in Malaysia.
      = W: Made in China.

                                                                    3                                           3

                                                           1                     2                   1             2

                                                                                       MLC359                                    MLC358

                                                           (3) BAT54C                                (4) BAT54S

                                                                    Fig.2 Diode configuration and symbol.

2002 Mar 04                                             2
Philips Semiconductors                                                                 Product specification

  Schottky barrier (double) diodes                                                   BAT54 series

LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

SYMBOL       PARAMETER                               CONDITIONS                    MIN. MAX. UNIT

Per diode

VR           continuous reverse voltage                                      -             30      V

IF           continuous forward current                                      -             200 mA

IFRM         repetitive peak forward current      tp  1 s;   0.5             -             300 mA
                                                  tp < 10 ms
IFSM         non-repetitive peak forward current                             -             600 mA
                                                  Tamb  25 C
Tstg         storage temperature                                             -65 +150 C

Tj           junction temperature                                            -             125 C

Per device

Ptot         total power dissipation                                         -             230 mW

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL                        PARAMETER                      CONDITIONS           VALUE           UNIT
Rth j-a                                           note 1                             500           K/W
             thermal resistance from junction to
             ambient

Note
1. Refer to SOT23 standard mounting conditions.

CHARACTERISTICS
Tamb = 25 C unless otherwise specified.

SYMBOL       PARAMETER                               CONDITIONS                      MAX.          UNIT

Per diode

VF           forward voltage                      see Fig.3

                                                     IF = 0.1 mA             240               mV

                                                     IF = 1 mA               320               mV

                                                     IF = 10 mA              400               mV

                                                     IF = 30 mA              500               mV

                                                     IF = 100 mA             800               mV

IR           reverse current                      VR = 25 V; see Fig.4       2                 A

trr          reverse recovery time                when switched from IF = 10 mA 5              ns

                                                  to IR = 10 mA; RL = 100 ;

                                                  measured at IR = 1 mA;

                                                  see Fig.6

Cd           diode capacitance                    f = 1 MHz; VR = 1 V; see Fig.5 10            pF

2002 Mar 04                                       3
Philips Semiconductors                                                                              Product specification

  Schottky barrier (double) diodes                                                                BAT54 series

                                        MSA892            10 3                                        MSA893
                                                        IR                                        (1)
handboo1k,0h3alfpage       (1) (2) (3)                  (A)
      IF                                                                                          (2)
                                                          10 2
    (mA)
                                                            10
         10 2

10                                                          1                                     (3)

        (1) (2) (3)

1

10 1                  0.4  0.8          VF (V)  1.2         10 1                          10      20 VR (V) 30
       0                                                           0

(1) Tamb = 125 C.                                      (1) Tamb = 125 C.
(2) Tamb = 85 C.                                       (2) Tamb = 85 C.
(3) Tamb = 25 C.                                       (3) Tamb = 25 C.

Fig.3 Forward current as a function of forward          Fig.4 Reverse current as a function of reverse
          voltage; typical values.                                voltage; typical values.

           15                           MSA891

handbook, halfpage                                      handbIFook, halfpage

          Cd                                                                    dI F
         (pF)                                                                    dt

            10

5                                                                                     Qr                10% t
                                                                                                        90%
                                                        IR                                    tf
                                                                                                       MRC129 - 1

0  0                  10   20           VR (V) 30

f = 1 MHz; Tamb = 25 C.                                              Fig.6 Reverse recovery definitions.

Fig.5 Diode capacitance as a function of reverse
          voltage; typical values.

2002 Mar 04                                          4
Philips Semiconductors                                                                                          Product specification

  Schottky barrier (double) diodes                                                                            BAT54 series

PACKAGE OUTLINE                                                                                                                   SOT23
Plastic surface mounted package; 3 leads

                                          D                         B                            E         A                         X

                                                                                                 HE                                     vM A

                                             3

                                                                                    A                                   Q
                                                                                         A1
                                                                                                                                  c
                     1                                      2                                                        Lp
                                                                                                    detail X
                                 e1          bp                     wM B

                                          e

                                                            0             1             2 mm

                                                                        scale

DIMENSIONS (mm are the original dimensions)

UNIT  A               A1   bp        c       D    E            e    e1         HE   Lp        Q  v    w
                     max.

mm    1.1            0.1   0.48     0.15     3.0  1.4          1.9  0.95       2.5  0.45 0.55    0.2  0.1
      0.9                  0.38     0.09     2.8  1.2                          2.1  0.15 0.45

            OUTLINE                                    REFERENCES                                      EUROPEAN                         ISSUE DATE
            VERSION                                                                                   PROJECTION
                               IEC                JEDEC                 EIAJ                                                               97-02-28
              SOT23                                                                                                                        99-09-13
                                                  TO-236AB
2002 Mar 04
                                                                          5
Philips Semiconductors                                              Product specification

  Schottky barrier (double) diodes                                BAT54 series

DATA SHEET STATUS

DATA SHEET STATUS(1)  PRODUCT                                               DEFINITIONS
                      STATUS(2)
                                     This data sheet contains data from the objective specification for product
Objective data        Development    development. Philips Semiconductors reserves the right to change the
                                     specification in any manner without notice.
Preliminary data      Qualification
                                     This data sheet contains data from the preliminary specification.
Product data          Production     Supplementary data will be published at a later date. Philips
                                     Semiconductors reserves the right to change the specification without
                                     notice, in order to improve the design and supply the best possible
                                     product.

                                     This data sheet contains data from the product specification. Philips
                                     Semiconductors reserves the right to make changes at any time in order
                                     to improve the design, manufacturing and supply. Changes will be
                                     communicated according to the Customer Product/Process Change
                                     Notification (CPCN) procedure SNW-SQ-650A.

Notes
1. Please consult the most recently issued data sheet before initiating or completing a design.
2. The product status of the device(s) described in this data sheet may have changed since this data sheet was

     published. The latest information is available on the Internet at URL http://www.semiconductors.philips.com.

DEFINITIONS                                                       DISCLAIMERS

Short-form specification  The data in a short-form                Life support applications  These products are not
specification is extracted from a full data sheet with the        designed for use in life support appliances, devices, or
same type number and title. For detailed information see          systems where malfunction of these products can
the relevant data sheet or data handbook.                         reasonably be expected to result in personal injury. Philips
                                                                  Semiconductors customers using or selling these products
Limiting values definition  Limiting values given are in          for use in such applications do so at their own risk and
accordance with the Absolute Maximum Rating System                agree to fully indemnify Philips Semiconductors for any
(IEC 60134). Stress above one or more of the limiting             damages resulting from such application.
values may cause permanent damage to the device.
These are stress ratings only and operation of the device         Right to make changes  Philips Semiconductors
at these or at any other conditions above those given in the      reserves the right to make changes, without notice, in the
Characteristics sections of the specification is not implied.     products, including circuits, standard cells, and/or
Exposure to limiting values for extended periods may              software, described or contained herein in order to
affect device reliability.                                        improve design and/or performance. Philips
                                                                  Semiconductors assumes no responsibility or liability for
Application information  Applications that are                    the use of any of these products, conveys no licence or title
described herein for any of these products are for                under any patent, copyright, or mask work right to these
illustrative purposes only. Philips Semiconductors make           products, and makes no representations or warranties that
no representation or warranty that such applications will be      these products are free from patent, copyright, or mask
suitable for the specified use without further testing or         work right infringement, unless otherwise specified.
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2002 Mar 04                                                    6
Philips Semiconductors                                                             Product specification

  Schottky barrier (double) diodes                                               BAT54 series

                                                                          NOTES

2002 Mar 04  7
Philips Semiconductors a worldwide company

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For additional information please visit http://www.semiconductors.philips.com. Fax: +31 40 27 24825
For sales offices addresses send e-mail to: sales.addresses@www.semiconductors.philips.com.

Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002                                SCA74

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