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BAS70-04

器件型号:BAS70-04
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:SEMTECH_ELEC
厂商官网:http://www.semtech.net.cn
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器件描述

0.07 A, 70 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

0.07 A, 70 V, 2 组成, , 信号二极管

参数

BAS70-04端子数量 3
BAS70-04元件数量 2
BAS70-04加工封装描述 LEAD FREE, MINIATURE PACKAGE-3
BAS70-04状态 ACTIVE
BAS70-04包装形状 RECTANGULAR
BAS70-04包装尺寸 SMALL OUTLINE
BAS70-04表面贴装 Yes
BAS70-04端子形式 GULL WING
BAS70-04端子位置 DUAL
BAS70-04包装材料 PLASTIC/EPOXY
BAS70-04工艺 SCHOTTKY
BAS70-04结构 SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
BAS70-04二极管元件材料 SILICON
BAS70-04二极管类型 SIGNAL DIODE
BAS70-04反向恢复时间最大 0.0050 us
BAS70-04最大重复峰值反向电压 70 V
BAS70-04最大平均正向电流 0.0700 A

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BAS70-04器件文档内容

BAS70 / -04 / -05 / -06

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

Features
    Low Turn-on Voltage
    Fast Switching
    PN Junction Guard ring for Transient and ESD Protection.

BAS70 BAS70-04 BAS70-05 BAS70-06

3   3                    3                           3                            SOT-23 Plastic Package

12  12                   12                          12                          BAS70 Marking Code: 73
                                                                                 BAS70-04 Marking Code: 74
                                                                                 BAS70-05 Marking Code: 75
                                                                                 BAS70-06 Marking Code: 76

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25OC)                    Symbol                      Value     Unit
                          Parameter
                                                          VRRM                         70      V
  Peak repetitive reverse voltage                         VRWM                       2001)    mA
  Working peak reverse voltage                                                       6001)    mA
  DC blocking voltage                                      VR                        2001)    mW
  Forward continuous current                                IF                       4301)    K/W
                                                                                      150      OC
  Non-repetitive peak forward surge current @ tp<1s        IFSM                  -55 to +150   OC

  Power dissipation                                        Ptot                                Unit

  Thermal resistance junction to ambient air              RJA                                   mV
                                                                                                mV
  Operating junction temperature range                      TJ                                  nA
                                                                                                 V
  Storage temperature range                                TS                                   ns
1) Device on fiberglass substrate                                                               pF
                                                     Symbol      Min.            Max.
Characteristics at Ta = 25OC
                          Parameter                     VF         -              410
                                                        VF         -             1000
   Forward voltage                                      IR         -
                                                      V(BR)R      70             100
      at IF=1mA                                                    -               -
      at IF=15mA                                         trr       -               5
   Leakage Current                                      Ctot                       2
      at VR=50V
   Reverse breakdown voltage
   Tested with 10A
   Reverse recovery time
   from IF=10mA through IR=10mA to IR=1mA
   Capacitance
      at VR=0V, f=1MHz

       SEMTECH ELECTRONICS LTD.

             (Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company
                  listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

   

                                                                                              Dated : 19/10/2005
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