50 V, , PIN二极管


BAP70-03端子数量 2
BAP70-03元件数量 1
BAP70-03最小击穿电压 50 V
BAP70-03加工封装描述 塑料, SC-76, 2 PIN
BAP70-03无铅 Yes
BAP70-03欧盟RoHS规范 Yes
BAP70-03中国RoHS规范 Yes
BAP70-03包装形状 矩形的
BAP70-03表面贴装 Yes
BAP70-03端子形式 GULL WING
BAP70-03包装材料 塑料/环氧树脂
BAP70-03结构 单一的
BAP70-03最大功耗极限 0.5000 W
BAP70-03二极管类型 PIN二极管
BAP70-03应用 衰减器
BAP70-03最大二极管电容 0.2500 pF
BAP70-03最大二极管正向电阻 1.9 ohm
BAP70-03少数载流子寿命额定值 1.25 us



BAP70-03                  Product data sheet

Silicon PIN diode

Rev. 05 -- 27 March 2007

                           IMPORTANT NOTICE

Dear customer,

As from October 1st, 2006 Philips Semiconductors has a new trade name
- NXP Semiconductors, which will be used in future data sheets together with new contact
In data sheets where the previous Philips references remain, please use the new links as
shown below. use use (Internet) use

The copyright notice at the bottom of each page (or elsewhere in the document,
depending on the version)
- Koninklijke Philips Electronics N.V. (year). All rights reserved -
is replaced with:
- NXP B.V. (year). All rights reserved. -

If you have any questions related to the data sheet, please contact our nearest sales
office via e-mail or phone (details via Thank you for your
cooperation and understanding,

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors                                                                                      Product specification

  Silicon PIN diode                                                                                         BAP70-03

FEATURES                                                PINNING                                DESCRIPTION
High voltage, current controlled RF resistor for                      PIN            anode
   attenuators                                                            1
Low diode capacitance
Very low series inductance.

APPLICATIONS                                                                 1         2
RF attenuators
(SAT)TV                                                                    Top view                   sym006
Car radio.
                                                                Marking code: A9.
DESCRIPTION                                                     The marking bar indicates the cathode.
Planar PIN diode in a SOD323 (SC-76) small SMD plastic
package.                                                        Fig.1 Simplified outline (SOD323; SC-76) and


   TYPE   NAME                                               PACKAGE                                    VERSION
NUMBER      -                                            DESCRIPTION                                    SOD323
                      plastic surface mounted package; 2 leads

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

SYMBOL    PARAMETER                                             CONDITIONS               MIN.            MAX.    UNIT
                                                                                                        50     V
VR        continuous reverse voltage                                                   -                100    mA
                                                                                       -                500    mW
IF        continuous forward current                                                   -                +150   C
                                                                                       -65              +150   C
Ptot      total power dissipation                   Ts = 90 C                         -65

Tstg      storage temperature

Tj        junction temperature

                                                    Rev. 05 - 27 March 2007                                    2 of 7
NXP Semiconductors                                                                Product specification

  Silicon PIN diode                                                                 BAP70-03

Tj = 25 C unless otherwise specified.

SYMBOL    PARAMETER                                   CONDITIONS            TYP.   MAX.    UNIT
VF        forward voltage               IF = 50 mA                        -       1.1    V
                                        VR = 50 V                         570     100    nA
IR        reverse leakage current       VR = 0 V; f = 1 MHz               400     -      fF
                                        VR = 1 V; f = 1 MHz               270     -      fF
Cd        diode capacitance             VR = 5 V; f = 1 MHz               200     -      fF
                                        VR = 20 V; f = 1 MHz              77      250    fF
rD        diode forward resistance      IF = 0.5 mA; f = 100 MHz          40      100   
                                        IF = 1 mA; f = 100 MHz            5.4     50     
L         charge carrier life time      IF = 10 mA; f = 100 MHz           1.4     7      
                                        IF = 100 mA; f = 100 MHz          1.25    1.9   
                                        when switched from IF = 10 mA to          -      s
                                        IR = 6 mA; RL = 100 ;             1.5
LS        series inductance             measured at IR = 3 mA                     -      nH
                                        IF = 100 mA; f = 100 MHz


SYMBOL                                  PARAMETER                         VALUE          UNIT
                                                                            120          K/W
Rth(j-s)  thermal resistance from junction to soldering point

                                        Rev. 05 - 27 March 2007                          3 of 7
NXP Semiconductors                                                                Product specification

  Silicon PIN diode                                                                 BAP70-03


          103              MCE007                  handbCodo6k,0h0alfpage             MCE008
handbook, halfpage
         ()                                        400



10                                                 200


1                                                  0
10-1                                102
                    1  10                                    0             5  10  15          20

                           IF (mA)                                                    VR (V)

Tj = 25 C; f = 100 MHz.                           Tj = 25 C; f = 1 MHz.

Fig.2 Forward resistance as a function of forward  Fig.3 Diode capacitance as a function of reverse
          current; typical values.                           voltage; typical values.

                                    Rev. 05 - 27 March 2007                                   4 of 7
NXP Semiconductors                                                                                                      Product specification

  Silicon PIN diode                                                                                                   BAP70-03

PACKAGE OUTLINE                                                                                                                              SOD323

  Plastic surface mounted package; 2 leads                                                                  E

                                          D              A


                                          HD                        vM A

                  1                                      2                                                                Q

                                  (1)                                 bp                                                   c
                                                                                                  detail X

                                                    0               1             2 mm


DIMENSIONS (mm are the original dimensions)

UNIT  A      A1   bp         c         D      E HD Lp Q                   v

mm    1.1   0.05  0.40  0.25           1.8    1.35  2.7  0.45 0.25        0.2
      0.8         0.25  0.10           1.6    1.15  2.3  0.15 0.15

1. The marking bar indicates the cathode

OUTLINE                                             REFERENCES                           EUROPEAN           ISSUE DATE
VERSION                 IEC                   JEDEC         JEITA                                              99-09-13
    SOD323                                                  SC-76

                                                         Rev. 05 - 27 March 2007                                              5 of 7
NXP Semiconductors                                                               BAP70-03

                                                                                    Silicon PIN diode

Legal information

Data sheet status

Document status[1][2]       Product status[3]  Definition
                                               This document contains data from the objective specification for product development.
Objective [short] data sheet Development       This document contains data from the preliminary specification.
                                               This document contains the product specification.
Preliminary [short] data sheet Qualification

Product [short] data sheet  Production

[1] Please consult the most recently issued document before initiating or completing a design.

[2] The term `short data sheet' is explained in section "Definitions".

[3] The product status of device(s) described in this document may have changed since this document was published and may differ in case of multiple devices. The latest product status
        information is available on the Internet at URL

Definitions                                                                      malfunction of a NXP Semiconductors product can reasonably be expected to
                                                                                 result in personal injury, death or severe property or environmental damage.
Draft -- The document is a draft version only. The content is still under        NXP Semiconductors accepts no liability for inclusion and/or use of NXP
internal review and subject to formal approval, which may result in              Semiconductors products in such equipment or applications and therefore
modifications or additions. NXP Semiconductors does not give any                 such inclusion and/or use is at the customer's own risk.
representations or warranties as to the accuracy or completeness of
information included herein and shall have no liability for the consequences of  Applications -- Applications that are described herein for any of these
use of such information.                                                         products are for illustrative purposes only. NXP Semiconductors makes no
                                                                                 representation or warranty that such applications will be suitable for the
Short data sheet -- A short data sheet is an extract from a full data sheet      specified use without further testing or modification.
with the same product type number(s) and title. A short data sheet is intended
for quick reference only and should not be relied upon to contain detailed and   Limiting values -- Stress above one or more limiting values (as defined in
full information. For detailed and full information see the relevant full data   the Absolute Maximum Ratings System of IEC 60134) may cause permanent
sheet, which is available on request via the local NXP Semiconductors sales      damage to the device. Limiting values are stress ratings only and operation of
office. In case of any inconsistency or conflict with the short data sheet, the  the device at these or any other conditions above those given in the
full data sheet shall prevail.                                                   Characteristics sections of this document is not implied. Exposure to limiting
                                                                                 values for extended periods may affect device reliability.
                                                                                 Terms and conditions of sale -- NXP Semiconductors products are sold
General -- Information in this document is believed to be accurate and           subject to the general terms and conditions of commercial sale, as published
reliable. However, NXP Semiconductors does not give any representations or       at, including those pertaining to warranty,
warranties, expressed or implied, as to the accuracy or completeness of such     intellectual property rights infringement and limitation of liability, unless
information and shall have no liability for the consequences of use of such      explicitly otherwise agreed to in writing by NXP Semiconductors. In case of
information.                                                                     any inconsistency or conflict between information in this document and such
                                                                                 terms and conditions, the latter will prevail.
Right to make changes -- NXP Semiconductors reserves the right to make
changes to information published in this document, including without             No offer to sell or license -- Nothing in this document may be interpreted
limitation specifications and product descriptions, at any time and without      or construed as an offer to sell products that is open for acceptance or the
notice. This document supersedes and replaces all information supplied prior     grant, conveyance or implication of any license under any copyrights, patents
to the publication hereof.                                                       or other industrial or intellectual property rights.

Suitability for use -- NXP Semiconductors products are not designed,             Trademarks
authorized or warranted to be suitable for use in medical, military, aircraft,
space or life support equipment, nor in applications where failure or            Notice: All referenced brands, product names, service names and trademarks
                                                                                 are the property of their respective owners.

Contact information

For additional information, please visit:
For sales office addresses, send an email to:

                                               Rev. 05 - 27 March 2007           6 of 7
NXP Semiconductors                                                                       BAP70-03

                                                                                            Silicon PIN diode

Revision history

Revision history  Release date Data sheet status     Change notice Supersedes

Document ID       20070327  Product data sheet       -   BAP70-03_4

BAP70-03_N_5       corrections made to IR value and condition in Characteristics table

Modifications:    20040210  Product specification    -   BAP70-03_3

BAP70-03_4        20020806  Product specification    -   BAP70-03_N_2
(9397 750 12636)
                  20020702  Preliminary specification -  BAP70-03_N_1
(9397 750 10094)  20020402  Preliminary specification -  -

(9397 750 10081)

(9397 750 09579)

                            Please be aware that important notices concerning this document and the product(s)
                            described herein, have been included in section `Legal information'.

                            NXP B.V. 2007.                                             All rights reserved.

                            For more information, please visit:
                            For sales office addresses, please send an email to:

                                                                                                        Date of release: 27 March 2007
                                                                                                Document identifier: BAP70-03_N_5

                            Rev. 05 - 27 March 2007                                      7 of 7
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