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AS4C4M4F1-60TC

器件型号:AS4C4M4F1-60TC
厂商名称:ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]
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器件描述

5V 4M】4 CMOS DRAM (Fast Page mode)

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AS4C4M4F1-60TC器件文档内容

                                                                                                                        AS4C4M4F0
                                                                                                                        AS4C4M4F1

                                                                           

                              5V 4M4 CMOS DRAM (Fast Page mode)

Features                                                                         TTL-compatible, three-state I/O

Organization: 4,194,304 words 4 bits                                        JEDEC standard package
High speed                                                                      - 300 mil, 24/26-pin SOJ
                                                                                  - 300 mil, 24/26-pin TSOP
  - 50/60 ns RAS access time
  - 25/30 ns column address access time                                          Latch-up current  200 mA
  - 12/15 ns CAS access time                                                    ESD protection  2000 mV
Low power consumption                                                          Industrial and commercial temperature available
  - Active: 908 mW max
  - Standby: 5.5 mW max, CMOS I/O
Fast page mode
Refresh
  - 4096 refresh cycles, 64 ms refresh interval for

    AS4C4M4F0
  - 2048 refresh cycles, 32 ms refresh interval for

    AS4C4M4F1
  - RAS-only or CAS-before-RAS refresh or self-refresh

Pin arrangement                                                                 Pin designation

                SOJ                     TSOP                                    Pin(s)           Description

      VCC 1          26 GND   VCC 1                                    26 GND   A0 to A11        Address inputs
      I/O0 2         25 I/O3  I/O0 2                                   25 I/O3
      I/O1 3                                                           24 I/O2  RAS              Row address strobe
      WE 4           24 I/O2  I/O1 3                                   23 CAS
     RAS 5
*NC/A11 6            23 CAS   WE 4                                     22 OE    CAS              Column address strobe

                     22 OE    RAS 5                                    21 A9
                AS4C4M4F0
                                                            AS4C4M4F0
                     21 A9 *NC/A11 6                                            WE               Write enable

A10 8                19 A8    A10 8                                    19  A8   I/O0 to I/O3     Input/output
                                                                           A7
A0 9                 18 A7    A0 9                                     18  A6   OE               Output enable
                                                                           A5
A1 10                17 A6    A1 10                                    17  A4
                                                                           GND
A2 11                16 A5    A2 11                                    16       VCC              Power
                                                                                GND              Ground
A3 12                15 A4    A3 12                                    15

VCC 13               14  GND  VCC 13                                   14

*NC on 2K refresh version; A11 on 4K refresh version

Selection guide                                                                 AS4C4M4F0-50     AS4C4M4F0-60
                                                                                AS4C4M4F1-50
Maximum RAS access time                                                Symbol   50               AS4C4M4F1-60           Unit
Maximum column address access time                                              25
Maximum CAS access time                                                tRAC     12               60                     ns
Maximum output enable (OE) access time                                 tCAA     13
Minimum read or write cycle time                                       tCAC     85               30                     ns
Minimum fast page mode cycle time                                      tOEA     25
Maximum operating current                                              tRC      135              15                     ns
Maximum CMOS standby current                                           tPC      1.0
                                                                       ICC1                      15                     ns
                                                                       ICC5
                                                                                                 100                    ns

                                                                                                 30                     ns

                                                                                                 120                    mA

                                                                                                 1.0                    mA

4/11/01; v.0.9                          Alliance Semiconductor                                                           P. 1 of 18

                                                                                                         Copyright Alliance Semiconductor. All rights reserved.
                                                                                                              AS4C4M4F0
                                                                                                              AS4C4M4F1

                                                                                 

Functional description

The AS4C4M4F0 and AS4C4M4F1 are high performance 16-megabit CMOS Dynamic Random Access Memory (DRAM) devices organized as
4,194,304 words 4 bits. The devices are fabricated using advanced CMOS technology and innovative design techniques resulting in high
speed, extremely low power and wide operating margins at component and system levels. The Alliance 16Mb DRAM family is optimized for
use as main memory in PC, workstation, router and switch applications.
These devices feature a high speed page mode operation where read and write operations within a single row (or page) can be executed at
very high speed by toggling column addresses within that row. Row and column addresses are alternately latched into input buffers using the
falling edge of RAS and CAS inputs respectively. Also, RAS is used to make the column address latch transparent, enabling application of
column addresses prior to CAS assertion.
Refresh on the 4096 address combinations of A0 to A11 must be performed every 64 ms using:

RAS-only refresh: RAS is asserted while CAS is held high. Each of the 4096 rows must be strobed. Outputs remain high impedence.

Hidden refresh: CAS is held low while RAS is toggled. Refresh address is generated internally. Outputs remain low impedence with
   previous valid data.

CAS-before-RAS refresh (CBR): CAS is asserted prior to RAS. Refresh address is generated internally.
   Outputs are high-impedence (OE and WE are don't care).

Normal read or write cycles refresh the row being accessed.

Self-refresh cycles
Refresh on the 2048 address combinations of A0 to A10 must be performed every 32 ms using:

RAS-only refresh: RAS is asserted while CAS is held high. Each of the 2048 rows must be strobed. Outputs remain high impedence.

Hidden refresh: CAS is held low while RAS is toggled. Refresh address is generated internally. Outputs remain low impedence with
   previous valid data.

CAS-before-RAS refresh (CBR): CAS is asserted prior to RAS. Refresh address is generated internally.
   Outputs are high-impedence (OE and WE are don't care).

Normal read or write cycles refresh the row being accessed.

Self-refresh cycles
The AS4C4M4F0 and AS4C4M4F1 are available in the standard 24/26-pin plastic SOJ and 24/26-pin plastic TSOP packages. The
AS4C4M4F0 and AS4C4M4F1 operate with a single power supply of 5V 0.5V and provide TTL compatible inputs and outputs.

Logic block diagram for 4K refresh

                            VCC       Refresh                       Column decoder    Data    I/O0 to I/O3
                           GND           controller                    Sense amp       I/O
                                                                                     buffers
                                                                    4096 1024 4
RAS             RAS clock        A0                                       Array
                                 A1
                generator                                             (16,777,216)

                                 A2                                                           OE

                                 A3   Address buffers  Row decoder

                CAS clock        A4
                generator
CAS                              A5
                                 A6

                                 A7

                                 A8

                                 A9

                WE clock         A10

WE              generator        A11

4/11/01; v.0.9                        Alliance Semiconductor                                      P. 2 of 18
                                                                                                                       AS4C4M4F0
                                                                                                                       AS4C4M4F1

                                                                              

Logic block diagram for 2K refresh

                                VCC       Refresh                              Column decoder       Data    I/O0 to I/O3
                               GND           controller                           Sense amp          I/O
                                                                                                   buffers
                                                                               2048 2048 4
RAS             RAS clock            A0                                              Array
                                     A1
                generator                                                        (16,777,216)

                                     A2                                                                     OE

                                     A3          Address buffers  Row decoder

                CAS clock            A4
                generator
CAS                                  A5
                                     A6

                                     A7

                                     A8

                                     A9                                                                  Substrate bias
                                                                                                           generator
                WE clock             A10

WE              generator

Recommended operating conditions

Parameter                                                         Symbol       Min              Nominal     Max Unit

Supply voltage                                                    VCC          4.5              5.0         5.5                              V

                                                                  GND          0.0              0.0         0.0                              V

Input voltage                                                     VIH          2.4                         VCC                              V

                                                                  VIL          0.5                        0.8                              V

                                     Commercial                                0                           70
Ambient operating temperature                                     TA                                                    C
                                     Industrial                                -40                         85

VIL min -3.0V for pulse widths less than 5 ns. Recommended operating conditions apply throughout this document unlesss otherwise specified.

4/11/01; v.0.9                            Alliance Semiconductor                                                          P. 3 of 18
                                                                                           AS4C4M4F0
                                                                                           AS4C4M4F1

                                                            

Absolute maximum ratings                        Symbol               Min        Max        Unit
                                                                                +7.0       V
Parameter                                       Vin                  -1.0       VCC + 0.5  V
Input voltage                                                                   +7.0       V
Input voltage (DQs)                             VDQ                  -1.0       +150       C
Power supply voltage                                                            260 10   oC sec
Storage temperature (plastic)                   VCC                  -1.0       1          W
Soldering temperature time                                                    50         mA
Power dissipation                               TSTG                 -55
Short circuit output current
                                                TSOLDER              

                                                PD                  

                                                Iout                 

DC electrical characteristics

                                                                           -50  -60

Parameter               Symbol Test conditions                             Min Max Min Max Unit Notes
Input leakage current
                        IIL    0V  Vin  +5.5V,                             -5 +5 -5 +5 A
                               Pins not under test = 0V

Output leakage current IOL     DOUT disabled, 0V  Vout  +5.5V              -5 +5 -5 +5 A
                               RAS, CAS Address cycling; tRC=min
Operating power         ICC1                                                135 120 mA 1,2
supply current

TTL standby power       ICC2   RAS = CAS  VIH                               2.0 2.0 mA
supply current

Average power supply           RAS cycling, CAS  VIH,
                               tRC = min of RAS low after XCAS low.
current, RAS refresh    ICC3                                                120 110 mA 1

mode or CBR

Fast page mode average  ICC4   RAS = VIL, CAS,                               130 120 mA 1, 2
power supply current           address cycling: tHPC = min
                                                                            1.0 1.0 mA
CMOS standby power      ICC5   RAS = CAS = VCC - 0.2V                      2.4 2.4 V
supply current                                                               0.4 0.4 V
                                                                            120 110 mA
Output voltage          VOH    IOUT = -5.0 mA
                               IOUT = 4.2 mA
                        VOL
                               RAS, CAS cycling, tRC = min
CAS before RAS refresh  ICC6

current

                               RAS = UCAS = LCAS  0.2V,

Self refresh current    ICC7   WE = OE  VCC - 0.2V,                         0.6 0.6 mA
                               all other inputs at 0.2V or

                               VCC - 0.2V

4/11/01; v.0.9                 Alliance Semiconductor                                      P. 4 of 18
                                                                                 AS4C4M4F0
                                                                                 AS4C4M4F1

                                               

AC parameters common to all waveforms

                                               -50                     -60

Symbol  Parameter                         Min       Max           Min       Max  Unit Notes
        Random read or write cycle time                                           ns
tRC     RAS precharge time                80                     100            ns
tRP     RAS pulse width                                                           ns
tRAS    CAS pulse width                   30                     40             ns
tCAS    RAS to CAS delay time                                                     ns 6
tRCD    RAS to column address delay time  50        10K           60        10K   ns 7
tRAD    CAS to RAS hold time                                                      ns
tRSH    RAS to CAS hold time              8         10K           10        10K   ns
tCSH    CAS to RAS precharge time                                                 ns
tCRP    Row address setup time            15        35            15        43    ns
tASR    Row address hold time                                                     ns
tRAH    Transition time (rise and fall)   12        25            12        30    ns 4,5
tT      Refresh period                                                           ms 3
tREF    CAS precharge time                10                     10             ns
tCP     Column address to RAS lead time                                           ns
tRAL    Column address setup time         40                     50             ns
tASC    Column address hold time                                                  ns
tCAH                                      5                      5         

                                          0                      0         

                                          8                      10        

                                          1         50            1         50

                                                   64                     64

                                          8                      10        

                                          25                     30        

                                          0                      0         

                                          8                       10        

Read cycle

                                               -50                     -60

Symbol  Parameter                         Min       Max           Min       Max  Unit Notes
        Access time from RAS                                                      ns 6
tRAC    Access time from CAS                       50                     60    ns 6,13
tCAC    Access time from address                                                  ns 7,13
tAA     Read command setup time                    12                     15    ns
tRCS    Read command hold time to CAS                                             ns 9
tRCH    Read command hold time to RAS              25                     30    ns 9
tRRH
                                          0                      0         

                                          0                      0         

                                          0                      0         

4/11/01; v.0.9                            Alliance Semiconductor                 P. 5 of 18
                                                                                             AS4C4M4F0
                                                                                             AS4C4M4F1

                                                   

Write cycle

                                              -50                     -60

Symbol  Parameter                        Min       Max           Min       Max  Unit Notes
        Write command setup time                                                 ns 11
tWCS    Write command hold time          0                      0              ns 11
tWCH    Write command pulse width                                                ns
tWP     Write command to RAS lead time   10                     10             ns
tRWL    Write command to CAS lead time                                           ns
tCWL    Data-in setup time               10                     10             ns 12
tDS     Data-in hold time                                                        ns 12
tDH                                      10                     10        

                                         8                      10        

                                         0                      0         

                                         8                      10        

Read-modify-write cycle

                                              -50                     -60

Symbol  Parameter                        Min       Max           Min       Max  Unit Notes
tRWC    Read-write cycle time                                                    ns
tRWD    RAS to WE delay time             113                    135            ns 11
tCWD    CAS to WE delay time                                                     ns 11
tAWD    Column address to WE delay time  67                     77             ns 11

                                         32                     35        

                                         42                     47        

Refresh cycle

                                              -50                     -60

Symbol  Parameter                        Min       Max           Min       Max  Unit Notes
tCSR    CAS setup time (CAS-before-RAS)                                          ns 3
tCHR    CAS hold time (CAS-before-RAS)   5                      5              ns 3
tRPC    RAS precharge to CAS hold time                                           ns
        CAS precharge time               8                      10        
tCPT    (CBR counter test)                                                       ns
                                         0                      0         

                                         10                      10        

4/11/01; v.0.9                           Alliance Semiconductor                 P. 6 of 18
                                                                                          AS4C4M4F0
                                                                                          AS4C4M4F1

                                                  

Fast page mode cycle

                                                  -50             -60

Symbol  Parameter                            Min       Max   Min       Max   Unit Notes
tCPA    Access time from CAS precharge                                                 13
tRASP   RAS pulse width                               28             35
tPC     Read-write cycle time
tCP     CAS precharge time (fast page)       50        100K  60        100K
tPCM    Fast page mode RMW cycle
tCRW    Page mode CAS pulse width (RMW)      30             35        

                                             10             10        

                                             80             85        

                                             12             15        

Output enable

                                                  -50             -60

Symbol  Parameter                            Min       Max   Min       Max   Unit Notes
        CAS to output in Low Z                                                ns 8
tCLZ    RAS hold time referenced to OE       0              0               ns
tROH    OE access time                                                        ns
tOEA    OE to data delay                     8              10              ns
tOED    Output buffer turnoff delay from OE                                   ns 8
tOEZ    OE command hold time                          13             15     ns
tOEH    OE to output in Low Z                                                 ns
tOLZ    Output buffer turn-off time          13             15              ns 8,10
tOFF
                                             0         13    0         15

                                             10             10        

                                             0              0         

                                             0         13    0         15

Self refresh cycle

Std                                               -50             -60
Symbol
tRASS   Parameter                            Min       Max   Min       Max   Unit Notes
                                                                              s
tRPS    RAS pulse width                      100            100             ns
        (CBR self refresh)                                                    ns
tCHS                                         90             105      
        RAS precharge time
        (CBR self refresh)                   8              10        

        CAS hold time
        (CBR self refresh)

4/11/01; v.0.9              Alliance Semiconductor                           P. 7 of 18
                                                                                                               AS4C4M4F0
                                                                                                               AS4C4M4F1

                                                                     

Notes

1 ICC1, ICC3, ICC4, and ICC6 are dependent on frequency.
2 ICC1 and ICC4 depend on output loading. Specified values are obtained with the output open.
3 An initial pause of 200 s is required after power-up followed by any 8 RAS cycles before proper device operation is achieved. In the case of an internal

     refresh counter, a minimum of 8 CAS-before-RAS initialization cycles instead of 8 RAS cycles are required. 8 initialization cycles are required after
     extended periods of bias without clocks (greater than 8 ms).

4 AC Characteristics assume tT = 2 ns. All AC parameters are measured with a load equivalent to two TTL loads and 100 pF, VIL (min)  GND and VIH
    (max)  VCC.

5 VIH (min) and VIL (max) are reference levels for measuring timing of input signals. Transition times are measured between VIH and VIL.
6 Operation within the tRCD (max) limit insures that tRAC (max) can be met. tRCD (max) is specified as a reference point only. If tRCD is greater than the

     specified tRCD (max) limit, then access time is controlled exclusively by tCAC.
7 Operation within the tRAD (max) limit insures that tRAC (max) can be met. tRAD (max) is specified as a reference point only. If tRAD is greater than the

     specified tRAD (max) limit, then access time is controlled exclusively by tAA.
8 Assumes three state test load (5 pF and a 380  Thevenin equivalent).

9 Either tRCH or tRRH must be satisfied for a read cycle.
10 tOFF (max) defines the time at which the output achieves the open circuit condition; it is not referenced to output voltage levels. tOFF is referenced from

     rising edge of RAS or CAS, whichever occurs last.

11 tWCS, tWCH, tRWD, tCWD and tAWD are not restrictive operating parameters. They are included in the datasheet as electrical characteristics only.

    If tWS  tWS (min) and tWH  tWH (min), the cycle is an early write cycle and data out pins will remain open circuit, high impedance, throughout the
    cycle. If tRWD  tRWD (min), tCWD  tCWD (min) and tAWD  tAWD (min), the cycle is a read-write cycle and the data out will contain data read from the

     selected cell. If neither of the above conditions is satisfied, the condition of the data out at access time is indeterminate.

12 These parameters are referenced to CAS leading edge in early write cycles and to WE leading edge in read-write cycles.

13 Access time is determined by the longest of tCAA or tCAC or tCPA

14 tASC  tCP to achieve tPC (min) and tCPA (max) values.

15 These parameters are sampled and not 100% tested.

16 These characteristics apply to AS4C4M4F0 5V devices.

AC test conditions                                                                                 +3.3V

  - Access times are measured with output reference levels of VOH =
     2.4V and VOL = 0.4V,
     VIH = 2.4V and VIL = 0.8V

  - Input rise and fall times: 2 ns

                                                          +5V

                            R1 = 828                                                               R1 = 828
                            R2 = 295
                Dout                                                 *including scope      Dout    R2 = 295             *including scope
                100 pF*                                               and jig capacitance  50 pF*  GND                   and jig capacitance

                                         GND                                               Figure B: Equivalent output load
                                                                                                     (AS4LC4M4E0)
                Figure A: Equivalent output load
                          (AS4C4M4E0)

Key to switching waveforms  Falling input                                                  Undefined output/don't care

              Rising input

4/11/01; v.0.9              Alliance Semiconductor                                                                      P. 8 of 18
                                                                                                                                                       AS4C4M4F0
                                                                                                                                                        AS4C4M4F1
Read waveform                                                                   tRAS           tRC
                                                                    tRCD                             tRSH                              tRP
      RAS
                                                                                   tCSH                tCAH
                                     tCRP                            tASC                           tCAS

      CAS                                                                     tRCS

                                                              tRAD                  tRAL
                                                                          Column address
                tASR                                    tRAH

Address         Row address

WE                                                                                                                               tRRH    tRCH
                                                                                                                                tROH       tWEZ
                                                                                                                tROH
                                                                                                                                 tREZ  tOEZ
OE                                                                                                                          Data out   tOFF (see note 11)

                                                                              tRAC
                                                                                                  tAA
                                                                                                               tOEA
                                                                                                           tCAC

                                                                                           tCLZ

DQ

                                                                                                 tOLZ

Early write waveform

                                                                                                        tRC

                                                                                         tRAS                                          tRP

RAS

                                                                               tCSH

                                                                                                                      tRSH

                tCRP                                                tRCD                                tCAS

     CAS                                                      tRAD                                           tRAL
Address                                                                                           tASC
                tASR                       tRAH
                                                                                                         tCAH
                                           Row address                                   Column address

                                                                    tWCS                       tCWL
                                                                                                    tRWL
                                                                                                            tWP
                                                                                                                  tWCH

WE

OE

                                                                          tDS                  tDH

DQ                                                                                             Data in

4/11/01; v.0.9                                                      Alliance Semiconductor                                                                 P. 9 of 18
                                                                                                                                    AS4C4M4F0
                                                                                                                                     AS4C4M4F1
Write waveform                                                                                tRC
                                                                            tRAS                                                         OE controlled
      RAS
                                                                                                                        tRP
                                       tCRP
                                                                       tCSH
       CAS
                                                          tRCD                                 tRSH
                                                                                         tCAS
                                                   tRAD
                                                   tRAH                                 tRAL

Address          tASR                                                           tASC
                Row address                                                               tCAH

                                                                             Column address

                                                                                                      tRWL
                                                                                                   tCWL

                                                                                                             tWP

WE                                                              tOED                                tOEH
OE
DQ                                                                                      tDS
                                                                                             tDH

                                                                                        Data in

Read-modify-write waveform

RAS                                                                                       tRWC                                                      tRP
                                                                             tRAS
                tCRP                               tRCD                                               tCAS                                  tRWL
                                                                              tCSH                      tRSH                         tCWL

CAS                                                      tAR                                                                           tWP

                                                                                        tRAL                            tDS
                                                                                                                              tDH
                                             tRAD                     tASC
                                                                                                                        Data in
         tASR                                tRAH                               tCAH

Address         Row address                                     Column address

                                                                       tRWD

                                                                                tAWD

                                                   tRCS                                         tCWD

WE                                                                    tOEA

                                                                                        tOEZ                      tOED

OE

                                                   tRAC
                                                                  tAA

                                                                                  tCAC
                                                                                tCLZ

DQ                                                                              Data out

                                                                       tOLZ

4/11/01; v.0.9                                           Alliance Semiconductor                                                                          P. 10 of 18
                                                                                                                                   AS4C4M4F0
                                                                                                                                   AS4C4M4F1

                                                                                          

Fast page mode read waveform

                                                                                 tRASP                                                              tRP

RAS

                                                        tCSH                                                                  tRSH
                                                                                                                         tPC
                   tCRP                   tRCD                       tCAS               tCP

CAS

                                                  tAR

                                          tRAD                                                                                 tRAL
                                                                                                                             tCAH
                     tASR           tRAH                                                   tASC                          Column
                                                                                           Column
Address                             Row                       Column                       tRCS                                  tRCH
     WE                                                       tRCS tRCH
      OE                                                                                                                                      tRRH

     I/O                                                             tOEA                                                       tOEA

                                          tRAC                                               tOEZ

                                                                     tCLZ                                          tCAP

                                                                     tAA                     tOFF                                   tCAC

                                                                     Data out                            Data out                   Data out

Fast page mode byte write waveform

                                                                                 tRASP                                                              tRP

     RAS                                  tCSH            tPCM
                                                        tCAS
     CAS                   tRCD                                                 tCP                                                                    tCRP

               tASR           tRAD  tRAH                                                                                  tRAL                    tRWL
                         Row                                                                                         tCAH                       tCWL
Address                                                tCAH                                tCAH                    Column                     tWP
                              tRCS
     WE                                   Column                           Column                                      tCWD
      OE                                                                                                              tAWD
                                          tRWD                             tCWL
     I/O                                          tCWD                                                             tOEA
                                                                                     tCWD
                                            tAWD

                                    tOEA                tOEZ                                       tOED

                                                  tAA                      tDH

                                    tRAC                        tDS                       tDS                      tCAP
                                                  tCLZ                               tCLZ                          tCLZ
                                                                                                                   tCAC
                                                  tCAC                               tCAC
                                                                                                                      Data out
                                                           Data in                              Data in                                   Data in
                                                  Data out                              Data out

4/11/01; v.0.9                                          Alliance Semiconductor                                                                      P. 11 of 18
                                                                                                                               AS4C4M4F0
                                                                                                                               AS4C4M4F1

                                                                                    

Fast page mode early write waveform

                             tRAH                                            tRASP                                               tRWL

    RAS                            tRCD                                                     tASC     tPC
                                                                                            tWCS  tWCH
             tCRP                               tCSH                                                                                            tCAH
                                                                                    Column
    CAS                                                                tCAS                                                 tCP        tRSH

                       tASR                     tAR                                                                              tRAL
                                                        Column
Address                              tRAD                                                                                   Column
                             Row
                                                                                                                                         tCWL
                                                                                                                                      tWP

                                                                                                                                          tOEH

WE

OE

                                                tHDR                                                                  tOED
                                                                                             Data in
                                   tDS                         tDH

I/O                                                   Data In                                                                    Data in

CAS before RAS refresh waveform                                                                                                                       WE = VIH

                                           tRP                 tRC
                                                                                       tRAS
RAS                          tRPC
CAS                                                                     tCHR
                                                tCP
                                                    tCSR                  OPEN

DQ

RAS only refresh waveform                                                                                                 WE = OE = VIH or VIL

    RAS                                                          tCRP        tRAS            tRC
    CAS                                               Row address              tRAH                                     tRP
Address
                                                                                                            tRPC

                             tASR

4/11/01; v.0.9                                            Alliance Semiconductor                                                                P. 12 of 18
                                                                                                                                             AS4C4M4F0
                                                                                                                                             AS4C4M4F1

                                                                                             

Hidden refresh waveform (read)

                                                            tRC                                                                   tRC
                                              tRAS
                                                                                             tRP                         tRAS                tRP
                                                             tRSH                                                  tCHR
    RAS                         tCRP
                                        tRCD    tAR                                                                                    tCRP
    CAS                                                         tCAH
                                 tRAD
              tASR                    tRAH         tASC
                                                   Col address
Address                   Row

                          tRCS                                                      tRRH

WE

                                                                  tOEA

OE                                                                                                                       tOFF
                                                                                                                         tOEZ
                                    tRAC
                                               tAA                                                                          tCHR
                                                                tCAC
                                                              tCLZ

DQ                                                                                 Data out

Hidden refresh waveform (write)

                                                                              tRC

                                                          tRAS                                  tRP

RAS

         tCRP                                 tRCD                            tRSH

    CAS             tASR                tAR                             tRAL
Address                                                                      tCAH
                            tRAD
     WE                   tRAH
     DQ
                                  tASC

                          Row address               Col address
                                        tWCS
                                                                        tRWL

                                                   tWCR
                                                             tWP

                                                                              tWCH

                                              tDS                                  tDH

                                                    tDHR

                                                          Data in

OE

4/11/01; v.0.9                                                    Alliance Semiconductor                                                     P. 13 of 18
                                                                                                             AS4C4M4F0
                                                                                                             AS4C4M4F1

                                                        

CAS before RAS refresh counter test waveform

                                                        tRAS

                                                                                tRSH                    tRP

                  RAS

                           tCSR             tCPT
                                tCHR
                  CAS                                                     tCAS

                                            tASC                          tRAL

                  Address                                         tCAH               tOEZ  tOFF
                       DQ                                                 Data out
                       WE                               Col address                                tRRH
                       OE                                                                          tRCH
                                                        tAA
                       WE                                           tCAC
                       DQ
                       OE                                         tCLZ
                       WE
Read cycle                            tRCS

                                                                                tROH

                                                              tOEA

                                                                         tRWL
                                                                    tCWL
                                                              tWP
                                                                  tWCH
                                                        tWCS

Write cycle                                                   tDH
                                                        tDS

                                                         Data in

                                                        tRCS                                      tRWL
                                                                                               tWP
                                                                 tCWD
                                                              tAWD                         tCWL

Read-Write cycle                                              tOEA              tOED

                   OE                             tCLZ  t AA                                       tDH
                  DQ                              tCAC                 tOEZ
                                                                                      tDS
                                                        Data out                      Data in

4/11/01; v.0.9             Alliance Semiconductor                                                            P. 14 of 18
                                                                                                                                                                                   AS4C4M4F0
                                                                                                                                                                                   AS4C4M4F1

                                                                                 

CAS-before-RAS self refresh cycle

                                                               tRP                                      tRASS                                                              tRPS
                                                                                                                                                                           tRPC
                          RAS                   tRPC
                                                  tCP
                        UCAS,
                        LCAS                                                                      tCSR                                                          tCHS

                           DQ                                       tCEZ

Typical DC and AC characteristics                                                                         Normalized access time tRAC                                        Typical access time tRAC
                                                                                                           vs. ambient temperature Ta                                        vs. load capacitance CL
              Normalized access time tRAC                                                         1.5                                                           100
                  vs. supply voltage VCC

      1.5

Normalized access time  1.4                                               Normalized access time  1.4                                                           90
                                   Ta = 25C
                                                                                                  1.3                                    Typical access time    80
                        1.3

                                                                                                                                                                           -70

                        1.2                                                                       1.2                                                           70

                                                                                                                                                                           -60

                        1.1                                                                       1.1                                                           60

                                                                                                                                                                           -50

                        1.0                                                                       1.0                                                           50

                        0.9                                                                       0.9                                                           40

                        0.8      4.5 5.0 5.5 6.0                                                  0.8                                                           30       100 150 200 250
                           4.0   Supply voltage (V)                                                 55 10 35 80 125                                               50  Load capacitance (pF)

                                                                                                           Ambient temperature (C)

                                   Typical supply current ICC                                                Typical supply current ICC                                 Typical power-on current IPO
                                     vs. supply voltage VCC                                                 vs. ambient temperature Ta                                        vs. cycle rate 1/tRC
                                                                                                  170
                        170                                                                                                                                     35

                        160                                                                       160                                                           30

Supply current (mA)     150                                               Supply current (mA)                                 -50        Power-on current (mA)  25
                                                                                                  150

                                           -50                                                    140   -60                                                     20
                        140

                        130      -60                                                              130   -70                                                     15

                        120      -70                                                              120                                                           10

                        110                                                                       110                                                           5

                        100      4.5 5.0 5.5 6.0                                                  100                                                           0.0     4       6  8 10
                            4.0  Supply voltage (V)                                                   55 10 35 80 125                                              2

                                                                                                             Ambient temperature (C)                                   Cycle rate (MHz)

4/11/01; v.0.9                                                                                    Alliance Semiconductor                                                           P. 15 of 18
                                                                                                                                                                      AS4C4M4F0
                                                                                                                                                                      AS4C4M4F1

                                                                                                                           

                                        Typical refresh current ICC3                                            Typical refresh current ICC3                                      Typical TTL stand-by current ICC2
                                           vs. supply voltage VCC                                              vs. Ambient temperature Ta                                                vs. supply voltage VCC
                                                                                                      160
                              160                                                                                                                                           3.5
                                                                                                      140 -50                                                               3.0
                              140                                                                     120 -60                                                               2.5
                                                                                                                                                                            2.0
Refresh current (mA)          120    -50                                Refresh current (mA)                  -70                               Stand-by current (mA)       1.5
                                                                                                      100                                                                   1.0
                                              -60                                                                                                                           0.5
                              100                                                                      80
                                                                                                                                                                              0
                                              -70                                                      60                                                                        4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
                                                                                                                                                                                           Supply voltage (V)
                              80                                                                       40

                              60                                                                       20
                                                                                                          0.0 20 40 60 80
                              40                                                                                Ambient temperature (C)

                              20                    5.0 5.5 6.0
                                4.0 4.5

                                     Supply voltage (V)

                                   Typical TTL stand-by current ICC2                                         Typical output sink current IOL                                     Typical output source current IOH
                                       vs. ambient temperature Ta                                                 vs. output voltage VOL                                                vs. output voltage VOH

                              3.5                                                                     70                                                                    70

                              3.0                                       Output sink current (mA)      60                                        Output source current (mA)  60

Stand-by current (mA)         2.5                                                                     50                                                                    50

                              2.0                                                                     40                                                                    40

                              1.5                                                                     30                                                                    30

                              1.0                                                                     20                                                                    20

                              0.5                                                                     10                                                                    10

                              0.0    20 40 60 80                                                      0.0    0.5 1.0 1.5 2.0                                                0.0      1.0 2.0 3.0 4.0
                                  0                                                                     0.0   Output voltage (V)                                                0.0  Output voltage (V)

                                     Ambient temperature (C)

                                   Typical fast page mode current ICC4  Hyper page mode current (mA)       Typical fast page mode current ICC4
                                        vs. ambient temperature Ta                                                 vs. supply voltage VCC

                              140                                                                     140

Hyper page mode current (mA)  120                                                                     120

                              100        -50                                                                           -50
                                                                                                      100
                              80         -60
                                                                                                                       -60
                                               -70                                                     80
                              60
                                                                                                                       -70
                                                                                                       60

                              40                                                                      40

                              20                                                                      20

                              0.0    20 40 60 80                                                      0.0    4.5 5.0 5.5 6.0
                                  0                                                                     4.0   Supply voltage (V)

                                     Ambient temperature (C)

4/11/01; v.0.9                                                                                        Alliance Semiconductor                                                         P. 16 of 18
                                                                                                AS4C4M4F0
                                                                                                AS4C4M4F1

                                                   

Capacitance 15                                                          = 1 MHz, Ta = Room temperature

Parameter            Symbol        Signals                             Test conditions     Max             Unit
Input capacitance    CIN1          A0 to A9
DQ capacitance       CIN2          RAS, UCAS, LCAS, WE, OE             Vin = 0V            5               pF
                     CDQ           DQ0 to DQ15
                                                                       Vin = 0V            7               pF

                                                                       Vin = Vout = 0V 7                   pF

AS4C4M4F0 ordering information                     50 ns                         60 ns

Package \ RAS access time                5V       AS4C4M4F0-50JC                AS4C4M4F0-60JC
Plastic SOJ, 300 mil, 24/26-pin                   AS4C4M4F0-50JI                AS4C4M4F0-60JI

Plastic TSOP, 300 mil, 24/26-pin         5V       AS4C4M4F0-50TC                AS4C4M4F0-60TC
                                                   AS4C4M4F0-50TI                AS4C4M4F0-60TI

AS4C4M4F1 ordering information                     50 ns                         60 ns

Package \ RAS access time                5V       AS4C4M4F1-50JC                AS4C4M4F1-60JC
Plastic SOJ, 300 mil, 24/26-pin                   AS4C4M4F1-50JI                AS4C4M4F1-60JI

Plastic TSOP, 300 mil, 24/26-pin         5V       AS4C4M4F1-50TC                AS4C4M4F1-60TC
                                                   AS4C4M4F1-50TI                AS4C4M4F1-60TI

AS4C4M4F0/F1 family part numbering system

AS4     C            4M4           F0/F1      XX            X                          X

DRAM                               F0=4K refresh RAS access  Package:                   Temperature range
prefix                             F1=2K refresh time
        C = 5V CMOS  4M4                                    J = SOJ 300 mil, 24/26 C=Commercial, 0C to 70 C

                                                             T = TSOP 300 mil, 24/26 I=Industrial, -40C to 85C

4/11/01; v.0.9                     Alliance Semiconductor                                       P. 17 of 18

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                                                          AS4C4M4F0
                                                          AS4C4M4F1

               

4/11/01; v.0.9  Alliance Semiconductor  P. 18 of 18
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