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ARF1519

器件型号:ARF1519
器件类别:晶体管
文件大小:137.58KB,共0页
厂商名称:MICROSEMI [Microsemi Corporation]
厂商官网:http://www.microsemi.com
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器件描述

HF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER,

高频波段, , N沟道, 射频功率,

参数

ARF1519端子数量 2
ARF1519最小击穿电压 1000 V
ARF1519加工封装描述 CERAMIC PACKAGE-2
ARF1519状态 ACTIVE
ARF1519包装形状 RECTANGULAR
ARF1519包装尺寸 FLANGE MOUNT
ARF1519表面贴装 Yes
ARF1519端子形式 FLAT
ARF1519端子涂层 TIN LEAD
ARF1519端子位置 DUAL
ARF1519包装材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
ARF1519结构 SINGLE
ARF1519壳体连接 SOURCE
ARF1519元件数量 1
ARF1519晶体管应用 AMPLIFIER
ARF1519晶体管元件材料 SILICON
ARF1519通道类型 N-CHANNEL
ARF1519场效应晶体管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ARF1519操作模式 ENHANCEMENT
ARF1519晶体管类型 RF POWER
ARF1519最大漏电流 20 A
ARF1519最高频带 HIGH FREQUENCY BAND

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ARF1519器件文档内容

                                                                                                          ARF1519

                                                                  ARF1519

                                                              BeO 104T-100

RF POWER MOSFET                                                                                      250V 750W 25MHz

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE

The ARF1519 is an RF power transistor designed for very high power scientific, commercial, medical and industrial
RF power generator and amplifier applications up to 25 MHz.

Specified 250 Volt, 13.56 MHz Characteristics:               High Performance Power RF Package.

           Output Power = 750 Watts.                         Very High Breakdown for Improved Ruggedness.
                                                               Low Thermal Resistance.
           Gain = 17dB (Class C)

           Efficiency > 75%                                  Nitride Passivated Die for Improved Reliability.

MAXIMUM RATINGS                                               All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.

Symbol      Parameter                                                                                     ARF1519           UNIT
            Drain-Source Voltage
  VDSS                                                                                                    1000              Volts
    ID      Continuous Drain Current @ TC = 25C
  VGS       Gate-Source Voltage                                                                           20                Amps
   PD
            Total Device Dissipation @ TC = 25C                                                          30               Volts
TJ,TSTG     Operating and Storage Junction Temperature Range
   TL       Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.                                                1350              Watts

                                                                                                          -55 to 175
                                                                                                                                         C

                                                                                                              300

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions                                                              MIN TYP MAX UNIT

BVDSS       Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 300A)                                     1000                       Volts
VDS(ON)     On State Drain Voltage 1 (ID(ON) = 10A, VGS = 10V)                                                     5  7
            Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 1000V, VGS = 0V)
IDSS       Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 800V, VGS = 0V, TC = 125C)                                        300
            Gate-Source Leakage Current (VGS = 30V, VDS = 0V)                                                                      A
IGSS       Forward Transconductance (VDS = 15V, ID = 10A)
  gfs       RMS Voltage (60Hz Sinewave from terminals to mounting surface for 1 minute)                               3000
Visolation
VGS(TH)     Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 6mA)                                                              600 nA

                                                                                                     3    14                mhos

                                                                                                     TBD                    Volts

                                                                                                     2                4     Volts

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic (per package unless otherwise noted)                                           MIN  TYP         MAX   UNIT
                                                                                                          0.09        0.13  C/W
RJC         Junction to Case                                                                                                                 050-4935 Rev B 2-2008
RCS         Case to Sink (Use High Efficiency Thermal Joint Compound and Planar Heat Sink Surface.)

   CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

                                   Microsemi Website - http://www.microsemi.com
                       DYNAMIC CHARACTERISTICS                                                                                                                                                   ARF1519
                                                                                                                                                                   MIN TYP MAX UNIT
                       Symbol Characteristic                                                                                      Test Conditions
                                                                                                                                                                             4600 5600
                       Ciss              Input Capacitance                                                                             VGS = 0V                               310 350 pF
                                                                                                                                     VDS = 150V                                90 120
                       Coss Output Capacitance                                                                                        f = 1 MHz

                       Crss Reverse Transfer Capacitance

                       FUNCTIONAL CHARACTERISTICS

                       Symbol Characteristic                                                                                      Test Conditions                  MIN TYP MAX UNIT

                       GPS Common Source Amplifier Power Gain                                                                             f = 13.56MHz             17                           20                                        dB
                                                                                                                                  VGS = 0V VDD = 200V
                                         Drain Efficiency                                                                                                          70                           75                                        %
                                                                                                                                          Pout = 750W
                                         Electrical Ruggedness VSWR 10:1                                                                                           No Degradation in Output Power

                       1 Pulse Test: Pulse width < 380 S, Duty Cycle < 2%.
                       Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.

                                                                Per transistor section unless otherwise specified.

                                                                                                                                                               60

                                                                                                                                                                   VDS> ID (ON) x RDS (ON)MAX.
                                                                                                                                                                      250SEC. PULSE TEST

                                                                Ciss                                                              ID, DRAIN CURRENT (AMPERES)  50  @ <0.5 % DUTY CYCLE

                       CAPACITANCE (pf)                                                                                                                                                           TJ = -55C
                                                                                                                                                               40

                                                                Coss                                                                                           30

                                                                                                                                                               20

                                                                Crss

                                                                                                                                                               10  TJ = +25C

                                         .1  1              10  100 200                                                                                                      TJ = +125C
                                                                                                                                                               0
                                         Figure V1,DTSy, pDiRcaAlINC-aTpOa-cSitOaUncReCvEsV. DOrLaTiAnG-toE-S(VoOuLrcTeS)Voltage                                0 1 2 3 4 5 67

                                                                                                                                                                 VFGiSg,uGreAT2,ET-TyOpi-cSaOl UTrRaCnsEfeVrOCLhTAarGaEct(eVriOsLtiTcSs)

050-4935 Rev B 2-2008
                                1.2                                                                                                                            ARF1519

                                1.1                                                                           50

                                1.0                                                                           45                                                                    6.5V
                                                                                                              ID, DRAIN CURRENT (AMPERES)
VGS(th), THRESHOLD VOLTAGE      0.9                                                                                                                        PDM40                    6V
   (NORMALIZED)
                                0.8                                                                           35

                                0.7                                                                           30                                                                    5.5V
                                0.6
                                                                                                              25
                                   -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
                                Figure 3, TyTpCi,cCaAl TShEreTsEhMoPldEVRoAlTtaUgReEv(sCTe) mperature        20                                                                         5V

                                                                                                              15

                                                                                                              10                                                                    4.5V

                                                                                                              5                                                                          4V

                                                                                                              0

                                                                                                                  0        5  10 15 20 25 30

                                                                                                                  VDFSi,gDuRreA4IN, T-TyOpi-cSaOl UORuCtpEutVCOhLaTAraGcEte(rVisOtiLcTsS)

ZqJC, THERMAL IMPEDANCE (C/W)     0.2       D=0.5
                                   0.1
                                 0.05        0.2
                                              0.1
                                 0.01        0.05
                                0.005
                                             0.02                                                                                                             Note:
                                0.001        0.01                                                                                                                               t1

                                       10-5                      SINGLE PULSE

                                                                                                                                                                                     t2

                                                                                                                                                                  Duty Factor D = t1/t2
                                                                                                                                                              Peak TJ = PDM x ZJC + TC

                                                    10-4                       10-3                     10-2         10-1                                       1.0                          10

                                                                                     RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)

                                                   Figure 5, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case vs. Pulse Duration

                                                    Table 1 - Typical Class AB Large Signal Impedance -- ARF1519

                                F (MHz)               Zin ()       ZOL ()                               Zin - Gate shunted with 25 IDQ = 100mA
                                                                                                        ZOL - Conjugate of optimum load for 750 Watts
                                   2.0              10.6 -j 12.2  31 -j 4.7
                                  13.5               0.5 -j 2.7   15.6 -j 16                                 output at Vdd = 200V

                                                                                                                                                                                                 050-4935 Rev B 2-2008
                                   ARF1519 -- 13.56 MHz Test Circuit

                                                                       L3                        200V

                            C7 C9  L1                                      C8            C10             C1-C3 1nF X7R 100V smt
                                                                                                Output   C4 2x 8.2 nF 1kV COG
                       RF                                                                                C5 270pF x2 ATC 100C
                       Input T1         L2 C4                                            C5 C6           C7-C10 8.2 nF 1kv COG
                                   DUT                                                                   C11 390 + 27 pF ATC 100C
                                                                                                         L1 2uH - 22t #24 enam. .312" dia.
                                                                                                         L2 368 nH - 5t #12 .625" dia .5" l
                                                                                                         L3 500nH 2t on 850u .5" bead
                                                                                                         R1 2.2k 0.5W
                                                                                                         T1 10:1t transformer

                       C1 C2 C3                                            R1

                                          13.56 MHz Test Amp                   ARF1518          Parts placement - Not to Scale.
                                          ARF1519
                                                                           BeO 1525-100                                                                   J2
                                                     T1                                                                RF 12-04

                       J1

                       Thermal Considerations and Package                  .250                 .466                                                                              D
                       Mounting:                                              .250                                         .150r .500                         G

                           The rated 1350W power dissipation is only        .125d            ARF1519     .750  1.000                                                              S
                       available when the package mounting surface is
                       at 25C and the junction temperature is 200C.                    BeO 1525-100                                                                1
                       The thermal resistance between junctions and
                       case mounting surface is 0.12C/W. When instal-                                            .500                 2                                             3
                       led, an additional thermal impedance of 0.1C/W
                       between the package base and the mounting sur-                           1.250    .300
                       face is typical. Insure that the mounting surface                          1.500       .200
                       is smooth and flat. Thermal joint compound                                                  .005 .040
                       must be used to reduce the effects of small sur-
                       face irregularities. The heatsink should incorpo-
                       rate a copper heat spreader to obtain best re-
                       sults. Use 4-40 or M3 screws torqued to 1.2 Nm.

050-4935 Rev B 2-2008   HAZARDOUS MATERIAL WARNING                                                                                                                 4
                       The ceramic portion of the device between
                       leads and mounting surface is beryllium oxide-                                                                                         1 Drain
                       BeO. Beryllium oxide dust is toxic when in-                                                                                            2 Source
                       haled. Care must be taken during handling                                                                                              3 Source
                       and mounting to avoid damage to this area                                                                                              4 Gate
                       These devices must never be thrown away
                       with general industrial or domestic waste.
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