电子工程世界电子工程世界电子工程世界

型号

产品描述

搜索
 

ARF1519

器件型号:ARF1519
器件类别:晶体管
文件大小:133.68KB,共0页
厂商名称:ADPOW [Advanced Power Technology]
厂商官网:http://www.advancedpower.com/
下载文档

器件描述

HF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER,

高频波段, , N沟道, 射频功率,

参数

ARF1519端子数量 2
ARF1519最小击穿电压 1000 V
ARF1519加工封装描述 CERAMIC PACKAGE-2
ARF1519状态 ACTIVE
ARF1519包装形状 RECTANGULAR
ARF1519包装尺寸 FLANGE MOUNT
ARF1519表面贴装 Yes
ARF1519端子形式 FLAT
ARF1519端子涂层 TIN LEAD
ARF1519端子位置 DUAL
ARF1519包装材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
ARF1519结构 SINGLE
ARF1519壳体连接 SOURCE
ARF1519元件数量 1
ARF1519晶体管应用 AMPLIFIER
ARF1519晶体管元件材料 SILICON
ARF1519通道类型 N-CHANNEL
ARF1519场效应晶体管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ARF1519操作模式 ENHANCEMENT
ARF1519晶体管类型 RF POWER
ARF1519最大漏电流 20 A
ARF1519最高频带 HIGH FREQUENCY BAND

文档预览

ARF1519器件文档内容

                                                                                                           ARF1519

                                                                                         ARF1519                                              D

                                                              BeO 104T-100

RF POWER MOSFET                                                                                                         G
                                                                                                                                           S

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE                                                                         250V 750W 25MHz

The ARF1519 is an RF power transistor designed for very high power scientific, commercial, medical and industrial RF

power generator and amplifier applications up to 25 MHz.

Specified 250 Volt, 13.56 MHz Characteristics:          High Performance Power RF Package.
                                                          Very High Breakdown for Improved Ruggedness.
           Output Power = 750 Watts.                      Low Thermal Resistance.
                                                          Nitride Passivated Die for Improved Reliability.
           Gain = 17dB (Class C)

           Efficiency > 75%

MAXIMUM RATINGS                                               All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.

Symbol      Parameter                                                                                      ARF1519         UNIT
            Drain-Source Voltage
  VDSS      Continuous Drain Current @ TC = 25C                                                           1000            Volts
    ID      Gate-Source Voltage
            Total Device Dissipation @ TC = 25C                                                           20              Amps
  VGS       Operating and Storage Junction Temperature Range
   PD       Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.                                                 30             Volts
TJ,TSTG
   TL                                                                                                      1350            Watts

                                                                                                           -55 to 200
                                                                                                                                          C

                                                                                                               300

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions                                                              MIN TYP MAX UNIT

BVDSS       Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 300A)                                    1000                      Volts
VDS(ON)     On State Drain Voltage 1 (ID(ON) = 10A, VGS = 10V)                                                    5  7
            Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 1000V, VGS = 0V)
IDSS       Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 800V, VGS = 0V, TC = 125C)                                       300
            Gate-Source Leakage Current (VGS = 30V, VDS = 0V)                                                                     A
IGSS       Forward Transconductance (VDS = 15V, ID = 10A)
  gfs                                                                                                                3000
Visolation  RMS Voltage (60Hz Sinewave from terminals to mounting surface for 1 minute)
VGS(TH)                                                                                                              600 nA
            Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 6mA)
                                                                                                     3     14              mhos

                                                                                                     2500                  Volts

                                                                                                     2               4     Volts

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic (per package unless otherwise noted)                                           MIN   TYP       MAX   UNIT
                                                                                                           0.09      0.13  C/W
RJC         Junction to Case                                                                                                                     050-4935 Rev A 5-2005
RCS         Case to Sink (Use High Efficiency Thermal Joint Compound and Planar Heat Sink Surface.)

   CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

                                       APT Website - http://www.advancedpower.com
                       DYNAMIC CHARACTERISTICS                                                                                                                                         ARF1519

                       Symbol Characteristic                                                              Test Conditions                  MIN TYP MAX UNIT

                       Ciss              Input Capacitance                                                     VGS = 0V                                                 4600 5600
                       Coss              Output Capacitance                                                  VDS = 150V
                       Crss              Reverse Transfer Capacitance                                          f = 1 MHz                                                310 350        pF

                                                                                                                                                                        90 120

                       FUNCTIONAL CHARACTERISTICS

                       Symbol Characteristic                                                              Test Conditions                  MIN TYP MAX UNIT

                       GPS Common Source Amplifier Power Gain                                                    f = 13.56MHz              17                           20             dB
                                                                                                          VGS = 0V VDD = 200V
                                         Drain Efficiency                                                                                  70                           75             %
                                                                                                                  Pout = 750W
                                         Electrical Ruggedness VSWR 10:1                                                                   No Degradation in Output Power

                       1 Pulse Test: Pulse width < 380 S, Duty Cycle < 2%.
                       APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.

                                                               Per transistor section unless otherwise specified.

                                         20,000                                                                                        60
                                         10,000
                                                                                                                                           VDS> ID (ON) x RDS (ON)MAX.
                                           1000                                                                                                 250SEC. PULSE TEST

                                                                       Ciss                               ID, DRAIN CURRENT (AMPERES)  50  @ <0.5 % DUTY CYCLE

                       CAPACITANCE (pf)                                                                                                                                   TJ = -55C
                                                                                                                                       40

                                                                       Coss                                                            30

                                         100                                                                                           20
                                                                                                    Crss

                                                                                                                                       10  TJ = +25C

                                         10                                                                                                          TJ = +125C
                                                                                                                                       0
                                         .1      1         10          100 200                                                          0 1 2 3 4 5 67

                                                  VDS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)                                                    VGS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
                                         Figure 1, Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage                                         Figure 2, Typical Transfer Characteristics

050-4935 Rev A 5-2005
                               1.2                                                                                                        ARF1519

                               1.1                                                       50

                               1.0                                                       45                                                      6.5V

VGS(th), THRESHOLD VOLTAGE     0.9                                                       ID, DRAIN CURRENT (AMPERES)40                           6V
    (NORMALIZED)                                                                                                                      PDM
                               0.8                                                       35

                               0.7                                                       30                                                      5.5V

                               0.6                                                       25
                                 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
                                              TC, CASE TEMPERATURE (C)                  20
                                                                                                                                                      5V
                               Figure 3, Typical Threshold Voltage vs Temperature
                                                                                         15

                                                                                         10                                                      4.5V

                                                                                         5                                                       4V

                                                                                         0

                                                                                             0        5      10 15 20 25 30

                                                                                             VDS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
                                                                                               Figure 4, Typical Output Characteristics

ZJC, THERMAL IMPEDANCE (C/W)      0.2      D=0.5
                                   0.1
                                 0.05       0.2                                                                                          Note:
                                             0.1
                                 0.01       0.05                                                                                                         t1
                               0.005        0.02
                                            0.01                                                                                                               t2
                               0.001                                                                                                            Duty Factor D = t1/t2
                                                         SINGLE PULSE                                                                      Peak TJ = PDM x ZJC + TC
                               0.0001
                                      10-5         10-4                10-3        10-2         10-1                                       1.0                         10

                                                                       RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)

                                                   Figure 5, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case vs. Pulse Duration

                                                   Table 1 - Typical Class AB Large Signal Impedance -- ARF1519

                               F (MHz)               Zin ()             ZOL ()     Zin - Gate shunted with 25 IDQ = 100mA
                                                                                   ZOL - Conjugate of optimum load for 750 Watts
                                  2.0              10.6 -j 12.2        31 -j 4.7
                                 13.5               0.5 -j 2.7         15.6 -j 16       output at Vdd = 200V

                                                                                                                                                                           050-4935 Rev A 5-2005
                                   ARF1519 -- 13.56 MHz Test Circuit

                                                                       L3                        200V

                            C7 C9  L1                                      C8            C10             C1-C3 1nF X7R 100V smt
                                                                                                Output   C4 2x 8.2 nF 1kV COG
                       RF                                                                                C5 270pF x2 ATC 100C
                       Input T1         L2 C4                                            C5 C6           C7-C10 8.2 nF 1kv COG
                                   DUT                                                                   C11 390 + 27 pF ATC 100C
                                                                                                         L1 2uH - 22t #24 enam. .312" dia.
                                                                                                         L2 368 nH - 5t #12 .625" dia .5" l
                                                                                                         L3 500nH 2t on 850u .5" bead
                                                                                                         R1 2.2k 0.5W
                                                                                                         T1 10:1t transformer

                       C1 C2 C3                                            R1

                                          13.56 MHz Test Amp                   ARF1519          Parts placement - Not to Scale.
                                          ARF1519
                                                                           BeO 104T-100                                                                  J2
                                                     T1                                                                RF 12-04

                       J1

                       Thermal Considerations and Package                  .250                 .466                                                                             D
                       Mounting:                                              .250                                         .150r .500                        G

                           The rated 1350W power dissipation is only        .125d            ARF1519     .750  1.000                                                             S
                       available when the package mounting surface is
                       at 25C and the junction temperature is 200C.                    BeO 104T-100                                                              1
                       The thermal resistance between junctions and
                       case mounting surface is 0.12C/W. When instal-                                            .500                 2                                            3
                       led, an additional thermal impedance of 0.1C/W
                       between the package base and the mounting sur-                           1.250    .300
                       face is typical. Insure that the mounting surface                          1.500       .200
                       is smooth and flat. Thermal joint compound                                                  .005 .040
                       must be used to reduce the effects of small sur-
                       face irregularities. The heatsink should incorpo-
                       rate a copper heat spreader to obtain best re-
                       sults. Use 4-40 or M3 screws torqued to 1.2 Nm.

050-4935 Rev A 5-2005   HAZARDOUS MATERIAL WARNING                                                                                                                4
                       The ceramic portion of the device between
                       leads and mounting surface is beryllium oxide-                                                                                        1 Drain
                       BeO. Beryllium oxide dust is toxic when in-                                                                                           2 Source
                       haled. Care must be taken during handling                                                                                             3 Source
                       and mounting to avoid damage to this area                                                                                             4 Gate
                       These devices must never be thrown away
                       with general industrial or domestic waste.
This datasheet has been downloaded from:
             www.EEworld.com.cn

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.EEworld.com.cn

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright Each Manufacturing Company

ARF1519器件购买:

该厂商的其它器件

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved