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ARF1511

器件型号:ARF1511
器件类别:晶体管
文件大小:104.2KB,共0页
厂商名称:MICROSEMI [Microsemi Corporation]
厂商官网:http://www.microsemi.com
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器件描述

4 CHANNEL, VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER,

4 通道, 特高频波段, , N沟道, 射频功率,

参数

ARF1511端子数量 10
ARF1511最小击穿电压 500 V
ARF1511加工封装描述 CERAMIC PACKAGE-10
ARF1511无铅 Yes
ARF1511欧盟RoHS规范 Yes
ARF1511状态 ACTIVE
ARF1511包装形状 RECTANGULAR
ARF1511包装尺寸 SMALL OUTLINE
ARF1511表面贴装 Yes
ARF1511端子形式 FLAT
ARF1511端子涂层 TIN SILVER COPPER
ARF1511端子位置 DUAL
ARF1511包装材料 UNSPECIFIED
ARF1511结构 BRIDGE, 4 ELEMENTS
ARF1511壳体连接 ISOLATED
ARF1511元件数量 4
ARF1511晶体管应用 AMPLIFIER
ARF1511晶体管元件材料 SILICON
ARF1511通道类型 N-CHANNEL
ARF1511场效应晶体管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ARF1511操作模式 ENHANCEMENT
ARF1511晶体管类型 RF POWER
ARF1511最大漏电流 20 A
ARF1511最高频带 VERY HIGH FREQUENCY BAND

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ARF1511器件文档内容

                                                                  D1                       D3                         ARF1511

                                                                                                                  D1                                             D3

                                                              G1                                         G3

                                                                              S1D2                                 G1        ARF1511                 G3
                                                                                     S3D4                         S1D2                              S3D4

RF POWER MOSFET                                               G2                                       G4                                                                    G4
                                                                          S2                                                                                                 S4
FULL-BRIDGE                                                                                                                                 G2
                                                                                                                                                    40MHz
                                                                                                                                             S2

                                                                                           S4

                                                                                              380V 750W

The ARF1511 is four RF power transistor arranged in an H-Bridge configuration. It is intended for off-line 300V

operation in high power scientific, medical and, industrial RF power generator and amplifier applications up to 40

MHz.                                                          High Performance Power RF Package.
                                                               Very High Breakdown for Improved Ruggedness.
Specified 380 Volt, 27.12 MHz Characteristics:               Low Thermal Resistance.
                                                               Nitride Passivated Die for Improved Reliability.
           Output Power = 750 Watts.

           Gain = 17dB (Class D)

RoHS Compliant

MAXIMUM RATINGS                                                   All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.

Symbol Parameter                                                                                                  ARF 1511                          UNIT

VDSS       Drain-Source Voltage                                                                                  500                               Volts
    ID
  VGS       Continuous Drain Current @ TC = 25C                                                                      20                            Amps
   PD       Gate-Source Voltage
                                                                                                                  30                               Volts
TJ,TSTG     Total Device Dissipation @ TC = 25C                                                                  1500                              Watts
   TL       Operating and Storage Junction Temperature Range
                                                                                                                  -55 to 175
            Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.                                                                                       C

                                                                                                                      300

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions                                                                      MIN TYP MAX UNIT

BVDSS       Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250 A)                                            500                                           Volts
VDS(ON)     On State Drain Voltage 1 (ID(ON) = 10A, VGS = 10V)                                                            5                      6
            Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 500V, VGS = 0V)
IDSS       Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 400V, VGS = 0V, TC = 125C)                                                                   25
            Gate-Source Leakage Current (VGS = 30V, VDS = 0V)                                                                                                A
IGSS       Forward Transconductance (VDS = 25V, ID = 10A)
  gfs       RMS Voltage (60Hz Sinewave from terminals to mounting surface for 1 minute)                                                          250
Visolation
VGS(TH)     Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 50mA)                                                                    100 nA

                                                                                                             3.3 5.5                             8  mhos

                                                                                                             TBD                                    Volts

                                                                                                             3                                   5  Volts

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic (per package unless otherwise noted)                                                   MIN TYP MAX                            UNIT
                                                                                                                                   0.10             C/W
RJC         Junction to Case                                                                                                                                                     050-4927 Rev D 10-2008
RJHS        Junction to Sink (Use High Efficiency Thermal Joint Compound and Planar Heat Sink Surface.)                 0.16

      CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

                                   Microsemi Website - http://www.microsemi.com
                        DYNAMIC CHARACTERISTICS                                                                                                           ARF1511

                        Symbol Characteristic                                                                     Test Conditions          MIN TYP MAX UNIT

                        Ciss            Input Capacitance                                                              VGS = 0V                1200 1400
                        Coss            Output Capacitance                                                           VDS = 200V
                        Crss            Reverse Transfer Capacitance                                                  f = 1 MHz                150 200 pF
                        td(on)          Turn-on Delay Time
                                        Rise Time                                                                     VGS = 15V                60   90
                          tr            Turn-off Delay Time                                                         VDD = 250V
                        td(off)         Fall Time                                                                 ID = 20A @ 25C              7
                                        Repetitive Avalanche Energy 2                                                RG = 1.6
                          tf            Single Pule Avalanche Energy 3                                                                         6
                        EAR                                                                                                                                              ns
                        EAS
                                                                                                                                               20

                                                                                                                                               4.4

                                                                                                                                           10
                                                                                                                                                                                  mJ

                                                                                                                                           450

                        FUNCTIONAL CHARACTERISTICS

                        Symbol Characteristic                                                                      Test Conditions         MIN TYP MAX UNIT

                        GPS Common Source Amplifier Power Gain                                                        f = 40.7 MHz         13  15                                dB
                                                                                                              VGS = 0V VDD = 380V
                                        Drain Efficiency                                                                                       75                                %
                                                                                                                      Pout = 750W
                                        Electrical Ruggedness VSWR 6:1                                                                     No Degradation in Output Power

                        1 Pulse Test: Pulse width < 380 S, Duty Cycle < 2%.
                        2 Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction

                           temperature.
                        3 Starting Tj = +25C, L = 2.25mH, RG = 25, Peak IL = 20A

                        Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.

                                    D1                     D3                                           .100      D1               D3          HAZARDOUS MATERIAL
                                                                                                                                                         WARNING
                                     G1                    G3                                           .175  G1                       G3
                                    S1D2                  S3D4                                                                                 The ceramic portion of the device
                            1.065"        ARF1511                                                       .100          S1D2                     between leads and mounting surface
                        27.05 mm                           G4                                           .075                 S3D4              is beryllium oxide, BeO. Beryllium
                                           1.065"          S4                                           .100                                   oxide dust is toxic when inhaled.
                                    G2     27.05 mm                                                           G2                       G4      Care must be taken during handling
                                    S2                     .300                                         .175                                   and mounting to avoid damage to
                                                                                                                                               this area. These devices must never
                                    .300                                                                .100                                   be thrown away with general industri-
                                                                                                        .075                                   al or domestic waste.
                                                                                                        .100

                                                                                                                  S2               S4

                                    .254                                                                              Thermal Considerations and Package Mounting:
                                                                                             .045 .005
                                                                                                                      The rated 1500W power dissipation is only available
050-4927 Rev D 10-2008                                    Clamp                                                       when the package mounting surface is at 25C and the
                                                                                                                      junction temperature is 175C. The thermal resis-
                                          ARF 1511                                                                    tance between junctions and case mounting surface
                                           Heat Sink                                                                  is 0.10C/W. When installed, an additional thermal
                                                                                                                      impedance of 0.06C/W between the package base and
                                                                                                                      the mounting surface is smooth and flat. Thermal joint
                                                                                                                      compound must be used to reduce the effects of small
                                                                                                                      surface irregularities. The heatsink should incorporate a
                                                                                                                      copper heat spreader to obtain best results.

                                                                                                                      The package is designed to be clamped to a heatsink. A
                                                                                                                      clamped joint maintains the required mounting pressure
                                                                                                                      while allowing for thermal expansion of both the device
                                                                                                                      and the heat sink. A simple clamp, and two 6-32 (M3.5)
                                                                                                                      screws can provide the minimum 125 lb. required
                                                                                                                      mounting force. T=4-6 in-lb. Please refer to App Note
                                                                                                                      1802 "Mounting Instructions for Flangeless Packages."
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