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ARF1511

器件型号:ARF1511
器件类别:晶体管
文件大小:84.4KB,共0页
厂商名称:ADPOW [Advanced Power Technology]
厂商官网:http://www.advancedpower.com/
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器件描述

4 CHANNEL, VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER,

4 通道, 特高频波段, , N沟道, 射频功率,

参数

ARF1511端子数量 10
ARF1511最小击穿电压 500 V
ARF1511加工封装描述 CERAMIC PACKAGE-10
ARF1511无铅 Yes
ARF1511欧盟RoHS规范 Yes
ARF1511状态 ACTIVE
ARF1511包装形状 RECTANGULAR
ARF1511包装尺寸 SMALL OUTLINE
ARF1511表面贴装 Yes
ARF1511端子形式 FLAT
ARF1511端子涂层 TIN SILVER COPPER
ARF1511端子位置 DUAL
ARF1511包装材料 UNSPECIFIED
ARF1511结构 BRIDGE, 4 ELEMENTS
ARF1511壳体连接 ISOLATED
ARF1511元件数量 4
ARF1511晶体管应用 AMPLIFIER
ARF1511晶体管元件材料 SILICON
ARF1511通道类型 N-CHANNEL
ARF1511场效应晶体管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ARF1511操作模式 ENHANCEMENT
ARF1511晶体管类型 RF POWER
ARF1511最大漏电流 20 A
ARF1511最高频带 VERY HIGH FREQUENCY BAND

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ARF1511器件文档内容

                                                                  D1                       D3                        ARF1511

                                                                                                               D1                           D3

                                                              G1                                     G3

                                                                              S1D2                              G1         ARF1511   G3
                                                                                     S3D4                      S1D2                 S3D4

RF POWER MOSFET                                               G2                                       G4      G2                                          G4
                                                                          S2                                   S2                                          S4
FULL-BRIDGE                                                                                S4
                                                                                                                750W             40MHz
                                                                                              380V

The ARF1511 is four RF power transistor arranged in an H-Bridge configuration. It is intended for off-line 300V operation

in high power scientific, medical and, industrial RF power generator and amplifier applications up to 40 MHz.

Specified 380 Volt, 27.12 MHz Characteristics:   High Performance Power RF Package.
                                                   Very High Breakdown for Improved Ruggedness.
           Output Power = 750 Watts.             Low Thermal Resistance.
                                                   Nitride Passivated Die for Improved Reliability.
           Gain = 17dB (Class D)

           Efficiency > 80%

MAXIMUM RATINGS                                   All Ratings Per Die: TC = 25C unless otherwise specified.

Symbol Parameter                                                                                               ARF 1511             UNIT

VDSS       Drain-Source Voltage                                                                                   500              Volts
   ID       Continuous Drain Current @ TC = 25C                                                                    20              Amps
            Gate-Source Voltage                                                                                    30              Volts
  VGS       Total Device Dissipation @ TC = 25C                                                                  1500              Watts
   PD       Operating and Storage Junction Temperature Range                                                   -55 to 200
TJ,TSTG     Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.                                                         300                C
   TL

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions                                                                  MIN TYP MAX UNIT

BVDSS       Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250 A)                                       500                         Volts
VDS(ON)     On State Drain Voltage 1 (ID(ON) = 10A, VGS = 10V)                                                        5    6
            Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 500V, VGS = 0V)
IDSS       Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 400V, VGS = 0V, TC = 125C)                                             25
            Gate-Source Leakage Current (VGS = 30V, VDS = 0V)                                                                          A
IGSS       Forward Transconductance (VDS = 25V, ID = 10A)
  gfs       RMS Voltage (60Hz Sinewave from terminals to mounting surface for 1 minute)                                    250
Visolation
VGS(TH)     Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 50mA)                                                                  100 nA

                                                                                                         3.3 5.5           8        mhos

                                                                                                         2500                       Volts

                                                                                                         3                 5        Volts

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic (per package unless otherwise noted)                                               MIN   TYP         MAX      UNIT
                                                                                                               0.08        0.12     C/W
RJC         Junction to Case                                                                                                                                   050-4927 Rev A 5-2005
RCS         Case to Sink (Use High Efficiency Thermal Joint Compound and Planar Heat Sink Surface.)

   CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
                                                        APT Website - http://www.advancedpower.com
                       DYNAMIC CHARACTERISTICS                                                                                                           ARF1511

                       Symbol Characteristic                                                                     Test Conditions          MIN TYP MAX UNIT

                       Ciss            Input Capacitance                                                              VGS = 0V                1200 1400
                       Coss            Output Capacitance                                                           VDS = 200V
                       Crss            Reverse Transfer Capacitance                                                   f = 1 MHz               150 200    pF
                       td(on)          Turn-on Delay Time
                                       Rise Time                                                                     VGS = 15V                60   90
                         tr            Turn-off Delay Time                                                          VDD = 250V
                       td(off)         Fall Time                                                                 ID = 20A @ 25C              7
                                       Repetitive Avalanche Energy 2                                                 RG = 1.6
                         tf            Single Pule Avalanche Energy 3                                                                         6
                       EAR                                                                                                                                             ns
                       EAS
                                                                                                                                              20

                                                                                                                                              4.4

                                                                                                                                          10
                                                                                                                                                                                mJ

                                                                                                                                          450

                       FUNCTIONAL CHARACTERISTICS

                       Symbol Characteristic                                                                      Test Conditions         MIN TYP MAX UNIT

                       GPS Common Source Amplifier Power Gain                                                        f = 40.7 MHz         13  15         dB
                                                                                                             VGS = 0V VDD = 380V
                                       Drain Efficiency                                                                                       75         %
                                                                                                                     Pout = 750W
                                       Electrical Ruggedness VSWR 6:1                                                                     No Degradation in Output Power

                       1 Pulse Test: Pulse width < 380 S, Duty Cycle < 2%.
                       2 Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction

                          temperature.
                       3 Starting Tj = +25C, L = 2.25mH, RG = 25, Peak IL = 20A
                       APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.

                                   D1                     D3                                           .100      D1               D3          HAZARDOUS MATERIAL
                                                                                                                                                        WARNING
                                    G1                    G3                                           .175  G1                       G3
                                   S1D2                  S3D4                                                                                 The ceramic portion of the device
                           1.065"        ARF1511                                                       .100          S1D2                     between leads and mounting surface
                       27.05 mm                           G4                                           .075                 S3D4              is beryllium oxide, BeO. Beryllium
                                          1.065"          S4                                           .100                                   oxide dust is toxic when inhaled.
                                   G2     27.05 mm                                                           G2                       G4      Care must be taken during handling
                                   S2                     .300                                         .175                                   and mounting to avoid damage to
                                                                                                                                              this area. These devices must never
                                   .300                                                                .100                                   be thrown away with general industri-
                                                                                                       .075                                   al or domestic waste.
                                                                                                       .100

                                                                                                                 S2               S4

                                   .254
                                                                                            .045 .005

050-4927 Rev A 5-2005                                    Clamp                                               Thermal Considerations and Package Mounting:

                                         ARF 1511                                                                The rated 1500W power dissipation is only available when the package mounting
                                          Heat Sink                                                          surface is at 25C and the junction temperature is 200C. The thermal resistance
                                                                                                             between junctions and case mounting surface is 0.12C/W. When installed, and
                                                                                                             additional thermal impedance of 0.08C/W between the package base and the mounting
                                                                                                             surface is typical. Insure that the mounting surface is smooth and flat. Thermal joint
                                                                                                             compound must be used to reduce the effects of small surface irregularities. The heat
                                                                                                             sink should incorporate a copper heat spreader to obtain best results.

                                                                                                                 The package is designed to be clamped to a heatsink. A clamped joint maintains
                                                                                                             the required mounting pressure while allowing for thermal expansion of both the device
                                                                                                             and the heat sink. A simple clamp and two 6-32 (M3.5) screw can provide the minimum
                                                                                                             125lb required mounting force. T = 12 in-lb.
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