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ARF1510

器件型号:ARF1510
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厂商名称:MICROSEMI [Microsemi Corporation]
厂商官网:http://www.microsemi.com
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ARF1510器件文档内容

                                                                  D1                     D3                           ARF1510

                                                              G1                                         G3       D1                                 D3

                                                                      S1D2                                         G1       ARF1510       G3
                                                                             S3D4                                 S1D2                   S3D4

                                                              G2                                         G4        G2                     G4

RF POWER MOSFET                                                                                                   S2                                 S4

FULL-BRIDGE                                                       S2                     S4              400V 750W 40MHz

The ARF1510 is four RF power transistor arranged in an H-Bridge configuration. It is intended for off-line 300V

operation in high power scientific, medical and, industrial RF power generator and amplifier applications up to 40

MHz.

Specified 300 Volt, 27.12 MHz Characteristics:   High Performance Power RF Package.
                                                   Very High Breakdown for Improved Ruggedness.
           Output Power = 750 Watts.             Low Thermal Resistance.
                                                   Nitride Passivated Die for Improved Reliability.
           Gain = 17dB (Class D)

                                                   RoHS Compliant

MAXIMUM RATINGS                                                   All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.

Symbol      Parameter                                                                                             ARF 1510               UNIT
            Drain-Source Voltage
  VDSS                                                                                                            1000                   Volts
    ID      Continuous Drain Current @ TC = 25C
  VGS       Gate-Source Voltage                                                                                         8                Amps
   PD
            Total Device Dissipation @ TC = 25C                                                                  30                    Volts
TJ,TSTG     Operating and Storage Junction Temperature Range
   TL       Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.                                                        1500                   Watts

                                                                                                                  -55 to 175
                                                                                                                                                 C

                                                                                                                      300

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions                                                                      MIN TYP MAX UNIT

BVDSS       Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250 A)                                        1000                          Volts
VDS(ON)     On State Drain Voltage 1 (ID(ON) = 3.25A, VGS = 10V)                                                     6.8    7.5
            Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 1000V, VGS = 0V)
IDSS       Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 800V, VGS = 0V, TC = 125C)                                              25
            Gate-Source Leakage Current (VGS = 30V, VDS = 0V)                                                                           A
IGSS       Forward Transconductance (VDS = 25V, ID = 3.25A)
  gfs       RMS Voltage (60Hz Sinewave from terminals to mounting surface for 1 minute)                                     250
Visolation
VGS(TH)     Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 50mA)                                                                   100 nA

                                                                                                             3          4                mhos

                                                                                                             TBD                         Volts

                                                                                                             3              5            Volts

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic (per package unless otherwise noted)                                                   MIN TYP MAX                 UNIT
                                                                                                                                   0.10  C/W
RJC         Junction to Case                                                                                                                             050-4926 Rev F 10-2008
RJHS        Junction to Sink (Use High Efficiency Thermal Joint Compound and Planar Heat Sink Surface.)                 0.16

      CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

                                       Microsemi Website - http://www.microsemi.com
                        DYNAMIC CHARACTERISTICS                                                                                                                      ARF1510

                        Symbol Characteristic                                                                      Test Conditions          MIN TYP MAX UNIT

                        Ciss            Input Capacitance                                                               VGS = 0V                1200 1800
                        Coss            Output Capacitance                                                            VDS = 200V
                        Crss            Reverse Transfer Capacitance                                                    f = 1 MHz               100 130 pF
                        td(on)          Turn-on Delay Time
                                        Rise Time                                                                      VGS = 15V                20  26
                          tr            Turn-off Delay Time                                                           VDD = 500V
                        td(off)         Fall Time                                                                  ID = 6.5A @ 25C             8
                                                                                                                       RG = 1.6
                          tf                                                                                                                    5
                                                                                                                                                                          ns

                                                                                                                                                18

                                                                                                                                                10

                        FUNCTIONAL CHARACTERISTICS

                        Symbol Characteristic                                                                      Test Conditions          MIN TYP MAX UNIT

                        GPS Common Source Amplifier Power Gain                                                         f = 40.7 MHz         13  15                                dB
                                                                                                               VGS = 0V VDD = 400V
                                        Drain Efficiency                                                                                        75                                %
                                                                                                                       Pout = 750W
                                        Electrical Ruggedness VSWR 6:1                                                                      No Degradation in Output Power

                         1 Pulse Test: Pulse width < 380 S, Duty Cycle < 2%.
                        Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.

                                    D1                     D3                                            .100      D1               D3          HAZARDOUS MATERIAL
                                                                                                                                                          WARNING
                                     G1                    G3                                            .175  G1                       G3
                                    S1D2                  S3D4                                                                                  The ceramic portion of the device
                            1.065"        ARF1510                                                        .100          S1D2                     between leads and mounting surface
                        27.05 mm                           G4                                            .075                 S3D4              is beryllium oxide, BeO. Beryllium
                                           1.065"          S4                                            .100                                   oxide dust is toxic when inhaled.
                                    G2     27.05 mm                                                            G2                       G4      Care must be taken during handling
                                    S2                     .300                                          .175                                   and mounting to avoid damage to
                                                                                                                                                this area. These devices must never
                                    .300                                                                 .100                                   be thrown away with general industri-
                                                                                                         .075                                   al or domestic waste.
                                                                                                         .100

                                                                                                                   S2               S4

                                                                                                                       Thermal Considerations and Package Mounting:

                                    .254                                                                               The rated 1500W power dissipation is only available
                                                                                              .045 .005                when the package mounting surface is at 25C and the
                                                                                                                       junction temperature is 175C. The thermal resis-
050-4926 Rev F 10-2008                                                                                                 tance between junctions and case mounting surface
                                                                                                                       is 0.10C/W. When installed, an additional thermal
                                                                                                                       impedance of 0.06C/W between the package base and
                                                                                                                       the mounting surface is smooth and flat. Thermal joint
                                                                                                                       compound must be used to reduce the effects of small
                                                                                                                       surface irregularities. The heatsink should incorporate a
                                                                                                                       copper heat spreader to obtain best results.

                                                          Clamp                                                        The package is designed to be clamped to a heatsink. A
                                                                                                                       clamped joint maintains the required mounting pressure
                                          ARF 1510                                                                     while allowing for thermal expansion of both the device
                                           Heat Sink                                                                   and the heat sink. A simple clamp, and two 6-32 (M3.5)
                                                                                                                       screws can provide the minimum 125 lb. required
                                                                                                                       mounting force. T=4-6 in-lb. Please refer to App Note
                                                                                                                       1802 "Mounting Instructions for Flangeless Packages."
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