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ARF1502

器件型号:ARF1502
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厂商名称:ADPOW [Advanced Power Technology]
厂商官网:http://www.advancedpower.com/
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ARF1502器件文档内容

                                                              S       D                         S        ARF1502

                                                                      ARF1500                                                                   D
                                                                                                                            G
                                                                 BeO                    135-05
                                                                                                                                                S
RF POWER MOSFET                                               S       G                         S
                                                                                                   65V 1500W 40MHz
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE

The ARF1500 is an RF power transistor designed for class C/E operation in very high power scientific, commercial,
medical and industrial RF power generator and amplifier applications up to 40 MHz.

Specified 65 Volt, 27.12 MHz Characteristics:                 High Performance Power RF Package.

       Output Power = 900 Watts.                               Very High Breakdown for Improved Ruggedness.
                                                               Low Thermal Resistance.
                                                               Nitride Passivated Die for Improved Reliability.
D
       Gain = 17dB (Class C)
E N MAXIMUM RATINGS
       Efficiency > 75%

Symbol                                                        All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.

C IO VDSS

VDGO

N T ID

  VGS

A A PD
V TJ,TSTG
M TL
       Parameter                                                                                         ARF 1500         UNIT
       Drain-Source Voltage
       Drain-Gate Voltage                                                                                200
       Continuous Drain Current @ TC = 25C                                                                                      Volts
       Gate-Source Voltage
       Total Device Dissipation @ TC = 25C                                                              200
       Operating and Storage Junction Temperature Range
       Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.                                                    70               Amps

                                                                                                         30              Volts

                                                                                                         1500             Watts

D R STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS                                                                    -55 to 200
A Symbol Characteristic / Test Conditions                                                                                               C

                                                                                                             300

O BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250 A)                                     MIN TYP MAX UNIT
F VDS(ON) On State Drain Voltage 1 (ID(ON) = 35A, VGS = 10V)
                                                                                                   200                    Volts
                                                                                                                           A
  IN IDSS                                                                                                           4.0    nA
       Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = VDSS, VGS = 0V)                                                      100
       Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 0.8 VDSS, VGS = 0V, TC = 125C)                                      1000
                                                                                                                   400
  IGSS Gate-Source Leakage Current (VGS = 30V, VDS = 0V)

  gfs  Forward Transconductance (VDS = 25V, ID = 35A)                                              8     11               mhos

Visolation RMS Voltage (60Hz Sinewave from terminals to mounting surface for 1 minute)             2500                   Volts

VGS(TH) Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 50mA)                                              3                   5

                                                                                                                          Volts

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic (per package unless otherwise noted)                                         MIN   TYP       MAX    UNIT
                                                                                                         0.09      0.12   C/W
RJC    Junction to Case
RCS    Case to Sink (Use High Efficiency Thermal Joint Compound and Planar Heat Sink Surface.)                                                     050-5600 Rev - 7-01

      CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

                                 APT Website - http://www.advancedpower.com

USA:   405 S.W. Columbia Street            Bend, Oregon 97702 -1035 Phone: (541) 382-8028 FAX: (541) 388-0364

EUROPE: Chemin de Magret                   F-33700 Merignac - France Phone: (33) 5 57 92 15 15 FAX: (33) 5 56 47 97 61
DYNAMIC CHARACTERISTICS                                                                                                            ARF1502

Symbol Characteristic                                                                  Test Conditions      MIN TYP MAX UNIT

Ciss     Input Capacitance                                                                  VGS = 0V                    4820 6000
Coss     Output Capacitance                                                                VDS = 50V
Crss     Reverse Transfer Capacitance                                                       f = 1 MHz                   800 1100 pF
td(on)   Turn-on Delay Time
         Rise Time                                                                         VGS = 15V                    210 290
  tr     Turn-off Delay Time                                                            VDD = 0.5 VDSS
td(off)  Fall Time                                                                   ID = ID[Cont.] @ 25C              5    10

  tf                                                                                       RG = 1.6                     3.0  7     ns

                                                                                                                        15   25

                                                                                                                        3    7

FUNCTIONAL CHARACTERISTICS

050-5600 Rev - 7-01Symbol Characteristic                                              Test Conditions       MIN TYP MAX UNIT

     INFOARDMVAATNICOENDGPS Common Source Amplifier Power Gain                          f = 27.12 MHz               15  17         dB
                                                                                  VGS = 0V VDD = 65V
         Drain Efficiency                                                                                           70  75         %
                                                                                         Pout = 900W
         Electrical Ruggedness VSWR 10:1                                                                    No Degradation in Output Power

1 Pulse Test: Pulse width < 380 S, Duty Cycle < 2%.
  APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.

                                                                                  1.065

                                                                .160      S       D             S .500                  HAZARDOUS MATERIAL
                                                                                                                                  WARNING
                             D                                                    ARF1500
                                                                                                                        The ceramic portion of the
         G                                                                   BeO        135-05     1.065                device between leads and
                             S                                                                                          mounting surface is beryllium
                                                                          S       G             S .500                  oxide. Beryllium oxide dust is
            dims: inches                                                                                                highly toxic when inhaled. Care
                                                                                                                        must be taken during handling
                                                                .045                                                    and mounting to avoid damage
                                                                .005                                                    to this area. These devices
                                                                                                                        must never be thrown away with
                                                                                                                        general industrial or domestic
                                                                                                                        waste.

                                                                        .207      .375       .207

                                                                                  .105 typ.

                                                                      Thermal Considerations and Package Mounting:

                                                                        The rated 1500W power dissipation is only available when the package mounting

;y;y;y;y;y;y ARF 1500        Clamp                                      surface is at 25C and the junction temperature is 200C. The thermal resistance
                                                               Heat Sinkbetween junctions and case mounting surface is 0.12 C/W. When installed, an addi-
                           Compliant                                    tional thermal impedance of 0.09 C/W between the package base and the mounting
                           layer                                        surface is typical. Insure that the mounting surface is smooth and flat. Thermal joint
                                                                        compound must be used to reduce the effects of small surface irregularities. The heat-
                                                                        sink should incorporate a copper heat spreader to obtain best results.

                                                                          The package is designed to be clamped to a heatsink. A clamped joint maintains the
                                                                        required mounting pressure while allowing for thermal expansion of both the device
                                                                        and the heat sink. A simple clamp, a compliant layer of plastic or rubber, and two 6-32

                                                                        (M3.5) screws can provide the minimum 85 lb required mounting force. T = 6 in-lb.
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