电子工程世界电子工程世界电子工程世界

型号

产品描述

搜索
 

ARF1501

器件型号:ARF1501
器件类别:晶体管
文件大小:150.57KB,共0页
厂商名称:MICROSEMI [Microsemi Corporation]
厂商官网:http://www.microsemi.com
下载文档

器件描述

VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER,

特高频波段, , N沟道, 射频功率,

参数

ARF1501端子数量 6
ARF1501最小击穿电压 1000 V
ARF1501加工封装描述 陶瓷 PACKAGE-6
ARF1501状态 TRANSFERRED
ARF1501包装形状 SQUARE
ARF1501包装尺寸 FLATPACK
ARF1501表面贴装 Yes
ARF1501端子形式 FLAT
ARF1501端子位置
ARF1501包装材料 陶瓷, 金属-SEALED COFIRED
ARF1501结构 单一的
ARF1501壳体连接 DRAIN
ARF1501元件数量 1
ARF1501晶体管应用 放大器
ARF1501晶体管元件材料
ARF1501通道类型 N沟道
ARF1501场效应晶体管技术 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
ARF1501操作模式 ENHANCEMENT
ARF1501晶体管类型 射频功率
ARF1501最大漏电流 30 A
ARF1501最高频带 VERY 高 频率 波段

文档预览

ARF1501器件文档内容

                                                              S    D                     S                    ARF1501

                                                                   ARF1501

                                                              BeO  1525-xx

RF POWER MOSFET                                               S G S 250V 750W 40MHz

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE

The ARF1501 is an RF power transistor designed for very high power scientific, commercial, medical and industrial
RF power generator and amplifier applications up to 40 MHz.

Specified 250 Volt, 27.12 MHz Characteristics:               High Performance Power RF Package.

           Output Power = 750 Watts.                         Very High Breakdown for Improved Ruggedness.
                                                               Low Thermal Resistance.
           Gain = 17dB (Class C)

           Efficiency > 75%                                  Nitride Passivated Die for Improved Reliability.

MAXIMUM RATINGS                                               All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.

Symbol      Parameter                                                                                         ARF1501                UNIT
            Drain-Source Voltage
  VDSS                                                                                                        1000                   Volts
    ID      Continuous Drain Current @ TC = 25C
  VGS       Gate-Source Voltage                                                                               30                     Amps
   PD
            Total Device Dissipation @ TC = 25C                                                              30                    Volts
TJ,TSTG     Operating and Storage Junction Temperature Range
   TL       Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.                                                    1500                   Watts

                                                                                                              -55 to 175
                                                                                                                                             C

                                                                                                                  300

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions                                                                  MIN TYP MAX UNIT

BVDSS       Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250 A)                                        1000                       Volts
VDS(ON)     On State Drain Voltage 1 (ID(ON) = 15A, VGS = 10V)                                                       7.5  9
            Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 1000V, VGS = 0V)
IDSS       Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 800V, VGS = 0V, TC = 125C)                                             40
            Gate-Source Leakage Current (VGS = 30V, VDS = 0V)                                                                          A
IGSS       Forward Transconductance (VDS = 25V, ID = 15A)
  gfs       RMS Voltage (60Hz Sinewave from terminals to mounting surface for 1 minute)                                   1000
Visolation
VGS(TH)     Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 50mA)                                                                 400 nA

                                                                                                         5.5  7                      mhos

                                                                                                         TBD                         Volts

                                                                                                         3                5          Volts

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic (per package unless otherwise noted)                                               MIN TYP MAX                 UNIT
                                                                                                                               0.10  C/W
RJC         Junction to Case                                                                                                                     050-5982 Rev D 3-2008
RJHS        Junction to Sink (Use High Efficiency Thermal Joint Compound and Planar Heat Sink Surface.)             0.16

   CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

                                   Microsemi Website - http://www.microsemi.com
DYNAMIC CHARACTERISTICS                                                                                                                                                                                                ARF1501
                                                                                                                                                                                         MIN TYP MAX UNIT
Symbol Characteristic                                                                                                          Test Conditions
                                                                                                                                                                                                   5400 6500
Ciss                                          Input Capacitance                                                                     VGS = 0V                                                        300 400 pF
Coss                                          Output Capacitance                                                                  VDS = 200V                                                        125 160
Crss                                          Reverse Transfer Capacitance                                                         f = 1 MHz
td(on)                                        Turn-on Delay Time                                                                                                                                      8
                                              Rise Time                                                                            VGS = 15V                                                          5
  tr                                          Turn-off Delay Time                                                                 VDD = 500V
td(off)                                       Fall Time                                                                      ID = ID[Cont.] @ 25C                                                                              ns
                                                                                                                                   RG = 1.6                                                          25
  tf                                                                                                                                                                                                 13

FUNCTIONAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic                                                                                                        Test Conditions                                             MIN TYP MAX UNIT

GPS Common Source Amplifier Power Gain                                                                                              f = 27.12 MHz                                        15            17         dB
                                                                                                                             VGS = 0V VDD = 250V
                                              Drain Efficiency                                                                                                                           70            75         %
                                                                                                                                     Pout = 750W
                                              Electrical Ruggedness VSWR 10:1                                                                                                            No Degradation in Output Power

1 Pulse Test: Pulse width < 380 S, Duty Cycle < 2%.

Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.

                                                                                                  Per transistor section unless otherwise specified.

                                                                                                20,000

                                                                                                10,000
                                                                                                                                                               Ciss

                                                                                                  5000

                                                                              CAPACITANCE (pf)  1000

                                                                                                500                                                           Coss

                                                                                                                                                              Crss

                                                                                                100
                                                                                                .1                        1  10                               100 200

                                                                                                Figure V1,DTSy, pDiRcaAlINC-aTpOa-cSitOaUncReCvEsV. DOrLaTiAnG-toE-S(VoOuLrcTeS)Voltage

                                              60                                                                                                              120
                                                                                                                                                               50
050-5982 Rev D 3-2008                             VDS> ID(ON) x RDS(ON) MAX.                                                                                           DATA FOR BOTH SIDES
                 ID, DRAIN CURRENT (AMPERES)        250SEC. PULSE TEST                                                                                                        IN PARALLEL

                                              50  @ <0.5 % DUTY CYCLE                                                            ID, DRAIN CURRENT (AMPERES)              OPERATION HERE
                                                                                                                                                                        LIMITED BY RDS (ON)

                                                                             TJ = -55C                                                                                                                           100us
                                              40

                                              30                                                                                                              10

                                              20                                                                                                              5                                                   1ms

                                              10  TJ = +25C                                                                                                                             TC =+25C                10ms
                                                                                                                                                                                         TJ =+200C               100ms
                                                  TJ = +125C                                                                                                                            SINGLE PULSE

                                              0                                                                                                               1
                                               0 2 4 6 8 10 12 14
                                                                                                                                                                    1     5 10               50 100        1000
                                                 VFGiSg,uGreAT2,ET-TyOpi-cSaOl UTrRaCnsEfeVrOCLhTAarGaEct(eVriOsLtiTcSs)
                                                                                                                                                              FigVuDrSe,  DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
                                                                                                                                                                          3, Typical Maximum Safe Operating Area
                                1.15                                                                                                                                             ARF1501
                                1.10
                                1.05                                                                                            45
                                1.00                                                                                                                                                    10V
                                0.95
                                0.90                                                                                            40
                                0.85
                                0.80                                                                                                                                                     9V
                                0.75                                                                                            35
VGS(th), THRESHOLD VOLTAGE                                                                                             ID, DRAIN CURRENT (AMPERES)
   (NORMALIZED)                       -50 -25 0 25 50 75 100 125 150                                                                                              PDM30                               8V
                                 Figure 4, TyTpCi,cCaAl TShEreTsEhMoPldEVRoAlTtaUgReEv(sCTe) mperature
                                0.14                                                                                            25

                                                                                                                                20                                                                    7V

                                                                                                                                15
                                                                                                                                                                                            6V

                                                                                                                                10

                                                                                                                                5                                                                     5V

                                                                                                                                00  5  10 15 20 25 30

                                                                                                                                    VDFSi,gDuRreA5IN, T-TyOpi-cSaOl UORuCtpEutVCOhLaTAraGcEte(rVisOtiLcTsS)

ZqJC, THERMAL IMPEDANCE (C/W)  0.12
                                              D = 0.9

                                0.10

                                                   0.7
                                0.08

                                0.06        0.5
                                                                                                                                                                                     Note:
                                0.04
                                            0.3                                                                                                                                             t1
                                0.02
                                                                                                         SINGLE PULSE                                               t2
                                    0
                                      10-5  0.1                                                                                                  Duty Factor D = t1/t2
                                            0.05                                                                                             Peak TJ = PDM x ZJC + TC

                                                        10-4           10-3                                            10-2                  10-1                                                           1.0

                                                                       RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)

                                                        Figure 6, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case vs. Pulse Duration

                                                        Table 1 - Typical Class AB Large Signal Impedance -- ARF1501

                                F (MHz)                   Zin ()         ZOL ()                          Zin - Gate shunted with 25 IDQ = 100mA
                                                                                                         ZOL - Conjugate of optimum load for 750 Watts
                                    2.0                 10.6 -j 12.2     31 -j 4.7
                                  13.5                     0.5 -j 2.7  15.6 -j 16                             output at Vdd = 250V
                                                                       6.2 -j 12.6
                                     27                  0.22 -j 0.8    3.1 -j 9.4
                                     40                   0.2 +j .12

                                                                                                                                       .250

                                                                                                                                                                                                S     D          S .500

Thermal Considerations and Package                                                                          Heat Sink                                                                                   ARF15--        1.065
Mounting:
                                                                                                                             D                                                                     BeO 1525-xx
    The rated 1500W power dissipation is only avail-                                                     G
able when the package mounting surface is at                                                                                           .045
25C and the junction temperature is 200C. The                                                                              S
thermal resistance between junctions and case                                                                                                                                                   S     G          S .500
mounting surface is 0.12C/W. When installed, an
additional thermal impedance of 0.1C/W between                                                                                        .005
the package base and the mounting surface is typi-
cal. Insure that the mounting surface is smooth                                                                                                                                                 .207  .375       .207
and flat. Thermal joint compound must be used to
reduce the effects of small surface irregularities.                                                                                                                                                   .105 typ.               050-5982 Rev D 3-2008
The heatsink should incorporate a copper heat
spreader to obtain best results.                                                                                                        HAZARDOUS MATERIAL WARNING
                                                                                                                                       The ceramic portion of the device between
  The package is designed to be clamped to a                                                                                           leads and mounting surface is beryllium oxide,
heatsink. A clamped joint maintains the required                                                                                       BeO. Beryllium oxide dust is toxic when in-
mounting pressure while allowing for thermal ex-                                                                                       haled. Care must be taken during handling
pansion of both the device and the heat sink. A                                                                                        and mounting to avoid damage to this area
simple clamp, and two 6-32 (M3.5) screws can pro-                                                                                      These devices must never be thrown away
vide the minimum 125lb required mounting force.                                                                                        with general industrial or domestic waste.
T = 12 in-lb.
                                                      ARF1501 -- 27.12 MHz Test Circuit

                                               C7 C9            L4  C8 C10                            250V   C1, C7,C8, C11 .1uF 250V ceramic chip
                                  C6                      L3                                         Output  C2, C12 ARCO 465 75-380pF mica trimmer
                                                                                                             C3 4700pF ATC700B
                                      L1  TL1             L2 C4              C12                             C4, C9-C11 8200pF 500V NPO ceramic
                                                                           C5                                C5 - C6 150pF ATC 700B
                                                                                                             L1 90 nH 4t #18 0.25"d .25"l
                              C1      C2              R1                                                     L2 175 nH - 3t #10 .75" dia .75" l
                                                                                                             L3 2uH - 22t #24 enam. .312" dia.
                       RF                 C3                        Vbias                                    L4 500nH 2t on 850u .5" bead
                       Input                  C11                                                            R1-R3 1k  1/4W
                                                               R3                                            TL1 .112" x 1.2" (50 ) Stripline
                                                          R2

                                                                           BeO              ARF1501

                                  J1                                       135-05  ARF1500                                     J2

                                                          27 MHz Amp                                         RF 5-02
                                                          ARF1501

                                                                 Parts placement

050-5982 Rev D 3-2008                                     27 MHz Amp                                                  RF 5-02
                                                          ARF1501

                                                                      1:1 pcb artwork
This datasheet has been downloaded from:
             www.EEworld.com.cn

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.EEworld.com.cn

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright Each Manufacturing Company

ARF1501器件购买:

该厂商的其它器件

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved