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APM4953

器件型号:APM4953
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厂商名称:ANPEC [Anpec Electronics Coropration]
厂商官网:http://www.anpec.com.tw/
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APM4953器件文档内容

APM4953

Features                                             Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

                                                               Pin Description

-30V/-4.9A, RDS(ON) = 53m(typ.) @ VGS = -10V                5                               &   ,

                     RDS(ON) = 80m(typ.) @ VGS = -4.5V     /                                  %   ,

Super High Density Cell Design                           5     !                            $   ,
Reliable and Rugged
SO-8 Package                                             /     "                            #   ,

Applications                                                          SO - 8

                                                                 5                            5

Power Management in Notebook Computer,                   /          /

     Portable Equipment and Battery Powered
      Systems

                                                                 , ,                          ,,

                                                                 P-Channel MOSFET

Ordering and Marking Information

APM4953                             H andling C ode        Package Code
                                    Temp. Range                 K : SO -8
APM4953 K :                         Package Code
                                                           O peration Junction Tem p. R ange
                       A P M 4953                               C : -55 to 150C
                       XXXXX
                                                           H andling C ode
                                                                TU : Tube
                                                                TR : Tape & Reel

                                                           XXXXX - Date Code

Absolute Maximum Ratings (TA = 25C unless otherwise noted)

Symbol                              Parameter                         Rating                         Unit

VDSS         Drain-Source Voltage                                        -30
VGSS         Gate-Source Voltage                                                                V
ID*         Maximum Drain Current  Continuous TA = 25C
IDM         Maximum Drain Current  Pulsed                               25
                                                                         -4.9

                                                                                                A
                                                                         -30

* Surface Mounted on FR4 Board, t  10 sec.

ANPEC reserves the right to make changes to improve reliability or manufacturability without notice, and advise
customers to obtain the latest version of relevant information to verify before placing orders.

Copyright  ANPEC Electronics Corp.                      1                                        www.anpec.com.tw

Rev. A.2 - Feb., 2003
APM4953

Absolute Maximum Ratings (Cont.) (TA = 25C unless otherwise noted)

Symbol                              Parameter                                 Rating        Unit
   PD                                                                           2.5           W
         Maximum Power Dissipation                 TA = 25C                    1.0
    TJ                                                                          150          C
  TSTG                                             TA = 100C                               C/W
  RJA*                                                                      -55 to 150
         Maximum Junction Temperature                                            50

         Storage Temperature Range

         Thermal Resistance - Junction to Ambient

Electrical Characteristics (TA=25C unless otherwise noted)

Symbol                 Parameter       Test Condition                         APM4953       Unit
                                                                       Min. Typ=. Max.

Static

BVDSS    Drain-Source Breakdown     VGS=0V , IDS=-250A                -30                  V
         Voltage

IDSS    Zero Gate Voltage Drain    VDS=-24V , VGS=0V                                   -1  A
VGS(th)  Current
IGSS    Gate Threshold Voltage     VDS=VGS , IDS=-250A               -1 -1.5 -2           V
                                    VGS=25V , VDS=0V
         Gate Leakage Current                                                           100 nA

             Drain-Source On-state  VGS=-10V , IDS=-4.9A                    53          60  m
RDS(ON) Resistance>                 VGS=-4.5V , IDS=-3.6A
                                                                            80          95

    VSD Diode Forward Voltage>      ISD=-1.7A , VGS=0V                      -0.7 -1.3       V
Dynamic=

Qg Total Gate Charge                VDS=-15V , IGS=-10V                     22.3 29

Qgs Gate-Source Charge              lD=-4.6A                                4.65            nC
Qgd Gate-Drain Charge
                                                                            2

td(ON)   Turn-on Delay Time         VDD=-15V , ID=-2A ,                     10          18
  Tr     Turn-on Rise Time          VGEN=-10V , RG=6
         Turn-off Delay Time        RL=7.5                                  15          20  ns
td(OFF)  Turn-off Fall Time
  Tf                                                                        22          38

                                                                            15          25

Ciss Input Capacitance              VGS=0V                                  1260

Coss Output Capacitance             VDS=-25V                                340             pF

Crss Reverse Transfer Capacitance Frequency=1.0MHz                          220


  N otes

          a : Pulse test ; pulse width 300s, duty cycle  2%
          b : Guaranteed by design, not subject to production testing

Copyright  ANPEC Electronics Corp.             2                                        www.anpec.com.tw

Rev. A.2 - Feb., 2003
APM4953

Typical Characteristics

                                            Output Characteristics                                                                                 Transfer Characteristics

                                30                                                                                                                           

                                                                                                                                      30

                                25  -V/5= 5,6,7,8,9,10V                                                                               25

-ID-Drain Current (A)           20                                                                                                    20
                                                                                   -V/5=4V
                                                                                                        -ID-Drain Current (A)         15
                                15

                                                                                                                                                                                          

                                                                                                                                                    TJ=125C

                                10                                                                                                    10                                     TJ=-55C
                                                                                   -V/5=3V
                                                                                                                                                        TJ=25C
                                5   -V/5=2V                                                                                           5

                                0                                                                                                     0   0   1     2            3           4         5
                                  012345678
                                                                                                                                              -VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
                                     -VDS - Drain-to-Source Voltage (V)

                                Threshold Voltage vs. Junction Temperature                                                                    On-Resistance vs. Drain Current

                                 1.50                                                                                                                                 
                                                                                   -IDS=250A                                         0.14

-VGS(th)-Threshold Voltage (V)   1.25                                                                                                 0.12
   (Normalized)
                                 1.00                                                                      RDS(on)-On- Resistance ()  0.10

                                 0.75                                                                                                                             V/5=-4.5V
                                                                                                                                      0.08
                                 0.50
                                                                                                                                      0.06          V/5=-10V
                                 0.25
                                                                                                                                      0.04
                                 0.00
                                     -50 -25 0 25 50 75 100 125 150                                                                   0.02

                                           Tj - Junction Temperature (C)                                                             0.00       3  6            9           12        15
                                                                                                                                           0

                                                                                                                                                    -ID - Drain Current (A)

Copyright  ANPEC Electronics Corp.                                                             3                                                                             www.anpec.com.tw

Rev. A.2 - Feb., 2003
APM4953

Typical Characteristics (Cont.)

                            On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage                                          On-Resistance vs. Junction Temperature

                            0.250                                                                            2.00
                                                                                                                     -VGS=10V
                            0.225                                   -I,= 4.9A
                                                                                                             1.75 -ID=4.9A
RDS(on)-On- Resistance ()   0.200                                             
                                                                                                             1.50
                            0.175                                                    RDS(on)-On-Resistance ()
                                                                                         (Nor malized)       1.25
                            0.150
                                                                                                             1.00
                            0.125                                                                                                                                       
                                                                                                             0.75
                            0.100
                                                                                                             0.50
                            0.075
                                                                                                             0.25
                            0.050
                                                                                                             0.00
                            0.025                                                                                -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
                                   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
                                                                                                                        TJ - Junction Te mperature (C)
                                    -VGS - Gate-to-Sou rce Voltage (V)

                                             Gate Charge                                                                     Capacitance

-VGS-Gate-Source Voltage (V)10                                                                                 2800
                                   -VD=10V                                                                                                               Frequency=1MHz
                                   -ID=4.9A
                                                                                                               2400
                             8

                                                                                  Capacitance (pF)             2000

                            6                                                                                  1600
                                                                                                                                                     Ciss
                                                                                                                                                                        
                                                                                                               1200
                            4

                            2                                                                                  800
                                                                                                                                                   Coss

                                                                                                               400      Crss

                            00     5         10  15       20        25                                         0     0  5 10 15 20 25 30

                                             QG - Gate Charge (nC)                                                      -VDS - Drain-to-Source Voltage (V)

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Typical Characteristics (Cont.)

                                     Source-Drain Diode Forward Voltage                                                  Single Pulse Power

                                30                                                                         50

                                10

-IS-Source Current ()                                                                                      40

                                                                                                           30

                                         TJ=150C                   TJ=25C                     Power (W)                                                   

                                1                                                                          20

                                                                                                           10

                                0.1                                                                        0
                                   0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8                                 0.01     0.1  1           10                100

                                       -VSD-Source-to-Drain Voltage (V )                                                 Time (sec)

Normalized Effective Transient                 Normalized Thermal Transient Impedence, Junction to Ambient
   Thermal Impedance
                                2

                                1 Duty Cycle = 0.5

                                           D= 0.2                                                                                                           
                                           D= 0.1
                                                                                                                         1.Duty Cycle, D=t1/t2
                                0.1 D= 0.05                                                                              2.Per Unit Base=RthJA=50C/W
                                                                                                                         3.TJM-TA=PDMZthJA
                                           D= 0.02                                                                       4.Surface Mounted

                                0.01                SINGLE PULSE             0.01     0.1                        1          10                         100
                                   1E-4
                                                              1E-3

                                                                             Square Wave Pulse Duration (sec)

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Packaging Information

SOP-8 pin ( Reference JEDEC Registration MS-012)

                                                  EH       0.015X45

     e1                                      e2

                             D

                                                  A1 A  1

                       0.004max.                                     L

Dim                          Millimeters                                 Inches

  A                    Min.                  Max.          Min.         0.50BSC  Max.
A1                                                        0.053             8  0.069
  D                    1.35                  1.75          0.004                 0.010
  E                                                        0.189                 0.197
  H                    0.10                  0.25          0.150                 0.157
  L                                                        0.228                 0.244
e1                    4.80                  5.00          0.016                 0.050
e2                                                        0.013                 0.020
1                      3.80                  4.00

                       5.80                  6.20

                       0.40                  1.27

                       0.33                  0.51

                                    1.27BSC

                                    8

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Physical Specifications

Terminal Material      Solder-Plated Copper (Solder Material : 90/10 or 63/37 SnPb)
Lead Solderability     Meets EIA Specification RSI86-91, ANSI/J-STD-002 Category 3.

Reflow Condition (IR/Convection or VPR Reflow)

temperature                                             Peak temperature

                                             183C

                       Pre-heat temperature

                                                                                                                                       Time

Classification Reflow Profiles

Average ramp-up rate(183C to Peak)                 Convection or IR/                   VPR
Preheat temperature 125 25C)                         Convection       10 C /second max.
Temperature maintained above 183C
Time within 5C of actual peak temperature   3C/second max.             60 seconds
Peak temperature range                       120 seconds max             215-219C or 235 +5/-0C
Ramp-down rate                                                           10 C /second max.
                                             60  150 seconds
Time 25C to peak temperature                10 20 seconds

                                             220 +5/-0C or 235 +5/-0C
                                             6 C /second max.
                                             6 minutes max.

Package Reflow Conditions

pkg. thickness  2.5mm       pkg. thickness < 2.5mm and  pkg. thickness < 2.5mm and pkg.
and all bgas                pkg. volume  350 mm        volume < 350mm

Convection 220 +5/-0 C                                 Convection 235 +5/-0 C
VPR 215-219 C                                          VPR 235 +5/-0 C
IR/Convection 220 +5/-0 C                              IR/Convection 235 +5/-0 C

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Reliability test program

                Test item                               Method                                Description
SOLDERABILITY                          MIL-STD-883D-2003                       245C,5 SEC
HOLT                                   MIL-STD 883D-1005.7                     1000 Hrs Bias @ 125C
PCT                                    JESD-22-B, A102                         168 Hrs, 100% RH, 121C
TST                                    MIL-STD 883D-1011.9                     -65C ~ 150C, 200 Cycles

Carrier Tape & Reel Dimensions                                                                  t
                                                                                   Bo
                                               Po         P       D

                           E

                                                          P1

                                    F
                           W

                                                   Ao             D1               Ko

                                                                               T2

                                                       J

                                                              C

                                       A                                       B

                                                                               T1

Application      A             B          C        J          T1      T2           W        P          E
  SOP- 8     330 1       62 +1.5     12.75+                                  12 0. 3  8 0.1    1.750.1
                                                   2 0.5 12.4 0.2 2 0.2
                 F            D         0.15                                      Bo       Ko           t
                                         D1        Po         P1      Ao

             5.5 1 1.55 +0.1 1.55+ 0.25 4.0 0.1 2.0 0.1 6.4 0.1 5.2 0. 1 2.1 0.1 0.30.013

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Cover Tape Dimensions

Application            Carrier Width  Cover Tape Width             Devices Per Reel
   SOP- 8                      12                9.3                        2500

Customer Service

              Anpec Electronics Corp.
              Head Office :

                   5F, No. 2 Li-Hsin Road, SBIP,
                   Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C.
                   Tel : 886-3-5642000
                   Fax : 886-3-5642050
              Taipei Branch :
                   7F, No. 137, Lane 235, Pac Chiao Rd.,
                   Hsin Tien City, Taipei Hsien, Taiwan, R. O. C.
                   Tel : 886-2-89191368
                   Fax : 886-2-89191369

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